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HFG610-65 數據手冊和產品介紹 具有集成 GaN HEMT 的高頻準諧振反激式穩壓器

eeDesigner ? 2025-01-09 15:23 ? 次閱讀
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HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的準諧振 (QR) 反激式穩壓器,專用于高性能和高頻設計。與傳統QR 反激式穩壓器不同,HFG610-65 中的頻率折返功能可確保全負載范圍內的高效率。
*附件:HFG610GQN-65數據手冊.pdf

HFG610-65 是一款基于副邊調節 (SSR) 的原邊調節器,它必須與副邊反饋電路(例如 TL431
光耦合器)配合使用。其高頻率縮小了無源元件的尺寸并實現了更高的功率密度。HFG610-65 還集成了高壓啟動和 X電容放電電路,并在突發模式下具有超低靜態電流 (I Q ),因此空載功耗低于 30mW。
qfn_25_7_7_hfg610-65_main_camera.png

該器件采用專有谷值鎖定技術,可抑制運行過程中的谷值跳躍,因此可避免噪聲的產生。它還具有寬VCC電壓(V CC )范圍,因此適用于具有寬輸出電壓(V OUT )范圍的應用,而且無需添加輔助繞組。

HFG610-65 具有先進的保護功能,包括原邊采樣輸出過壓保護 (ZCD OVP)、原邊采樣輸出欠壓保護 (ZCD UVP)、VCC
過壓保護 (VCC OVP)、輸出過載保護 (OLP) 、內部欠壓保護和開啟 (B/O和B/I)、短路保護 (SCP)、電流采樣開路/短路保護
(CSOP/SSP)、內部過溫關斷 (OTP)保護和欠壓鎖定(UVLO)保護。

HFG610-65 采用 QFN-25 (7mmx7mm) 封裝。
hfg610-65_tac.jpg

產品特性和優勢

  • 集成 700V/165mΩ GaN HEMT
  • 創新專有準諧振 (QR) 控制,可消除可聞噪聲
  • 頻率折返功能和突發模式可實現低輕載功耗
  • 超寬 VCC 電壓 (V CC ) 范圍,適用于 USB 供電 (PD) 應用
  • 內置 X 電容放電器
  • 內置高壓啟動電路
  • 采用 PD 協議 IC ,具有超低待機功耗 (<30mW)
  • 峰值電流模式控制和前沿消隱
  • 欠壓鎖定 (UVLO)保護
  • VCC 過壓保護 (OVP)
  • 電流檢測 (ZCD) 過壓保護 (OVP) 和欠壓保護 (UVP)
  • 過載保護(OLP)
  • 內部欠壓保護與啟動 (B/O和B/I)
  • 短路保護 (SCP)
  • 電流采樣開路/短路保護 (CSOP/SSP)
  • 過溫保護 (OTP)
  • 采用 QFN-25 (7mmx7mm) 封裝

審核編輯 黃宇

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