文章來(lái)源：學(xué)習(xí)那些事

原文作者：趙先生

本文主要介紹MOS管及本征增益

MOS,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文名稱(chēng)的縮寫(xiě)，是一種獨(dú)特的半導(dǎo)體器件，它通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路的電流，這一特性使其得名。該器件主要依賴(lài)半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子進(jìn)行導(dǎo)電，因此也被歸類(lèi)為單極型晶體管。在場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的廣泛分類(lèi)中，除了MOS管，還有諸如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)、無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JLFET)以及量子阱場(chǎng)效應(yīng)晶體管(QWFET)等多種類(lèi)型。在這些類(lèi)型中，MOS管因其諸多優(yōu)點(diǎn)，如高輸入電阻、低功耗、低噪聲以及易于集成等，成為了最為常用的選擇，廣泛應(yīng)用于模擬電路與數(shù)字電路中，并在市場(chǎng)上占據(jù)了絕對(duì)的主導(dǎo)地位，遠(yuǎn)超雙極型晶體管(BJT)。

MOS管進(jìn)一步細(xì)分為NMOS(N溝道型)和PMOS(P溝道型)兩種，它們都屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。當(dāng)NMOS和PMOS被巧妙地組合在一起時(shí)，就構(gòu)成了我們常說(shuō)的CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)器件。NMOS的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)精巧，包含了三個(gè)關(guān)鍵的電極：源極(Source, S)、柵極(Gate, G)和漏極(Drain, D)，如下圖所示，這三個(gè)電極的功能可以分別與雙極型晶體管的發(fā)射極、基極和集電極相對(duì)應(yīng)。

NMOS結(jié)構(gòu)示意圖

如下圖所示，在NMOS的工作過(guò)程中，如果柵極沒(méi)有施加電壓，那么源區(qū)和漏區(qū)之間就會(huì)因?yàn)槿狈?dǎo)電溝道而無(wú)法形成電流。然而，當(dāng)柵極被施加一個(gè)足夠大的正電壓時(shí)，這個(gè)電壓就會(huì)像磁石一樣吸引P型襯底中的少數(shù)載流子——電子，使它們聚集在柵極和襯底的交界處。隨著電子的聚集，襯底表面就會(huì)形成一個(gè)布滿(mǎn)電子的反型層，這個(gè)反型層實(shí)際上是將原來(lái)的P型區(qū)域反轉(zhuǎn)成了N型區(qū)域，從而為電流提供了一個(gè)暢通的通道，使得源區(qū)的電子能夠順利地流向漏區(qū)，形成電流。這個(gè)過(guò)程展示了MOS管作為電壓控制器件的本質(zhì)，即通過(guò)柵電壓來(lái)精確地調(diào)控源極和漏極之間的電流。這個(gè)反型層構(gòu)建了一個(gè)高效的電子傳輸路徑，使得源區(qū)的電子能夠持續(xù)不斷地流向漏區(qū)，進(jìn)而形成電流。因此，MOS管實(shí)質(zhì)上是一種電壓控制器件，其核心在于通過(guò)柵電壓來(lái)精確調(diào)控源極與漏極之間的電流大小。我們將開(kāi)啟場(chǎng)效應(yīng)管所必需的最小柵極電壓定義為閾值電壓。柵極在此扮演了一個(gè)開(kāi)關(guān)的角色：當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓或柵極電壓被移除時(shí)，它處于關(guān)閉狀態(tài)，阻止了源漏間電流的通過(guò);而當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí)，它則打開(kāi)通道，允許源漏間的電流自由流通。

NMOS的電學(xué)性能

接下來(lái)，我們概述一套典型的NMOS管制備工藝流程。首先，通過(guò)外延生長(zhǎng)在硅襯底上形成一層外延層，這一步驟旨在獲取低氧含量的硅單晶，它構(gòu)成了MOS管中的半導(dǎo)體部分(S)然后利用氧化、光刻及刻蝕技術(shù)制備場(chǎng)氧化物，其作用是隔離不同的MOS管，防止它們之間的電氣干擾。接下來(lái)通過(guò)氧化工藝生成柵氧化物層，這是MOS管中的氧化物部分(O)。下一步是沉積多晶硅材料，并通過(guò)光刻和刻蝕工藝形成多晶硅柵極，盡管多晶硅并非傳統(tǒng)意義上的金屬，但經(jīng)過(guò)摻雜后其導(dǎo)電性能良好，且適合集成電路工藝，因此取代了早期的金屬鋁材料。隨后進(jìn)入源區(qū)和漏區(qū)的制作階段，先通過(guò)光刻工藝開(kāi)窗，再進(jìn)行磷離子的注入，并進(jìn)行退火處理以鞏固結(jié)構(gòu)。緊接著沉積一層磷硅酸鹽玻璃(PSG)作為介質(zhì)層，通過(guò)沉積和回流工藝使其表面平整，為后續(xù)的光刻步驟打下良好基礎(chǔ)。而后，對(duì)PSG進(jìn)行光刻和刻蝕處理，以形成所需的圖案。接著，沉積鋁硅合金作為金屬連線(xiàn)材料，并通過(guò)光刻和刻蝕工藝制備出金屬連線(xiàn)。最后，沉積一層氮化硅作為鈍化保護(hù)層，為整個(gè)器件提供額外的保護(hù)和穩(wěn)定性。

MOS管的本征增益

在共源極放大器配置下，晶體管所能展現(xiàn)的最大低頻小信號(hào)增益，被定義為MOS管的本征增益，本征增益可表示為

詳細(xì)推導(dǎo)過(guò)程此處略去不述。根據(jù)該式，MOS管的本征增益與過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓及溝長(zhǎng)調(diào)制系數(shù)λ成反比關(guān)系。由于λ與MOS管的溝道長(zhǎng)度L成反比，因此，本征增益會(huì)隨著L的增大而提升。理論上，減小過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓和增大L均可提升MOS管的本征增益。然而，這兩個(gè)操作都會(huì)減緩MOS管的工作速度。因此，在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中，我們需要在增益與速度之間做出權(quán)衡。這種增益與速度的平衡考量，始終是模擬集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的核心議題。值得注意的是，由下面的式子可知

MOS管的本征增益在設(shè)計(jì)跨導(dǎo)效率時(shí)，對(duì)過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓的選擇原則與本征增益相似，但本征增益還額外受到溝道長(zhǎng)度的影響。隨著MOS器件特征尺寸的持續(xù)縮減，其本征增益呈現(xiàn)下降趨勢(shì)，這對(duì)我們的設(shè)計(jì)構(gòu)成了日益嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。

此外，我們還需警惕，過(guò)低的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓可能使MOS管進(jìn)入亞閾值區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)MOS管的工作特性與飽和區(qū)大相徑庭，很多相關(guān)公式和理論將不再適用。