概述
HMC7587是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)、同相和正交(I/Q)下變頻器芯片，工作頻率范圍為81 GHz至86 GHz。 HMC7587在整個(gè)頻段內(nèi)提供10 dB小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益和30 dBc邊帶抑制性能。 該器件采用低噪聲放大器，后接由6倍倍頻器驅(qū)動(dòng)的圖像抑制混頻器。

該鏡像抑制混頻器使得低噪聲放大器之后無需使用濾波器。 可針對(duì)直接變頻應(yīng)用提供差分I和Q混頻器輸出。 或者，可利用外部90°混合型器件和兩個(gè)外部180°混合型器件將輸出合并，以實(shí)現(xiàn)單邊帶應(yīng)用。 所有數(shù)據(jù)包括RF端口上3 mm寬線焊的效應(yīng)以及中頻(IF)端口上1 mil金線焊的效應(yīng)。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC7587 E頻段I Q下變頻器，81GHz至86GHz技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• E頻段通信系統(tǒng)
• 高容量無線回程
• 測試與測量

特性

• 轉(zhuǎn)換增益： 10 dB（典型值）
• 鏡像抑制： 30 dBc（典型值）
• 噪聲系數(shù)： 6 dB（典型值）
• 針對(duì)1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率： -10 dBm（典型值）
• 輸出三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)： -2 dBm（典型值）
• 輸出二階交調(diào)截點(diǎn)(IP2)： 25 dBm（典型值）
• RFIN上6倍LO泄漏： -40 dBm（典型值）
• 射頻(RF)回波損耗： 10 dB（典型值）
• 本振(LO)回波損耗： 20 dB（典型值）
• 裸片尺寸： 3.599 mm × 2.199 mm × 0.05 mm

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

工作原理

HMC7587 是一款砷化鎵（GaAs）低噪聲 I/Q 下變頻器，集成了本振（LO）緩沖器和一個(gè) 6 倍頻器。下變頻器電路的功能框圖見圖 210。

射頻（RF）輸入在內(nèi)部進(jìn)行交流耦合，并匹配到 50Ω。輸入級(jí)對(duì)射頻輸入信號(hào)進(jìn)行低噪聲放大。經(jīng)過放大的射頻輸入信號(hào)隨后被分割并驅(qū)動(dòng)兩個(gè)平衡無源混頻器。

正交本振信號(hào)驅(qū)動(dòng)兩個(gè) I 和 Q 混頻器核心。本振路徑提供一個(gè) 6 倍頻器，這允許使用較低頻率范圍的本振輸入信號(hào)，通常在 11.83GHz 和 14.33GHz 之間。該 6 倍頻器通過級(jí)聯(lián)一個(gè) 3 倍頻器和一個(gè) 2 倍頻器來實(shí)現(xiàn)。本振緩沖放大器被納入設(shè)計(jì)中，以提供典型的 2dBm 本振驅(qū)動(dòng)電平用于全功率運(yùn)行。