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SC5016大功率IGBT測試系統 第三代半導體靜態參數檢測設備

黃輝 ? 來源:jf_81801083 ? 作者:jf_81801083 ? 2025-03-13 11:40 ? 次閱讀

一、產品定位

SC5016大功率IGBT靜態參數測試系統是專為?碳化硅(SiC)/氮化鎵(GaN)功率器件?設計的全自動檢測平臺,支持±5000V/2000A(可擴展)極端參數測試。本設備通過模塊化設計實現?在線檢測?與?實驗室級精度?的融合,滿足新能源智能電網等領域對?功率半導體可靠性驗證?的核心需求。

二、核心技術創新

1. 極端工況模擬能力

?超寬測試范圍?:5000V擊穿電壓/2000A持續電流(脈沖模式可達3000A)

?多材料兼容?:完整支持Si/SiC/GaN器件的靜態參數分析

?智能溫控系統?:內置水冷模塊確保滿負荷運行穩定性(ΔT≤5℃@1600A)

2. 在線檢測突破

?非拆卸式測試?:獨創Vcesat在線檢測技術,支持電路板在位測量

?自適應補償算法?:消除PCB寄生參數影響,測量精度達±0.05%

?安全防護體系?:通過IEC 61010-1防爆認證,具備電弧快速切斷功能

3. 工程化設計升級

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?軍工級結構?:插槽式模塊設計,支持現場快速更換測試卡

?雙模式操作?:7寸工業觸控屏本地控制 / PC端LabVIEW遠程操控

?數據追溯系統?:自動生成符合ISO9001的測試報告(中英雙語模板)

三、關鍵技術指標

參數類別 量程范圍 分辨率 符合標準
電壓測試 0-±5000V 1mV IEC 60747-9
電流測試 0-±2000A 1nA MIL-STD-750E
柵極驅動 ±100V 0.1mV AEC-Q101
脈沖寬度 50-300μs 0.1μs JESD22-A108F

四、典型測試能力

1. 功率器件靜態特性

?IGBT模塊?:BVCES/VGE(th)/VCESAT(支持3.3kV以上高壓模塊)

?MOSFET?:RDS(on)@2000A級電流/體二極管反向恢復參數

?寬禁帶器件?:SiC肖特基勢壘高度/GaN二維電子氣遷移率

2. 特色測試模式

?IV曲線掃描?:支持1000點/秒高速采樣(可生成Rθja熱阻曲線)

?對比分析功能?:多批次器件參數分布直方圖自動生成

?極限工況模擬?:雪崩能量測試模式(EAS≥200mJ)

五、行業解決方案

1. 新能源領域

光伏逆變器IGBT模塊全參數驗證

電動汽車電機控制器在線檢修

儲能系統功率器件老化分析

2. 工業應用場景

軌道交通牽引變流器模塊篩選

工業變頻器失效器件快速定位

電焊機功率單元可靠性評估

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審核編輯 黃宇

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