一概述

上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品。貝嶺150V SGT系列產(chǎn)品采用業(yè)界先進(jìn)工藝，使得器件具有良好的柵極漏電流IGSS性能；采用深溝槽、多層外延襯底以及多重浮空環(huán)終端結(jié)構(gòu)，使得器件具有極低的導(dǎo)通電阻和較高的漏源間擊穿電壓Vdss；采用屏蔽柵極結(jié)構(gòu)，器件獲得優(yōu)良的開關(guān)性能，使得150V SGT系統(tǒng)產(chǎn)品具有極低的開關(guān)損耗。

上海貝嶺150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于：

通信和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

叉車和輕型電動車電機(jī)驅(qū)動器

光伏儲能以及電池管理系統(tǒng) (BMS)

不間斷電源 (UPS)

二器件優(yōu)勢

超低導(dǎo)通電阻Rds(on)

貝嶺可提供國內(nèi)業(yè)界極低導(dǎo)通電阻的150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品。例如，BLP038N15的導(dǎo)通電阻典型值僅為，相比于市場主流廠商同類低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降幅高達(dá)23%，可有效地降低功率器件在導(dǎo)通期間的損耗，顯著提升系統(tǒng)整機(jī)效率。貝嶺產(chǎn)品具有優(yōu)良的Rds(on)一致性，適合大功率并聯(lián)場景。

圖1導(dǎo)通電阻Rds(on)

低FOM值

性能品質(zhì)因數(shù)Figure of Merit （FOM= Rds(on)×Qg，Rds(on) 為器件導(dǎo)通電阻，Qg為器件柵極總電荷），簡稱FOM值，是評估MOSFET綜合性能的一個重要指標(biāo)。較低的導(dǎo)通電阻代表SGT MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下具有更低的損耗和更高的效率。較低的柵極總電荷代表SGT MOSFET可以更快地在導(dǎo)通和截止之間切換，從而減少功耗和提高性能。上海貝嶺BLP038N15在保證超低的導(dǎo)通電阻優(yōu)勢下，極力控制器件柵極總電荷，使得該器件FOM值相較國內(nèi)廠商同電壓等級產(chǎn)品具有顯著優(yōu)勢。

圖2 FOM值

器件封裝

為了滿足客戶在不同應(yīng)用場景下的使用需求，上海貝嶺150V SGT產(chǎn)品在封裝選擇上，可以提供TO-220，TO-247為代表的插件安裝形式。與此同時，還提供以TOLL和TO-263-7代表的貼片安裝形式。對于高功率密度、電流密度設(shè)計，貝嶺推薦使用TOLL封裝的150V SGT 產(chǎn)品。TOLL封裝的典型占位面積為9.8mm * 11.73 mm與TO-263封裝相比，PCB面積可節(jié)省30%。TOLL封裝的外形高度僅為2.3 mm，占用的體積較TO-263減少60%，實現(xiàn)節(jié)省用戶PCB空間，使客戶產(chǎn)品更具成本優(yōu)勢。

圖3 貝嶺TOLL-8 封裝圖

優(yōu)良的抗電流沖擊能力

貝嶺150V SGT產(chǎn)品具有高雪崩能力、低熱阻的特點，在電機(jī)應(yīng)用中可以滿足電機(jī)短路大電流關(guān)斷的需求。

三BLP038N15應(yīng)用表現(xiàn)

貝嶺針對大功率電機(jī)控制應(yīng)用，基于貝嶺150V SGT產(chǎn)品, 設(shè)計20kW電機(jī)控制器驗證平臺，最高可支持96V電池應(yīng)用，控制器實物如圖4左所示。貝嶺電機(jī)控制器驗證平臺采用疊層設(shè)計，上層為控制級，下層為功率級。功率級布局如圖4右所示，采用TO-263-7封裝，單相5管并聯(lián)。

圖4

貝嶺150VSGT 電機(jī)控制器驗證平臺(左) 功率板卡設(shè)計(右)

圖5單管100A下應(yīng)用中開通波形(左) 關(guān)斷波形(右)

四貝嶺功率器件選型方案

上海貝嶺功率器件150V產(chǎn)品線，歡迎垂詢！具體型號參考表1。對于多管并聯(lián)應(yīng)用場景，可提供需求柵極閾值電壓Vth檔位篩選服務(wù)。

表1 功率器件選型列表