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飛虹MOS管FHP1404V的參數(shù)性能

廣州飛虹半導(dǎo)體 ? 來源:廣州飛虹半導(dǎo)體 ? 2025-03-01 11:30 ? 次閱讀

針對12V輸入電路的產(chǎn)品電路設(shè)計(jì),需要有更高的電壓安全系數(shù)。這一款2025年新推出到市場的國產(chǎn)MOS管以BVDSS_typ=55V的參數(shù)性能幫助解決上述問題。

它的創(chuàng)新性設(shè)計(jì)是基于已有成熟的產(chǎn)品體系而來的,可以穩(wěn)定且可靠的應(yīng)用于各種12V輸入的逆變器、12V輸入的音響電源中。

它就是飛虹半導(dǎo)體首發(fā)新品FHP1404V型號MOS管,正是擁有上述特點(diǎn),而且還擁有極低導(dǎo)通電阻,讓其可以無縫代換CS1404、IRF1404PbF、HY4004、FTP1404型號場效應(yīng)管。

FHP1404V作為N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管,它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),降低了導(dǎo)通損耗,提高了開關(guān)性能,提高了雪崩能量。

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該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路,產(chǎn)品外形是TO-220封裝,符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn),在環(huán)保上符合RoHS和REACH標(biāo)準(zhǔn)、無鹵環(huán)保。

下述將圍繞FHP1404V場效應(yīng)管的產(chǎn)品特點(diǎn)、友商參數(shù)對比、推薦應(yīng)用范圍、部分典型特性曲線來介紹:

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一、產(chǎn)品特點(diǎn)

(1)100% Rg測試。

(2)100% EAS測試。

(3)100% DVDS瞬間熱阻測試。

(4)采用細(xì)化分檔Vth,進(jìn)一步提高了產(chǎn)品的一致性高。

(5)通過采用特色的trench工藝,結(jié)合優(yōu)秀的封裝BOM材料和生產(chǎn)管控,產(chǎn)品滿足工業(yè)級需求。

(6)擁有極低的導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on),F(xiàn)HP1404V的導(dǎo)通內(nèi)阻典型值相比IRF1404PbF的低44%。導(dǎo)通損耗低。

(7)雪崩耐量高,抗沖擊性能強(qiáng)。

(8)FHP1404V擁有更高的電壓余量,BVDSS_typ=55V,應(yīng)對12V輸入電壓系統(tǒng),電壓安全系數(shù)更高。

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二、友商參數(shù)對比

(1)與HY4004相比擁有更低的導(dǎo)通內(nèi)阻,降低了導(dǎo)通損耗,同時(shí)提高了品質(zhì)因數(shù)FOM(RDSON*Qg),性能更優(yōu)。

(2)與IRF1404PbF相比,降低了導(dǎo)通損耗,柵極電荷更?。?60nC vs 210nC),開關(guān)速度更快,可提供更高性價(jià)比的國產(chǎn)化替代產(chǎn)品。

(3)與CS1404、FTP1404對比導(dǎo)通電阻更優(yōu),適合追求極致效率和電流能力的產(chǎn)品。

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三、推薦應(yīng)用范圍

(1)高頻逆變器應(yīng)用:12V蓄電池輸入的車載高頻逆變器中的DC/DC推挽拓?fù)渖龎弘娐贰?/p>

(2)適合12V的全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的太陽能工頻離網(wǎng)逆變器應(yīng)用。

(3)適合12V輸入的音響電源中的DC-DC推挽拓?fù)渖龎弘娐贰?/p>

(4)適合12V蓄電池供電的UPS不間斷電源。

(5)適合大功率高頻開關(guān)電源上的同步整流。

四、部分典型特性曲線

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對于常需要用于高頻逆變器、UPS電源、同步整流等領(lǐng)域以及針對需要12V輸入電路設(shè)計(jì)的產(chǎn)品建議可以多看看這一款優(yōu)質(zhì)的國產(chǎn)化MOS管。

FHP1404V超低導(dǎo)通電阻、高電流能力、優(yōu)異熱管理,適合高功率密度應(yīng)用(如大電流逆變器、UPS),在同領(lǐng)域產(chǎn)品中適合追求極致效率和電流能力的電路設(shè)計(jì)。

飛虹半導(dǎo)體致力于大功率分立器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售,給廠家提供可持續(xù)穩(wěn)定供貨。至今已經(jīng)有35年半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn)以及20年研發(fā)、制造經(jīng)驗(yàn)。除可提供免費(fèi)試樣外,更可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制MOS管產(chǎn)品。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:2025國產(chǎn)MOS管:極低導(dǎo)通電阻、BVDSS_typ=55V更適合12V輸入電路!

文章出處:【微信號:廣州飛虹半導(dǎo)體,微信公眾號:廣州飛虹半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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