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功率器件熱設計基礎(十一)——功率半導體器件的功率端子

英飛凌工業半導體 ? 2025-01-06 17:05 ? 次閱讀

/ 前言 /

功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。

功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識,相關標準和工程測量方法。

功率器件的輸出電流能力

器件的輸出電流能力首先是由芯片決定的,但是IGBT芯片的關斷電流能力很強,在單管里是標稱電流的3倍或4倍,模塊由于考慮多芯片并聯等因素,關斷電流能力定義為標稱電流的2倍。


在實際系統設計中,器件輸出電流能力往往受限于芯片的散熱,在器件設計中也有可能受限端子,這可以從封裝中的大電流規格器件中看出,其電流受綁定線(引線)的限制。

如IKQ150N65EH7,一個TO-247封裝的150A 650V單管,其集電極直流電流在Tc=25℃時和Tc=100℃一致,都是160A,限制是引線。

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摘自IKQ150N65EH7數據手冊

再看一個900A 1200V的EconoDUAL3模塊,其關斷電流能力可以到1800A。這樣如果芯片溫度不超過Tvjmax,輸出有效值電流是1289A,但受功率端子限制,ITRMS=580A。

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摘自FF900R12ME7_B11數據手冊

功率端子和引線損耗

功率端子的溫升取決于器件引線的損耗,現代逆變器設計必須考慮到IGBT模塊引線中的功率損耗。這是由于半導體芯片技術的進步,總損耗隨著電流密度的增加而不斷降低,相同封裝可以放電流規格更大的芯片,端子損耗就必須考慮。

模塊引線電阻,即端子到芯片的電阻值RCC’+EE’,會造成的損耗,其在數據手冊中標出,對于中大功率模塊是個不小的數值。

EconoDUAL3 FF900R12ME7模塊引線電阻,端子到芯片的電阻值0.8mΩ,900A時壓降0.72V,在900A時,功耗高達648W,這是不能接受的,所以在數據手冊中規定的端子的輸出電流ITRMS=580A,這時損耗大約在250W。

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FF900R12ME7電流和引線損耗

如果選擇PrimePACK封裝,其最大規格做到了2400A半橋,這樣的模塊引線電阻小很多,原因是端子采用銅排結構。FF900R12IE4,900A 1200V模塊端子到芯片的電阻值0.3mΩ,900A時壓降0.27V,功耗僅243W,只有EconoDUAL3 FF900R12ME7的38%。

功率端子的散熱

功率端子和引線的功率損耗不可小覷,散熱是必要的。

功率端子的熱模型如下圖,熱量從溫度為Tmax的系統最熱點出發,其有兩條散熱路徑,一是通過功率端子到母排向空間散熱,路徑上熱阻有RthTB功率端子到母排的熱阻,RthBA母排到環境的熱阻。二是通過DCB、金屬基板到散熱器的,路徑上熱阻有RthSC功率端子到管殼的熱阻,由功率端子的幾何形狀、連接技術和與DCB絕緣陶瓷襯底決定,RthCH管殼到散熱器的熱阻,由導熱脂和金屬基板熱量擴散決定。

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圖1.功率端子的熱流

案例分析

模塊的功率端子:

對于大電流的模塊,降低功率端子的損耗也是設計的重要目標,而且比降低芯片損耗要相對容易。以英飛凌最大電流規格的模塊為例,它們是3600A 1700V,IHM A封裝(圖2左)和IHM B(圖2右)的IGBT模塊。

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圖2.兩種不同的功率端子

它們在功率端子設計上的區別為,IHM A的端子通過焊點與DCB連接,并在主平面上有一個用于機械去耦外力的緩沖。改進后的IHM B中取消了蜿蜒曲折緩沖結構的設計,引入了用于機械解耦的彎曲設計。這將降低端子電阻,從而減小溫度梯度。此外,通過增加端子與DCB之間的接觸面降低RthSC。

另一個不同之處是安裝孔,IHM A安裝孔是腰圓孔,而IHM B由于端子精度高,可以直接用圓孔,為母線提供了更大的接觸面。功率端子的電阻從0.22mΩ降低了0.11mΩ,損耗占比從5.8%降到了2.9%。熱阻RthSC從0.35K/W降低到了0.07K/W,Tmax從105°C降至94°C(1。圖2也顯示了在相同條件下兩種設計的溫度分布。

從端子到散熱器和母排的熱流

在應用中,損耗熱量PT在模塊電源端子中產生,損耗熱量PB在母排中產生。熱流如圖1所示。功率端子的損耗熱流PTH通過RthSC和RthCH從溫度為TS的端子流向溫度為TH的散熱器。母排的損耗熱量PBA從溫度為TB的母線流向溫度為TA的環境空氣,熱阻為RthBA。

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關鍵在于,總損耗熱量PTB也會通過熱阻RthTB在端子和母線之間進行交換,這取決于母線連接的質量。

下圖是HE3模塊端子在特定母排下的測得熱阻進行得分析,為了使計算線性化,假定電阻和所有熱阻與溫度無關。條件是I=440A和TH=80°C,環境溫度TA變化。

不出所料,系統中最熱的點是功率端子,TA=70°C時溫度升至TT=132°C。母排達TB=102°C。(案例省略了實驗的配置,數值只供定性參考)

在室溫下,大部分熱量會通過母排散發到環境空氣中,但當環境空氣的溫度達到散熱器的溫度時,母排就不再有散熱作用了。

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本文利用數據手冊上的值分析的功率端子和引線的損耗,無論是單管還是模塊在大電流下損耗和發熱不能小覷。

在系統設計中,母排也是很好的散熱通路,文章中只對某個實驗做了解讀,只能做定性參考。

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