精細(xì)調(diào)控離子流

在微納米尺度的加工技術(shù)中，實(shí)現(xiàn)離子流的亞微米乃至納米級(jí)聚焦是一項(xiàng)至關(guān)重要的工藝。借助于精密的偏轉(zhuǎn)和加速機(jī)制，離子流能夠進(jìn)行精確的掃描運(yùn)動(dòng)，完成微納米級(jí)圖形的檢測(cè)與分析，以及無(wú)需掩模的微納米結(jié)構(gòu)加工。液態(tài)金屬鎵因其卓越的物理特性，常被選作理想的離子源材料。

技術(shù)應(yīng)用的多樣性

聚焦離子束技術(shù)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出其廣泛的應(yīng)用潛力，如修復(fù)掩模板、調(diào)整電路、分析失效原因、制備透射電子顯微鏡樣本以及直接書(shū)寫三維結(jié)構(gòu)等。這些應(yīng)用證明了聚焦離子束技術(shù)在微納米加工中的高效性和靈活性。

系統(tǒng)的構(gòu)成要素

一個(gè)完整的聚焦離子束系統(tǒng)由多個(gè)關(guān)鍵部件組成：離子源、電子透鏡、掃描電極、二次粒子探測(cè)器、多軸多向移動(dòng)樣品臺(tái)和真空系統(tǒng)。這些部件的協(xié)同作用使得離子流能夠像掃描電子顯微鏡那樣在樣品表面進(jìn)行掃描，并捕獲由此產(chǎn)生的二次電子或離子信號(hào)，生成樣品表面的詳細(xì)形貌圖。

圖像信息的深度解析

相較于掃描電子顯微鏡，聚焦離子束技術(shù)激發(fā)的二次電子信號(hào)不僅反映了樣品的表面形貌，還與樣品的晶體學(xué)取向和原子質(zhì)量密切相關(guān)。這使得聚焦離子束技術(shù)能夠提供比掃描電子顯微鏡更為詳盡的圖像信息。此外，聚焦離子束技術(shù)還能分析薄膜材料的層厚，并進(jìn)行成分分析，結(jié)合能量色散光譜技術(shù)，甚至能夠?qū)崿F(xiàn)三維成分分析。

刻蝕與切割：技術(shù)的核心應(yīng)用

聚焦離子束技術(shù)的核心應(yīng)用之一是刻蝕和切割。通過(guò)精確控制離子流的掃描路徑和區(qū)域，可以按照預(yù)設(shè)圖案刻蝕出設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)。在刻蝕過(guò)程中，大部分濺射出的顆粒被真空系統(tǒng)抽離，但仍有部分顆粒會(huì)在刻蝕區(qū)域附近重新沉積，這種現(xiàn)象稱為再沉積，它可能會(huì)對(duì)鄰近結(jié)構(gòu)造成影響。因此，在刻蝕多個(gè)相鄰結(jié)構(gòu)時(shí)，通常采用并行模式以減少再沉積效應(yīng)。

加工缺陷及其對(duì)策

在聚焦離子束技術(shù)加工微納米結(jié)構(gòu)的過(guò)程中，可能會(huì)遇到一些特定的加工缺陷，如側(cè)壁傾斜、窗簾效應(yīng)和非均勻刻蝕。

1.側(cè)壁傾斜

由于離子流的高斯分布特性，直接聚焦的離子流會(huì)在樣品上形成錐形截面。為了獲得垂直于樣品表面的截面，可以通過(guò)傾斜樣品或采用側(cè)向入射切割技術(shù)來(lái)調(diào)整截面與表面的角度。

2.窗簾效應(yīng)

在聚焦離子束加工的樣品截面上，可能會(huì)出現(xiàn)豎直條紋，這種現(xiàn)象被稱為窗簾效應(yīng)。這通常與側(cè)壁傾斜有關(guān)，可以通過(guò)在樣品表面沉積保護(hù)層或改變離子流的入射方向來(lái)減少窗簾效應(yīng)。

3.非均勻刻蝕

對(duì)于多晶和多元化合物材料，由于晶粒取向的差異，刻蝕速率也會(huì)有所不同，導(dǎo)致底面不平整。通過(guò)增加離子流在每點(diǎn)的停留時(shí)間，可以改善這種非均勻性加工缺陷。

聚焦離子束輔助沉積技術(shù)

聚焦離子束輔助沉積技術(shù)利用高能離子流誘導(dǎo)特定區(qū)域發(fā)生化學(xué)氣相沉積反應(yīng)。這種技術(shù)結(jié)合了刻蝕和沉積過(guò)程，能夠提高刻蝕速率，減少再沉積，并提升深寬比的極限。

刻蝕工藝的關(guān)鍵參數(shù)

在微電子工藝中，刻蝕工藝的質(zhì)量與效率由多個(gè)參數(shù)決定，包括刻蝕速率、抗刻蝕比、各向異性度、深寬比、粗糙度、關(guān)鍵尺寸、最小特征線寬、均勻性和可重復(fù)性等。

離子束刻蝕的挑戰(zhàn)與創(chuàng)新

離子束刻蝕作為一種純物理過(guò)程，適用于所有材料，但由于掩模與襯底之間的選擇比限制，難以實(shí)現(xiàn)深度刻蝕。為了解決這些問(wèn)題，引入了化學(xué)反應(yīng)機(jī)制，如反應(yīng)離子刻蝕和化學(xué)輔助離子束刻蝕，這些技術(shù)結(jié)合了離子轟擊與化學(xué)反應(yīng)，顯著提高了刻蝕速度和選擇比，使得高深寬比圖形刻蝕成為現(xiàn)實(shí)。

聚焦離子束技術(shù)以其卓越的精度和多功能性，在微納米加工領(lǐng)域扮演著越來(lái)越重要的角色。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和創(chuàng)新，預(yù)計(jì)這一技術(shù)將在未來(lái)的科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用中發(fā)揮更加關(guān)鍵的作用。