概述
HMC8205BF10是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器，在瞬時帶寬范圍為0.3 GHz至6 GHz時提供45.5 dBm (35 W)功率和38%功率附加效率(PAE)。無需外部匹配便可實現全頻段工作。此外，無需外部電感便可實現放大器偏置。同時，RFIN和RFOUT引腳的隔直電容集成到HMC8205BF10中。
HMC8205BF10非常適合脈沖或連續波(CW)應用，如軍用干擾發射器、無線基礎設施、雷達和通用放大。
HMC8205BF10放大器采用10引腳陶瓷芯片載體(LDCC)封裝。
HMC8205BCHIPS是一款氮化鎵(GaN)、寬帶功率放大器，在瞬時帶寬范圍為0.4 GHz至6 GHz時提供45.5 dBm (35 W)功率和40%功率附加效率(PAE)。無需外部匹配便可實現全頻段工作。無需外部電感便可實現放大器偏置。此外，RFIN和RFOUT引腳的隔直電容集成到HMC8205BCHIPS中。
HMC8205BCHIPS非常適合脈沖或連續波(CW)應用，如軍用干擾發射器、無線基礎設施、雷達和通用放大。
數據表：*附件：HMC8205BF10 0.3或0.4 GHz至6 GHz、35W、GaN功率放大器技術手冊.pdf
應用
- 軍用干擾發射器
- 商用和軍事雷達
- 針對無線基礎設施的功率放大器級
- 測試與測量設備
特性
- 高 P SAT ：46 dBm
- 高功率增益：20 dB
- 高 PAE：38%
- 瞬時帶寬：0.3 GHz 到 6 GHz
- 電源電壓：VDD = 50 V，1300 mA
- 10 引腳 LDCC 封裝
框圖
引腳配置和功能描述
接口示意圖
典型性能特征
應用電路
將RF電路設計技術用于PCB。為信號線提供50歐姆阻抗，并將封裝接地引腳和裸露焊盤直接連接到接地層(參見圖40)。使用足夠數量的過孔連接頂部和底部接地層。圖40所示的評估PCB可向ADI公司索取。EV1HMC8205BF10的物料清單見表7。
輪廓尺寸
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