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無塵車間半導體制造設備的振動標準

江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司 ? 2025-01-02 15:29 ? 次閱讀

無塵車間半導體制造設備的振動標準-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司

半導體制造設備對振動極為敏感,不同的設備及工藝對振動標準要求也有所不同。一般來說,無塵車間半導體制造設備的振動標準主要從振動頻率、振幅等方面進行考量:

1,光刻設備

(1)振動頻率:通常要求在 1-100Hz 范圍內,振動加速度均方根值需低于 10-50μm/s2。對于極紫外光刻(EUV)等先進光刻技術,要求可能更嚴格,在某些關鍵頻段甚至要低于 10μm/s2。

(2)振幅:在納米級水平,一般要求在 1-3nm 以下,以確保光刻圖案的精度和分辨率。

2,電子束曝光設備

(1)振動頻率:在 1-50Hz 范圍內,振動加速度均方根值應低于 20-40μm/s2。

(2)振幅:通常要求控制在 2-5nm 以內,防止電子束在曝光過程中產(chǎn)生偏差,影響曝光精度。

3,掃描電子顯微鏡(SEM)

(1)振動頻率:在 1-30Hz 范圍內,振動加速度均方根值需低于 30-50μm/s2。

(2)振幅:一般要求小于 5nm,以保證高分辨率成像和精確的樣品分析。

4,離子注入機

(1)振動頻率:在 1-80Hz 范圍內,振動加速度均方根值應低于 20-60μm/s2。

(2)振幅:通常要求控制在 3-8nm 左右,避免離子束流的方向和能量分布受到振動影響,確保注入劑量和深度的準確性。

4,化學機械拋光(CMP)設備

(1)振動頻率:在 1-60Hz 范圍內,振動加速度均方根值需低于 30-80μm/s2。

(2)振幅:一般允許在 5-10nm,但在拋光高精度晶圓時,可能要求更嚴格,以保證晶圓表面的平整度和均勻性。

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