門電路玄機(jī)

NOR Flash：Intel 1988 年革命性突破，終結(jié) EPROM/EEPROM 壟斷時(shí)代

NAND Flash：東芝 1989 年發(fā)布，開創(chuàng) "低成本比特" 存儲(chǔ)新紀(jì)元

共性特征

非易失存儲(chǔ)：斷電后數(shù)據(jù)不丟失

可重復(fù)編程：支持擦寫操作（需先擦除后寫入）

二進(jìn)制操作：擦除后全為 1，寫操作將 1 變?yōu)?0

核心差異

一、物理結(jié)構(gòu)對(duì)比

NOR 特性

獨(dú)立存儲(chǔ)單元并聯(lián)架構(gòu)

支持隨機(jī)地址訪問

單元密度相對(duì)較低

NAND 特性

串聯(lián)存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)（8-32 個(gè)單元串聯(lián)）

僅支持順序訪問

高單元密度設(shè)計(jì)

二、接口協(xié)議

NOR：直連 CPU 總線

自帶 SRAM 接口

支持 XIP（就地執(zhí)行）技術(shù)

NAND：復(fù)雜接口協(xié)議

需專用控制器

采用命令 / 地址 / 數(shù)據(jù)復(fù)用 I/O

三、性能參數(shù)

四、成本分析

NOR：

單片成本高約 30-50%

主流容量 1-256Mb

NAND：

單位比特成本低至 1/10

主流容量 1-128Gb

五、應(yīng)用場(chǎng)景

NOR 主戰(zhàn)場(chǎng)

嵌入式系統(tǒng)啟動(dòng)代碼

航天器固件存儲(chǔ)

工業(yè)控制關(guān)鍵參數(shù)

NAND 主戰(zhàn)場(chǎng)

消費(fèi)級(jí) SSD 存儲(chǔ)

智能手機(jī)閃存

大容量數(shù)據(jù)日志

選型指南

要執(zhí)行代碼 → 選 NOR

要存海量數(shù)據(jù) → 選 NAND

要實(shí)時(shí)響應(yīng) → 選 NOR

要成本敏感 → 選 NAND

【技術(shù)洞察】
當(dāng)你在手機(jī)里流暢啟動(dòng)系統(tǒng)時(shí)，是 NOR 在默默加載引導(dǎo)程序；當(dāng)你拍攝 4K 視頻時(shí)，是 NAND 在高速吞吐數(shù)據(jù)。這對(duì)存儲(chǔ)界的 "雙子星"，正以截然不同的方式推動(dòng)著數(shù)字世界的演進(jìn)。

審核編輯 黃宇