德州儀器(TI)近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)驅動器,進一步擴展了其業內領先的GaN電源產品組合,可在激光雷達(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡追蹤等速度關鍵應用中實現更高效、性能更高的設計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關頻率的同時提高效率,并可實現以往硅MOSFET無法實現的5倍更小尺寸解決方案。
憑借業內最佳的驅動速度以及1 ns的最小脈沖寬度,LMG1020 60-MHz低側GaN驅動器可在工業LIDAR應用中使用高精度激光器。小型晶圓級芯片(WCSP)封裝尺寸僅為0.8 mm x 1.2 mm,有助于最大限度地減少柵極環路寄生和損耗,進一步提升效率。
LMG1020和LMG1210是業界最大的GaN電源產品組合中的最新成員,從200V驅動器到80V和600V功率級。憑借超過1,000萬小時的GaN工藝可靠性測試,TI提供可靠的GaN產品以滿足對成熟和即用型解決方案的需求,為GaN技術帶來數十年的硅制造專業技術和高級器件開發人才。
設計人員可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012評估模塊和SPICE模型快速輕松地評估這些新器件。工程師可以利用LIDAR的納秒激光驅動器參考設計和高速DC / DC轉換器的多兆赫GaN功率級參考設計,快速開始氮化鎵設計。
LMG1020和LMG1210主要特點和優勢:
●高速:這兩款器件可提供超高速傳播延遲(2.5 ns [LMG1020]和10 ns [LMG1210]),使電源解決方案比采用硅驅動器快50倍。另外,LMG1020能夠提供高功率1ns激光脈沖,實現遠程LIDAR應用。
●高效率:這兩款器件均可實現高效率設計。LMG1210提供1 pF的低開關節點電容和用戶可調的死區時間控制,可將效率提高多達5%。
●功率密度:LMG1210中的死區時間控制集成功能可減少元件數量并提高效率,使設計人員能夠將電源尺寸降低多達80%。功率密度增加的LMG1020,使LIDAR具有業內最小封裝和最高分辨率。
2原廠芯品
2018年3月13日訊–全球領先的測量解決方案提供商——泰克科技公司日前推出EMCVu一種用于EMI/EMC預一致性測試和問題調試的新型整體解決方案。在當今電子設計環境中,大約有一半的產品會在首次電磁兼容性(EMC)測試中出現問題。EMCVu為工程師提供了一種準確、方便、經濟的方法,評估其產品設計能否第一次就通過EMC一致性測試。
對于剛剛開始使用物聯網設備的許多工程師而言,EMI/EMC測試令人困擾,而一致性測試失敗會導致嚴重的成本增加和產品上市時間延遲。預一致性測試可以降低通過一致性測試失敗概率,但也有其自身的挑戰,比如設備設置困難、成本高、測試準確性存疑,調試難度大,缺少報告編制工具等。
“滿足EMC一致性測試首先要求其設計、電路板布局和元件選型合理,但即使在最好的環境中,如果沒有預一致性測試,那么想通過一致性測試也是一種冒險?!盬yatt Technical Services首席顧問及EMC一致性測試專家Kenneth Wyatt說,“我強烈支持泰克EMCVu所做的工作,讓更多的工程師可以實現預一致性測試,即使是缺乏深入EMC專業知識的工程師也能受益匪淺。
供貨情況:
全內置預一致性測試解決方案價格經濟,包括RSA306B USB頻譜分析儀、SignalVu-PC及EMCVu插件、近場探頭、LISN放射輻射測試天線、三腳支架和線纜,大體上和EMC測試機構測試一次的費用相當。
3代理商開售
2018年3月13日,致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布,其旗下世平推出基于德州儀器(TI)產品的推出有刷式直流電機參考設計,由DRV8701柵極驅動器、MSP430G2553IPW20超低功耗微控制器、CSD18540Q5B 60V N溝道MOSFET和LMT86DCKT精密CMOS溫度傳感器等器件組成。
DRV8701ERGER是一款采用四個外部N溝道MOSFET的單一H橋柵極驅動器,面向雙相逆變器驅動一個雙向有刷直流電機。階段/啟用(DRV8701E)控制方案允許簡單地連接到單片機電路。一個內部檢測放大器允許使用外部檢測電阻進行可調節的電流控制。柵極驅動器包括使用固定關斷時間PWM來控制繞組電流的能力電流切斷。DRV8701采用9.5 V VGS柵極驅動器驅動高端和低端FET來自一個集成的電荷泵。所有外部FET的柵極驅動電流可以是在IDRIVE引腳上配置一個外部電阻。
MSP430G2553IPW20是一款超低功耗微控制器,由許多不同的器件組成特征。其中一些功能包括五種不同的低功耗模式,一個16位RISC CPU、16位寄存器和常量發生器。使用數字控制振蕩器(DCO)MSP430G2553可以在低于1μs的時間內從低功耗模式喚醒。
CSD18540Q5B是一款60V N溝道MOSFET,RDS額定值為1.8mΩ。該器件是功率轉換應用的理想選擇,因為其設計可將損耗降至最低,而SON的尺寸僅為5mm×6mm。
LMT86DCKT是一款精密的CMOS溫度傳感器,利用與溫度線性成反比的模擬輸出電壓。該器件的工作電壓可低至2.2V,電源電流為5.4μA,是電池供電應用的理想器。
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原文標題:德州儀器推出業內最小、最快的GaN驅動器!
文章出處:【微信號:gh_030b7610d46c,微信公眾號:GaN世界】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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