TPS53632G 器件是采用 D-CAP+ 架構(gòu)的半橋 PWM 控制器 提供快速瞬態(tài)響應(yīng)、最低輸出電容和高 直接從 48V 總線進(jìn)行單級轉(zhuǎn)換的效率。The TPS53632G 設(shè)備支持標(biāo)準(zhǔn) I^2^用于動態(tài)的 C Rev 3.0 接口 控制輸出電壓和電流監(jiān)控遙測。與 TI GaN 配對 功率級和驅(qū)動器,TPS53632G 可以切換到高達(dá) 1 MHz 的 頻率,以最大限度地減少 磁性元件尺寸并減小整體電路板空間。LMG5200 GaN 功率 stage 專為該控制器設(shè)計(jì),以實(shí)現(xiàn)高頻 在 48V 至 1V 轉(zhuǎn)換時,效率高達(dá) 92%。
*附件:TPS53632G D-CAP+ ? 半橋 PWM 控制器,針對基于 GaN 的 48V 直流 直流轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了優(yōu)化,具有 I2C 接口數(shù)據(jù)表.pdf
其他功能包括輸出轉(zhuǎn)換速率和電壓的可調(diào)控制 定位。此外,TPS53632G 器件可與其他 TI 一起使用 分立式功率 MOSFET 和驅(qū)動器,用于硅基半橋解決方案。這 TPS53632G器件采用節(jié)省空間的散熱增強(qiáng)型 32 引腳 VQFN 封裝 封裝,額定工作溫度范圍為 –10°C 至 105°C。
特性
- 具有恒定導(dǎo)通時間控制的谷值電流模式
- 無損電流傳感方案
- 我^2^用于 VID 控制和遙測的 C 接口
- 可編程 I^2^C 地址最多 8 臺設(shè)備
- 開關(guān)頻率高達(dá) 1 MHz
- 數(shù)字電流監(jiān)視器
- 7 位 DAC 輸出范圍:0.50V 至 1.52V,步長為 10mV
- 精確、可調(diào)的電壓定位或零斜率負(fù)載線
- 可選 8 級電流限制
- 可調(diào)輸出轉(zhuǎn)換速率控制
- 默認(rèn)啟動電壓:1.00 V
- 小型 4mm × 4mm、32 引腳 VQFN PowerPAD 封裝
參數(shù)
方框圖
1. 產(chǎn)品概述
- ?型號?:TPS53632G
- ?類型?:半橋PWM控制器,優(yōu)化用于基于GaN的48V DC/DC轉(zhuǎn)換器
- ?特點(diǎn)?:集成D-CAP+?架構(gòu),具有快速瞬態(tài)響應(yīng)、低輸出電容和高效率;支持I2C接口,實(shí)現(xiàn)動態(tài)輸出電壓控制和電流監(jiān)控
2. 關(guān)鍵特性
- ?控制模式?:谷值電流模式,恒定導(dǎo)通時間控制
- ?電流感應(yīng)?:無損電流感應(yīng)方案
- ?接口?:I2C接口,支持VID控制和遙測,可編程I2C地址,支持多達(dá)8個設(shè)備
- ?開關(guān)頻率?:高達(dá)1MHz
- ?電流監(jiān)控?:數(shù)字電流監(jiān)控,7位DAC輸出范圍:0.50V至1.52V,步長10mV
- ?保護(hù)功能?:過壓保護(hù)(OVP)、欠壓保護(hù)(UVP)、過流保護(hù)(OCP)、熱關(guān)斷
3. 應(yīng)用領(lǐng)域
4. 封裝與尺寸
- ?封裝類型?:32引腳VQFN,4mm x 4mm,帶PowerPAD
- ?工作溫度范圍?:-10°C至105°C
5. 性能參數(shù)
- ?啟動時間?:冷啟動時間小于1.2ms
- ?PGOOD響應(yīng)時間?:PGOOD高電平閾值190mV至245mV,低電平閾值-348mV至-280mV
- ?PWM和SKIP輸出?:5V邏輯電平,PWM高電平時高側(cè)驅(qū)動開啟,低電平時低側(cè)驅(qū)動開啟
6. 配置與編程
- ?通過I2C接口?:可配置輸出電壓選擇寄存器(VSR)、最大VID設(shè)置(VMAX)、電源狀態(tài)、斜率設(shè)置等
- ?故障寄存器?:只讀,包含設(shè)備熱關(guān)斷、OVP、UVP、OCP等狀態(tài)
7. 設(shè)計(jì)資源與支持
- ?技術(shù)文檔?:提供詳細(xì)的數(shù)據(jù)表、應(yīng)用信息、典型應(yīng)用電路、布局指南等
- ?工具與軟件?:支持TI的Code Composer Studio集成開發(fā)環(huán)境和FUSION_DIGITAL_POWER_DESIGNER GUI工具
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電流
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