一、產品定位
SC5016大功率IGBT靜態參數測試系統是專為?碳化硅(SiC)/氮化鎵(GaN)功率器件?設計的全自動檢測平臺,支持±5000V/2000A(可擴展)極端參數測試。本設備通過模塊化設計實現?在線檢測?與?實驗室級精度?的融合,滿足新能源、智能電網等領域對?功率半導體可靠性驗證?的核心需求。
二、核心技術創新
1. 極端工況模擬能力
?超寬測試范圍?:5000V擊穿電壓/2000A持續電流(脈沖模式可達3000A)
?多材料兼容?:完整支持Si/SiC/GaN器件的靜態參數分析
?智能溫控系統?:內置水冷模塊確保滿負荷運行穩定性(ΔT≤5℃@1600A)
2. 在線檢測突破
?非拆卸式測試?:獨創Vcesat在線檢測技術,支持電路板在位測量
?自適應補償算法?:消除PCB寄生參數影響,測量精度達±0.05%
?安全防護體系?:通過IEC 61010-1防爆認證,具備電弧快速切斷功能
3. 工程化設計升級
?軍工級結構?:插槽式模塊設計,支持現場快速更換測試卡
?雙模式操作?:7寸工業觸控屏本地控制 / PC端LabVIEW遠程操控
?數據追溯系統?:自動生成符合ISO9001的測試報告(中英雙語模板)
三、關鍵技術指標
參數類別 | 量程范圍 | 分辨率 | 符合標準 |
---|---|---|---|
電壓測試 | 0-±5000V | 1mV | IEC 60747-9 |
電流測試 | 0-±2000A | 1nA | MIL-STD-750E |
柵極驅動 | ±100V | 0.1mV | AEC-Q101 |
脈沖寬度 | 50-300μs | 0.1μs | JESD22-A108F |
四、典型測試能力
1. 功率器件靜態特性
?IGBT模塊?:BVCES/VGE(th)/VCESAT(支持3.3kV以上高壓模塊)
?MOSFET?:RDS(on)@2000A級電流/體二極管反向恢復參數
?寬禁帶器件?:SiC肖特基勢壘高度/GaN二維電子氣遷移率
2. 特色測試模式
?IV曲線掃描?:支持1000點/秒高速采樣(可生成Rθja熱阻曲線)
?對比分析功能?:多批次器件參數分布直方圖自動生成
?極限工況模擬?:雪崩能量測試模式(EAS≥200mJ)
五、行業解決方案
1. 新能源領域
光伏逆變器IGBT模塊全參數驗證
電動汽車電機控制器在線檢修
儲能系統功率器件老化分析
2. 工業應用場景
軌道交通牽引變流器模塊篩選
工業變頻器失效器件快速定位
電焊機功率單元可靠性評估
審核編輯 黃宇
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