佳恩半導體IGBT項目科技成果達到國際先進水平
日前，中科知慧(北京)科技成果評價有限公司組織專家，對青島佳恩半導體有限公司完成的“IGBT1200V40A 芯片的研究與應用”項目科技成果進行了評審。專家組審閱了相關資料評價認為，該成果技術在該領域達到國際先進水平。
該項目突破了1.6μm槽柵微場截止技術、110μm超薄芯片技術等難點，優化了IGBT正面MOS結構，并采用無機非金屬材料作為IGBT背面電極，顯著提升了芯片的耐壓能力、電流承載能力和開關速度，同時降低了導通電阻和開關損耗。
技術亮點
1、簡化了IGBT制造工藝，采用低阻N+(100)硅拋光片作為村底，通過6層光刻板技術省去了源區光刻工藝，有效降低了制造成本。
2、對IGBT正面深溝槽刻蝕及溝槽櫥氧化工藝進行了優化改進，改善了溝懵硅形貌問題，提高了產品可靠性及良品率，并通過縮小了元胞尺寸，提升了電流密度。
3、IGBT背面使用鎳酸鑭透明氧化物制作導電緩沖層，通過高溫燕發工藝提升了加工效率和良品率，降低了電流擴散層厚度和生產成本。
該項目擁有多項自主知識產權，產生了良好的經濟效益和社會效益具有廣闊的推廣應用前景。這是團隊共同努力的結晶，也是我們在半導體領域不斷追求卓越的又一里程碑。讓我們繼續攜手并進，開創更加輝煌的未來！
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原文標題：熱烈祝賀佳恩半導體IGBT項目—科技成果獲評“國際先進水平”
文章出處：【微信號：JNsemi，微信公眾號：青島佳恩半導體有限公司】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
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