一、“溫漂” 現象的本質剖析

測量探頭的 “溫漂”，指的是由于環境溫度變化或探頭自身在工作過程中的發熱，導致探頭的物理特性發生改變，進而使其測量精度出現偏差的現象。從原理上看，多數測量探頭基于電學或光學原理工作，例如電學探頭利用電信號的變化反映測量目標的參數，而溫度的波動會影響電子元件的導電性、電容值等關鍵性能指標；光學探頭的光路系統受溫度影響，玻璃鏡片的折射率、光學元件的熱膨脹等因素都會使光線傳播路徑與預期產生偏差。這些細微變化累積起來，在對精度要求極高的晶圓厚度測量場景中，足以引發顯著誤差。

二、對測量精度的直接侵蝕

在晶圓厚度測量中，哪怕是極其微小的溫漂都可能造成嚴重后果。以常見的高精度電容式測量探頭為例，當環境溫度升高 1℃，其電容極板間的介電常數、極板間距等參數可能發生納米級別的改變，根據電容與距離的反比關系，這將直接反映在測量電信號的波動上，換算到晶圓厚度測量值，誤差可達數納米至數十納米。對于如今先進制程下的晶圓，厚度公差往往控制在幾十納米甚至更窄范圍，如此量級的溫漂誤差，很容易將合格晶圓誤判為次品，或者反之，使有厚度缺陷的晶圓流入下一道工序，極大影響芯片良品率。

三、穩定性挑戰與重復性難題

除了精度受損，溫漂還給測量穩定性和重復性帶來巨大挑戰。由于半導體制造車間難以維持絕對恒溫環境，一天之中車間溫度隨設備運行、人員流動、外界氣候等因素會有一定起伏，這使得測量探頭持續處于溫漂風險下。在連續測量同一片晶圓不同位置厚度，或者對同一批次晶圓進行批量檢測時，若探頭溫漂未得到有效補償，測量結果會出現毫無規律的波動。例如，上午測量的晶圓厚度數據相對穩定，到了下午，隨著車間溫度上升，溫漂加劇，測量值可能整體偏移，標準差增大，重復性精度大幅下降，導致工程師無法依據測量數據精準判斷晶圓厚度一致性，給工藝優化和質量管控造成極大困擾。

四、長期可靠性隱患

從長期運行角度考量，溫漂對測量探頭自身壽命及整個測量系統的可靠性存在潛在威脅。頻繁的溫度變化引發探頭材料的熱脹冷縮，加速內部機械結構磨損、電子元件老化，久而久之，不僅溫漂問題愈發嚴重，探頭還可能出現故障、性能衰退，增加設備維護成本與停機時間。而且，若基于溫漂狀態下不準確的測量數據持續調整晶圓加工工藝參數，會使整個半導體制造流程偏離最佳狀態，引發諸如晶圓蝕刻不均勻、薄膜沉積厚度失控等一系列連鎖反應，最終影響芯片電學性能、可靠性等核心指標，降低產品競爭力。

五、應對 “溫漂” 的策略探索

為攻克這一難題，半導體行業從多方面發力。在硬件層面，研發新型低膨脹系數、溫度穩定性高的探頭材料，如特種陶瓷、石英玻璃混合材質，從根源降低溫漂敏感度；優化探頭內部結構設計，采用熱隔離、溫控補償腔室等，減少外界溫度干擾。軟件算法上，借助實時溫度傳感器監測環境溫度，配合智能算法動態校準測量值，依據溫度變化曲線提前預估溫漂量并修正；建立溫度 - 測量誤差數據庫，通過大數據分析實現精準補償。此外，在車間管理方面，加強恒溫恒濕環境控制系統建設，嚴格控制溫度波動范圍，為高精度晶圓厚度測量創造穩定條件。

綜上所述，測量探頭的 “溫漂” 問題雖隱蔽卻對晶圓厚度測量有著廣泛而深刻的實際影響，從短期測量精度到長期工藝可靠性，貫穿半導體制造全過程。只有通過材料創新、算法優化、環境管控等多管齊下，才能有效馴服這只 “精度殺手”，確保晶圓厚度測量精準無誤，為蓬勃發展的半導體產業筑牢根基。

六、高通量晶圓測厚系統

高通量晶圓測厚系統以光學相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等這類技術指標。

高通量晶圓測厚系統，全新采用的第三代可調諧掃頻激光技術，相比傳統上下雙探頭對射掃描方式；可一次性測量所有平面度及厚度參數。

1，靈活適用更復雜的材料，從輕摻到重摻 P 型硅 (P++)，碳化硅，藍寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重摻型硅（強吸收晶圓的前后表面探測）

粗糙的晶圓表面，（點掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測方案，不易受到光譜中相鄰單位的串擾噪聲影響，因而對測量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過對偏振效應的補償，加強對低反射晶圓表面測量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時測量多 層 結 構，厚 度 可 從μm級到數百μm 級不等。

可用于測量各類薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可達1nm。

2，可調諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現在極端工作環境中抗干擾能力強，充分提高重復性測量能力。

4，采用第三代高速掃頻可調諧激光器，一改過去傳統SLD寬頻低相干光源的干涉模式，解決了由于相干長度短，而重度依賴“主動式減震平臺”的情況。卓越的抗干擾，實現小型化設計，同時也可兼容匹配EFEM系統實現產線自動化集成測量。

3，靈活的運動控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。