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HMC7586 71GHz至76GHz,E頻段I/Q下變頻器技術手冊

要長高 ? 2025-03-28 09:26 ? 次閱讀
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概述
HMC7586是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)同相和正交(I/Q)下變頻器芯片,工作頻率范圍為71 GHz至76 GHz。 HMC7586在整個頻段內提供12.5 dB小信號轉換增益和28 dBc鏡像抑制性能。 該器件采用低噪聲放大器,后接由6倍倍頻器驅動的圖像抑制混頻器。

該鏡像抑制混頻器使得低噪聲放大器之后無需使用濾波器。 可針對直接變頻應用提供差分I和Q混頻器輸出。 或者,可利用外部90°混合型器件和兩個外部180°混合型器件將輸出合并,以實現(xiàn)單邊帶應用。 所有數(shù)據(jù)包括IF端口上1 mil金線焊的效應。
數(shù)據(jù)表:*附件:HMC7586 71GHz至76GHz,E頻段I Q下變頻器技術手冊.pdf

應用

  • E頻段通信系統(tǒng)
  • 高容量無線回程
  • 測試與測量

特性

  • 轉換增益: 12.5 dB(典型值)
  • 鏡像抑制: 28 dBc(典型值)
  • 噪聲系數(shù): 5 dB(典型值)
  • 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率: -9 dBm(典型值)
  • 輸出三階交調截點(IP3): -1 dBm(典型值)
  • 輸出二階交調截點(IP2): 20 dBm(典型值)
  • RFIN上6倍本振(LO)泄漏: -40 dBm(典型值)
  • IFOUT上1倍LO泄漏: -50 dBm(典型值)
  • 射頻(RF)回波損耗: 5 dB(典型值)
  • LO回損: 20 dB(典型值)
  • 裸片尺寸: 3.599 mm × 2.199 mm × 0.05 mm

框圖
image.png

引腳配置描述
image.png

接口示意圖
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典型性能特征
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工作原理

HMC7586 是一款基于砷化鎵(GaAs)的低噪聲 I/Q 下變頻器,集成了本振(LO)緩沖器和一個 6 倍頻器。下變頻器電路的功能框圖見圖 210。
image.png

射頻(RF)輸入在內部進行交流耦合,并匹配到 50 Ω。輸入級對射頻輸入信號進行低噪聲放大。經過放大的射頻輸入信號隨后被分割并驅動兩個平衡無源混頻器。正交本振信號驅動兩個 I 和 Q 混頻器核心。本振路徑提供一個 6 倍頻器,允許使用較低頻率范圍的本振輸入信號,通常在 11.83 GHz 和 14.33 GHz 之間。該 6 倍頻器通過級聯(lián)一個 3 倍頻器和一個 2 倍頻器來實現(xiàn)。本振緩沖放大器被納入設計中,以提供典型的 2 dBm 本振驅動電平用于全功率運行。

毫米波砷化鎵單片微波集成電路(GaAs MMIC)的安裝和鍵合技術

使用共晶法或導電膠將芯片直接連接到接地層。

為將射頻信號引入和引出芯片,使用50 Ω微帶傳輸線連接到0.127毫米(5密耳)厚的氧化鋁薄膜基板上(見圖214)。
image.png

為盡量縮短鍵合線長度,應將微帶基板盡可能靠近芯片放置。典型的芯片與基板間距為0.076至0.152毫米(3至6密耳)。
一般操作注意事項

僅使用真空吸嘴或鋒利的細尖鑷子夾住芯片邊緣。由于芯片表面脆弱,請勿用真空吸嘴、鑷子或手指觸碰芯片表面。
安裝

芯片背面有金屬化層,可以使用金/錫(AuSn)共晶焊片,或使用具有導電性和粘合性的導電膠進行芯片貼裝。
共晶芯片貼裝

最好使用含80%錫/20%金的共晶焊片,工作表面溫度為255°C,工具溫度為265°C。當施加含90%氮和10%氫的混合氣體時,保持工具頭溫度為290°C。請勿將芯片暴露在高于320°C的溫度下超過20秒。貼裝時擦拭時間不超過3秒。

導電膠芯片貼裝

推薦使用ABLEBOND 84-1LMIT進行芯片貼裝。在安裝表面涂上最少的膠水,確保在放置芯片后,芯片周邊有一層薄薄的膠水。按照制造商提供的固化時間表對膠水進行固化。

操作注意事項

為避免永久性損壞,請遵循以下注意事項:

  • 存儲 :將裸芯片存放在晶圓盒或基于凝膠的靜電保護容器中,密封在靜電保護袋內。打開靜電保護袋后,將所有芯片存放在干燥氮氣環(huán)境中。
  • 清潔度 :在潔凈環(huán)境中操作芯片。切勿使用液體清潔系統(tǒng)清潔芯片。
  • 靜電敏感性 :遵循靜電防護措施,防止超過100 V的靜電沖擊。
  • 瞬態(tài) :在施加偏壓時,抑制儀器和偏壓電源的瞬態(tài)。為盡量減少感應拾取,請使用屏蔽信號和偏壓線。

鍵合

射頻端口的鍵合推薦使用3密耳(0.0762毫米)× 0.5密耳(0.0127毫米)的金帶。中頻(IF)和本振(LO)端口推薦使用1密耳(0.0254毫米)直徑的金線進行重新鍵合。這些鍵合采用40至60克的熱超聲鍵合壓力。推薦使用1密耳(0.0254毫米)直徑的熱超聲鍵合球鍵合。制作球鍵時壓力為40至50克,楔形鍵壓力為18至22克。在150°C的標稱鍵合溫度下制作所有鍵合。施加最少的超聲能量以實現(xiàn)可靠的鍵合。盡量使所有鍵合線越短越好,長度小于12密耳(0.31毫米)。

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