近日，瑞薩電子公司宣布推出新型 100V 高功率 N 溝道 MOSFET。這款產(chǎn)品專(zhuān)為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，以其卓越的高電流開(kāi)關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場(chǎng)焦點(diǎn)。

新型 MOSFET 的核心亮點(diǎn)在于采用了瑞薩電子創(chuàng)新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項(xiàng)技術(shù)有效降低了MOSFET的導(dǎo)通電阻(Rdson)高達(dá)30%，從而顯著減少了功率損耗，為客戶(hù)設(shè)計(jì)帶來(lái)更多效率優(yōu)勢(shì)。導(dǎo)通電阻的降低對(duì)于高功率設(shè)備尤為關(guān)鍵，能夠減少熱量積累，提升系統(tǒng)運(yùn)行的可靠性和壽命。

除了導(dǎo)通電阻的優(yōu)化，REXFET-1 技術(shù)還在其他關(guān)鍵參數(shù)上表現(xiàn)卓越。例如，其設(shè)計(jì)將 Qg(向柵極提供電壓所需的總電荷)降低了10%，并將 Qgd(米勒效應(yīng)階段注入柵極所需的電荷)減少了40%。這些改進(jìn)不僅提高了MOSFET的開(kāi)關(guān)效率，還進(jìn)一步降低了能源損耗，為電力電子設(shè)計(jì)提供了更大的靈活性。

除了性能上的提升，這款新型 MOSFET 還以其小型化的封裝設(shè)計(jì)帶來(lái)更多優(yōu)勢(shì)。瑞薩推出了兩種型號(hào)，分別為 RBA300N10EANS 和 RBA300N10EHPF，分別采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 TOLL 和 TOLG 封裝。這些封裝方案與其他制造商的器件引腳兼容，并且比傳統(tǒng)的 TO-263 封裝體積小了50%，為設(shè)備的小型化設(shè)計(jì)提供了更多可能性。

為充分釋放新型 MOSFET 的潛力，瑞薩電子還將其與公司產(chǎn)品組合中的多種兼容器件集成，推出了一系列完整的解決方案。例如，在電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域，瑞薩提供針對(duì)48V移動(dòng)平臺(tái)和三合一電動(dòng)汽車(chē)單元的整合方案，包括逆變器、車(chē)載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器。這些解決方案不僅能提升系統(tǒng)的整體效率，還能縮短開(kāi)發(fā)周期，為客戶(hù)提供更高價(jià)值的選擇。

瑞薩電子此次推出的新型 MOSFET 無(wú)疑將為行業(yè)樹(shù)立新的技術(shù)標(biāo)桿。其通過(guò)創(chuàng)新的制造工藝和優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)，為客戶(hù)帶來(lái)更高效、更靈活的解決方案，并助力實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排目標(biāo)。未來(lái)，瑞薩電子將繼續(xù)致力于推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為全球市場(chǎng)提供更多先進(jìn)產(chǎn)品和整合解決方案。

浮思特科技深耕功率器件領(lǐng)域，為客戶(hù)提供IGBT、IPM模塊等功率器件以及單片機(jī)(MCU)、觸摸芯片，是一家擁有核心技術(shù)的電子元器件供應(yīng)商和解決方案商。