作為寬禁帶半導(dǎo)體，氮化鎵（GaN）以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現(xiàn)代功率電子領(lǐng)域的新寵。然而，GaN器件的高速開關(guān)行為也對(duì)PCB布局設(shè)計(jì)提出了巨大挑戰(zhàn)。因此想要充分發(fā)揮GaN的潛力，我們必須理解和管理PCB布局產(chǎn)生的寄生阻抗，確保電路正常、可靠地運(yùn)行，并且不會(huì)引起不必要的電磁干擾（EMI）。

《優(yōu)化HV CoolGaN功率晶體管的PCB布局》應(yīng)用指南，主要討論了在使用高壓氮化鎵（GaN）功率晶體管時(shí)，如何通過(guò)優(yōu)化PCB布局來(lái)提升整體電氣性能和熱性能。以下是文件的核心內(nèi)容提煉：

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引言

高壓氮化鎵（HV CoolGaN）晶體管：快速開關(guān)能力給PCB布局帶來(lái)挑戰(zhàn)。

PCB布局優(yōu)化目標(biāo)：確保電路正確、可靠運(yùn)行，避免電磁干擾（EMI）。

關(guān)鍵概念：理解寄生阻抗、電流流動(dòng)路徑的重要性。

2

實(shí)際問(wèn)題

寄生元件：包括寄生電阻、寄生電容和寄生電感，可導(dǎo)致電路故障、EMI、振蕩等問(wèn)題。

快速開關(guān)問(wèn)題：GaN晶體管的快速開關(guān)導(dǎo)致高峰值電流和dv/dt、di/dt值，增加布局挑戰(zhàn)。

3

半橋拓?fù)?/strong>

半橋拓?fù)鋺?yīng)用：電力電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，適合GaN晶體管。

強(qiáng)制函數(shù)概念：電流被視為強(qiáng)制函數(shù)，電壓變化是電流變化的效應(yīng)。

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互感和部分電感

電感概念：包括總電感、部分電感和互感，互感可正可負(fù)，影響總電感。

布局影響：PCB布局中的電流路徑和返回路徑的幾何關(guān)系決定互感大小。

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封裝電感

封裝電感值：直插式封裝電感相對(duì)固定，表面貼裝封裝電感取決于布局。

優(yōu)化布局：通過(guò)優(yōu)化電流返回路徑降低封裝電感。

6

頂部散熱式晶體管封裝

優(yōu)點(diǎn)：無(wú)需熱通孔，降低成本，允許獨(dú)立優(yōu)化電氣布局。

熱界面材料：用于連接散熱器和晶體管，提供熱路徑。

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功率回路布局選項(xiàng)

不同布局比較：包括TO-247封裝、表面貼裝TOLL布局等。

過(guò)電壓評(píng)估：通過(guò)估算不同布局下的過(guò)電壓，選擇合適的布局。

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柵極驅(qū)動(dòng)布局

柵極驅(qū)動(dòng)回路：低阻抗設(shè)計(jì)，避免振鈴、過(guò)沖等問(wèn)題。

布局挑戰(zhàn)：優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)布局與電源回路布局之間的權(quán)衡。

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驅(qū)動(dòng)法拉第屏蔽

屏蔽作用：減輕柵極驅(qū)動(dòng)電路與總線接地平面之間的共模電容影響。

實(shí)施方法：在PCB背面添加地平面，隔離柵極驅(qū)動(dòng)電路與總線接地電容。

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主要建議摘要

考慮電流流動(dòng)路徑：包括寄生元件和返回路徑。

優(yōu)化布局電感：利用薄電介質(zhì)PCB層，減少布局電感。

封裝與散熱：選擇頂部冷卻封裝，優(yōu)化電氣和熱路徑。

柵極驅(qū)動(dòng)布局：使用平面作為返回路徑，避免電容電流干擾。

保持開關(guān)節(jié)點(diǎn)緊湊：降低電容和輻射。

文件最后提供了參考文獻(xiàn)和修訂記錄，并強(qiáng)調(diào)了使用文件內(nèi)容時(shí)的注意事項(xiàng)和免責(zé)聲明。整體而言，該文件為使用HV CoolGaN功率晶體管的工程師提供了詳細(xì)的PCB布局優(yōu)化指南，旨在幫助他們實(shí)現(xiàn)最佳的整體電氣性能和熱性能。