近日，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，股票代碼“688012.SH”）宣布通過不斷提升反應臺之間氣體控制的精度， ICP雙反應臺刻蝕機Primo Twin-Star 又取得新的突破，反應臺之間的刻蝕精度已達到0.2A（亞埃級）。這一刻蝕精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蝕工藝上，均得到了驗證。該精度約等于硅原子直徑2.5埃的十分之一，是人類頭發(fā)絲平均直徑100微米的500萬分之一(圖1)。這是等離子體刻蝕技術領域的又一次創(chuàng)新突破，彰顯了中微公司在技術研發(fā)上的深厚積累，進一步鞏固了公司在高端微觀加工設備市場的領先地位。

圖1. 氧化硅、氮化硅和多晶硅晶圓

在雙反應臺上刻蝕速度的差別

在200片硅片的重復性測試中，氧化硅、氮化硅和多晶硅的測試晶圓，在左右兩個反應臺上各100片的平均刻蝕速度相差，各為每分鐘0.9埃，1.5埃和1.0埃。兩個反應臺之間平均刻蝕速度的差別（≤ 0.09%），遠小于一個反應臺加工多片晶圓刻蝕速度的差別（≤ 0.9%）。

圖2. 氧化硅、氮化硅和多晶硅各200片晶圓

在雙反應臺上刻蝕速度的重復性

自2004年創(chuàng)立之初，中微公司始終堅持為達到設備的最高性能和滿足客戶最嚴要求而發(fā)開，致力于為客戶提供高刻蝕性能、高生產(chǎn)效率和節(jié)約生產(chǎn)空間的刻蝕設備。2006年，公司研發(fā)的第一代雙反應臺電容耦合CCP刻蝕設備Primo D-RIE在國際先進的邏輯客戶的產(chǎn)線上成功得到核準，隨之取得重復訂單，得到客戶的持續(xù)信任與支持。CCP的雙臺機 Primo D-RIE和Primo AD-RIE的加工精度，兩個反應臺的刻蝕重復性和在生產(chǎn)線上的重復性也早已達到和Primo Twin-Star相同的水平。

在兩個反應臺各輪流加工1000片的重復性測試中，兩個反應臺的平均刻蝕速度相差，只有每分鐘９埃，小于1.0納米（圖３）。在海外先進存儲器生產(chǎn)線上，全年加工的12萬片晶圓的全過程中，兩個反應臺在兩個刻蝕應用上刻蝕速度的差別1sigma小于0.7％（圖４）。

圖3. 2000片晶圓在Primo D-RIE雙臺機的重復性測試

圖4. Primo D-RIE雙臺機12萬片晶圓

在存儲器生產(chǎn)線上的重復性和匹配性

截至目前，Primo D-RIE以及下一代產(chǎn)品Primo AD-RIE在邏輯客戶的產(chǎn)線上的量產(chǎn)反應臺已經(jīng)超過2000臺，并有近600個反應臺在國際最先進的邏輯產(chǎn)線上量產(chǎn)，其中相當一部分機臺已在5納米及更先進的生產(chǎn)線上用于量產(chǎn)。

中微公司首創(chuàng)了單反應臺可以分別獨立操作也可以同時操作的雙反應臺刻蝕反應器，是占地面積小、輸出量高和成本低的刻蝕機。CCP和ICP的雙臺機已經(jīng)證明了可以覆蓋60％以上的刻蝕應用。大量的生產(chǎn)線數(shù)據(jù)表明，雙反應臺和單反應臺刻蝕機呈現(xiàn)一樣的刻蝕性能、刻蝕穩(wěn)定性和可靠性。憑借行業(yè)首創(chuàng)的可獨立工作的刻蝕設備雙臺機技術，通過超過20年的技術創(chuàng)新與經(jīng)驗積累，中微公司研發(fā)的電感耦合ICP刻蝕設備Primo Twin-Star首次取得了0.2A的業(yè)界首創(chuàng)的刻蝕精度。該產(chǎn)品采用獨創(chuàng)的低電容耦合LCC 3D線圈設計，雙反應臺腔體結構并結合創(chuàng)新的反應腔設計，可最大程度減弱非中心對稱抽氣口效應，可選多區(qū)溫控靜電吸盤（ESC）增強了對關鍵尺寸均勻性的控制，與其它同類設備相比，具有低成本、占地小和高產(chǎn)出的優(yōu)異于特性，可應用于大多數(shù)先進邏輯和存儲器的刻蝕制程。

據(jù)業(yè)績快報顯示，中微公司2024年營業(yè)收入約90.65億元，較2023年增加約28.02億元。公司在過去13年保持營業(yè)收入年均增長大于35%，近四年營業(yè)收入年均增長大于40%的基礎上，2024年營業(yè)收入又同比增長約44.73%。其中，刻蝕設備收入約72.77億元，在最近四年收入年均增長超過50%的基礎上，2024年又同比增長約54.73%。中微公司綜合競爭優(yōu)勢不斷增強，聚焦提高勞動生產(chǎn)率，在2022年達到人均銷售350萬元的基礎上，2024年人均銷售超過了400萬元，各項營運指標已達到國際先進半導體設備企業(yè)水平。

此外，中微公司持續(xù)加碼創(chuàng)新研發(fā)，2024年在研項目廣泛涵蓋六大類設備，積極推進超過二十款新型設備的研發(fā)工作，并在半導體薄膜沉積設備領域不斷突破，推出了多款LPCVD薄膜設備和ALD薄膜設備新產(chǎn)品，獲得了重復性訂單。公司新開發(fā)的硅和鍺硅外延EPI設備等多款新產(chǎn)品，也會在近期投入市場驗證。

中微公司將繼續(xù)瞄準世界科技前沿，將產(chǎn)品開發(fā)的十大原則始終貫穿于產(chǎn)品開發(fā)、設計和制造的全過程，打造更多具有國際競爭力的技術創(chuàng)新與差異化產(chǎn)品，持續(xù)踐行“五個十大”的企業(yè)文化，堅持三維發(fā)展戰(zhàn)略，實現(xiàn)高速、穩(wěn)定、健康和安全的高質(zhì)量發(fā)展，盡早在規(guī)模和競爭力上成為國際一流的半導體設備公司！

關于中微半導體設備（上海）股份有限公司

中微半導體設備（上海）股份有限公司（證券簡稱：中微公司，證券代碼：688012）致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領先的加工設備和工藝技術解決方案。中微公司開發(fā)的CCP高能等離子體和ICP低能等離子體刻蝕兩大類，包括十幾種細分刻蝕設備已可以覆蓋大多數(shù)刻蝕的應用。中微公司的等離子體刻蝕設備已被廣泛應用于國內(nèi)和國際一線客戶，從65納米到5納米及更先進工藝的眾多刻蝕應用。中微公司最近十年著重開發(fā)多種導體和半導體化學薄膜設備，如MOCVD，LPCVD，ALD和EPI設備，并取得了可喜的進步。中微公司開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設備早已在客戶生產(chǎn)線上投入量產(chǎn)，并在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場占據(jù)領先地位。此外，中微公司也在布局光學和電子束量檢測設備，并開發(fā)多種泛半導體微觀加工設備。這些設備都是制造各種微觀器件的關鍵設備，可加工和檢測微米級和納米級的各種器件。這些微觀器件是現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)業(yè)的基礎，它們正在改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)方式和生活方式。在美國TechInsights（原VLSI Research）近五年的全球半導體設備客戶滿意度調(diào)查中，中微公司三次獲得總評分第三，薄膜設備三次被評為第一。