TPS51601A 是一款同步降壓 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，具有 集成升壓開(kāi)關(guān)。這款高性能驅(qū)動(dòng)程序能夠 驅(qū)動(dòng)具有最高 速度和最低的開(kāi)關(guān)損耗。自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制和 包括擊穿保護(hù)。

TPS51601A 采用節(jié)省空間的 8 引腳 3 mm × 3 mm SON 封裝，工作溫度范圍為 –40°C 至 105°C。
*附件：tps51601a 雙通道高效同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表.pdf

特性

• 高壓同步降壓驅(qū)動(dòng)器
• 用于 Bootstrap作的集成升壓開(kāi)關(guān)
• 自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制和擊穿保護(hù)
• 0.4-Ω 低側(cè)驅(qū)動(dòng)的灌電流電阻
• 用于高側(cè)驅(qū)動(dòng)的 1.0-Ω 源電阻
• 跳用于提高輕負(fù)載效率的引腳
• 自適應(yīng)過(guò)零檢測(cè)，實(shí)現(xiàn)最佳輕負(fù)載效率
• 8 引腳 3 mm × 3 mm SON （DRB） 封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?名稱(chēng)?：TPS51601A
• ?類(lèi)型?：雙通道高效同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器
• ?特點(diǎn)?：集成升壓開(kāi)關(guān)、自適應(yīng)死區(qū)控制、防直通保護(hù)、自適應(yīng)零交叉檢測(cè)
• ?封裝?：8引腳3mm×3mm SON（DRB）包裝
• ?操作溫度?：-40°C至105°C

2. 主要功能

• ?高電壓同步降壓驅(qū)動(dòng)?：能驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N通道FET，具有高速和低開(kāi)關(guān)損耗。
• ?集成升壓開(kāi)關(guān)?：用于自舉操作，提高驅(qū)動(dòng)效率。
• ?自適應(yīng)死區(qū)控制?：最小化高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)之間的非重疊時(shí)間，防止直通。
• ?防直通保護(hù)?：確保高側(cè)和低側(cè)MOSFET不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通。
• ?自適應(yīng)零交叉檢測(cè)?：優(yōu)化輕載效率，通過(guò)檢測(cè)電感電流零交叉點(diǎn)來(lái)關(guān)閉低側(cè)驅(qū)動(dòng)。
• ?SKIP引腳?：用于改善輕載效率，通過(guò)強(qiáng)制連續(xù)導(dǎo)通模式（FCCM）或斷續(xù)導(dǎo)通模式（DCM）來(lái)控制。

3. 電氣特性

• ?供電電壓?：VDD范圍為4.5V至5.5V
• ?輸入電壓范圍?：VPWM、SKIP、BST至SW、DRVH至SW、DRVL均為-0.3V至6V
• ?輸出電壓范圍?：SW為-1V至32V
• ?門(mén)極驅(qū)動(dòng)輸出?：高側(cè)源電阻為1.0Ω，低側(cè)源電阻為0.4Ω
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：UVLO開(kāi)啟閾值為3.5V至3.9V，關(guān)閉閾值為3.3V至3.7V

4. 熱特性

• ?熱阻?：θJA（結(jié)到環(huán)境）為42.6°C/W，θJC（結(jié)到外殼頂部）為3.0°C/W

5. 應(yīng)用領(lǐng)域

• ?移動(dòng)核心調(diào)節(jié)器產(chǎn)品?
• ?高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器?
• ?高輸入電壓DC-DC轉(zhuǎn)換器?
• ?多相DC-DC轉(zhuǎn)換器?

6. 封裝與訂購(gòu)信息

• ?封裝類(lèi)型?：SON（DRB）
• ?訂購(gòu)編號(hào)?：TPS51601ADRBT（250單位綠色卷帶和卷盤(pán)）、TPS51601ADRBR（3000單位綠色卷帶和卷盤(pán)）

7. 布局指南

• ?低側(cè)門(mén)極驅(qū)動(dòng)布局?：建議長(zhǎng)度不超過(guò)1英寸，DRVL寬度與長(zhǎng)度比為1:10，如果可能的話(huà)為1:5。
• ?解耦電容?：建議在VDD和GND之間使用至少2.2μF的陶瓷電容。

8. 注意事項(xiàng)

• ?靜電保護(hù)?：設(shè)備內(nèi)置有限的靜電保護(hù)，存儲(chǔ)或處理時(shí)應(yīng)將引腳短路或放置在導(dǎo)電泡沫中以防止靜電損壞。