請注意由于與繼電器控制并聯的機械開關而產生的瞬態電壓。當驅動感性負載時，不要將機械開關與MOSFET并聯。

當繼電器關閉時，由于繼電器的啟動時間短，產生了高的瞬態電壓(dv/dt)，這通常是由于產生了大量的dv/dt而累積起來的。

潛在問題:

當MOSFET處于關閉狀態時，開關的開啟會導致MOSFET的破壞:由于機械開關的短暫時間，高的dvdt會激活在MOSFET中包含的寄生晶體管。浪涌的能量將集中在這種寄生晶體管上;這可以破壞寄生雙極晶體管，并破壞MOSFET本身。MOSFET在漏極源和源極之間的絕對短路損壞。

Note:由于繼電器的振動，MOSFET也可以在開關關閉時被破壞。

預防措施:

1.使用一個雙極晶體管，用一個穩壓二極管保護來限制振蕩電壓，其值低于VCEmax。39vzener電壓是接受拋負載的推薦值。

2.使用一個zener保護二極管，其電壓低于MOSFET的第二次擊穿電壓(第二個擊穿電壓可以低到50%的VDSmax)選擇MOSFET(第二次擊穿電壓為39V)。