高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V

JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7芯片，帶熱敏電阻（NTC）和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。

此款I(lǐng)GBT模塊推薦用于有源電力濾波器（Active Power Filter，簡稱APF）及其他三電平應(yīng)用。APF可廣泛應(yīng)用于工業(yè)、商業(yè)和機關(guān)團體的配電網(wǎng)中，如：電力系統(tǒng)、電解電鍍企業(yè)、水處理設(shè)備、石化企業(yè)、大型商場及辦公大樓、精密電子企業(yè)、機場港口的供電系統(tǒng)、醫(yī)療機構(gòu)等。

產(chǎn)品系列：

● JL3I200V65RE2PN

● JL3I150V65RE2PN

● JL3I100V65RE2PN

產(chǎn)品特點

優(yōu)異的導(dǎo)通和開關(guān)損耗

同類最佳封裝，優(yōu)化外殼結(jié)構(gòu)，更長的爬電距離

采用ZTA基板，更低的結(jié)殼熱阻，更強的可靠性

模塊雜散電感極低

優(yōu)化接線端子，在大電流下更低的端子溫升

可選PressFIT針腳和焊接針

應(yīng)用價值

出色的模塊效率

提高功率密度

系統(tǒng)成本更具優(yōu)勢

提高系統(tǒng)效率

緊湊型設(shè)計

競爭優(yōu)勢

● 相同封裝拓撲下，最大電流能力能達到200A，同時相應(yīng)的FRD為滿配，最大電流能力也能達到200A，使應(yīng)用端更具產(chǎn)品優(yōu)勢。

流滿配，更適合儲能應(yīng)用。

●新芯片技術(shù)可降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，從而提高效率。

應(yīng)用領(lǐng)域

●SVG

● APF

● 其他三電平應(yīng)用

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金蘭功率半導(dǎo)體（無錫）有限公司成立于2021年，系無錫新潔能股份有限公司（股票代碼：605111）子公司，致力于功率半導(dǎo)體模塊的研發(fā)與制造，應(yīng)用市場覆蓋汽車、光伏及工業(yè)等領(lǐng)域。

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