TPD4E001-Q1 器件是一款低電容 TVS 二極管陣列，設(shè)計(jì)用于在連接到通信線路的敏感電子設(shè)備中提供 ESD 保護(hù)。每個(gè)通道由一對(duì)瞬態(tài)電壓抑制二極管組成，用于將 ESD 脈沖引導(dǎo)至 V抄送或 GND 的 S 。TPD4E001-Q1 可防止高達(dá) ±8 kV 接觸放電和 ±15 kV 氣隙放電的 ESD 事件，如 IEC 61000-4-2 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定。該器件具有每通道 1.5pF 的低電容，非常適合用于高速數(shù)據(jù)接口。低漏電流（最大 10 nA）可確保系統(tǒng)的最小功耗和模擬接口的高精度。
*附件：TPD4E001-Q1 具有 1.5 pF I、O 電容的 4 通道 ESD 保護(hù)陣列數(shù)據(jù)表.pdf

此外，該器件還非常適合保護(hù)使用 USB 2.0、以太網(wǎng)或精密模擬接口的汽車音響主機(jī)、汽車后座娛樂系統(tǒng)以及汽車后置攝像頭系統(tǒng)。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下：
  • 器件溫度等級(jí) 1：-40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類等級(jí) 3B
  • HBM 等級(jí) 15 kV
  • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C5
• IEC 61000-4-2 4 級(jí) ESD 保護(hù)
  • ±8kV 接觸放電
  • ±15 kV 氣隙放電
• IEC 61000-4-5 浪涌保護(hù)
  • 5.5 安 （8/20 微秒）
• 1.5pF 低輸入電容
• 10nA 最大漏電流
• 0.9V 至 5.5V 電源電壓范圍

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：TPD4E001-Q1
• ?功能?：4通道ESD保護(hù)陣列，具有1.5 pF I/O電容，專為高速數(shù)據(jù)接口和敏感電子設(shè)備提供ESD保護(hù)。
• ?應(yīng)用領(lǐng)域?：適用于汽車頭單元、后座娛樂系統(tǒng)、后視攝像頭系統(tǒng)，以及USB 2.0、以太網(wǎng)和精密模擬接口。

2. 主要特性

• ?低電容?：每通道1.5 pF，支持高速信號(hào)傳輸（超過1 Gbps）。
• ?低泄漏電流?：最大10 nA，確保系統(tǒng)低功耗和高精度模擬接口。
• ?高ESD保護(hù)等級(jí)?：
  • HBM（人體模型）：±15 kV
  • CDM（充電器件模型）：±750 V（AEC標(biāo)準(zhǔn)），C5等級(jí)
  • IEC 61000-4-2：±8 kV接觸放電，±15 kV空氣間隙放電
  • ISO 10605：±8 kV接觸放電，±15 kV空氣間隙放電
• ?寬電源電壓范圍?：0.9 V至5.5 V
• ?高浪涌保護(hù)?：符合IEC 61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，至少5.5 A（8/20 μs）峰值脈沖電流

3. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：SOT-23（6引腳）
• ?尺寸?：2.90 mm × 1.60 mm

4. 電氣特性

• ?供電電流?：典型值1 μA，最大值200 nA
• ?二極管正向電壓?：IF = 10 mA時(shí)，0.65 V至0.95 V
• ?擊穿電壓?：IBR = 10 mA時(shí)，11 V
• ?箝位電壓?：在IO引腳上的浪涌打擊時(shí)，VCC = 5.5 V，IPP = 5.5 A，正瞬態(tài)16 V
• ?反向截止電壓?：IO引腳到GND引腳，5.5 V

5. 熱特性

• ?熱阻?：
  • θJA（結(jié)到環(huán)境）：202.1 °C/W
  • θJC（結(jié)到殼頂）：146.2 °C/W
  • θJB（結(jié)到板）：47.1 °C/W

6. 應(yīng)用信息

• ?連接方式?：每個(gè)通道由一對(duì)瞬態(tài)電壓抑制二極管組成，將ESD脈沖導(dǎo)向VCC或GND。
• ?VCC引腳用法?：
  • 可連接到系統(tǒng)電源，作為信號(hào)擺動(dòng)超過VCC + VF時(shí)的瞬態(tài)抑制器。
  • 若不連接系統(tǒng)電源，可容忍高達(dá)10 V的信號(hào)擺動(dòng)。

7. 布局指南

• ?推薦布局?：將TPD4E001-Q1靠近連接器放置，以在ESD打擊之前吸收能量。
• ?電容放置?：在VCC引腳旁放置0.1 μF電容器，以限制IO引腳在ESD打擊期間的瞬時(shí)電壓涌動(dòng)。
• ?金屬化?：確保VCC和GND環(huán)路有足夠的金屬化，以安全放電ESD打擊期間的能量。