工欲善其事，必先利其器。在全球化的今天，專利已不僅僅是創新的一種保護手段，它已成為商業戰場中的利器。麥姆斯咨詢傾情打造MEMS、傳感器以及物聯網領域的專利運營平臺，整合全產業鏈知識產權資源，積極推動知識產權保護與有效利用。隨著MEMS技術的不斷進步，MEMS復合傳感器以其芯片結構尺寸更小、制作成本更低、性能更出眾和后續安裝應用成本更低等優勢，在各行各業得到了廣泛應用，例如：汽車電子、航空航天、消費類電子產品、生物醫學等等。為此，業界正不斷投入大量的科研能力來開發不同類型的復合傳感器芯片，以滿足不斷增長的市場需求。據麥姆斯咨詢此前報道，InvenSense（應美盛）在完成對Sensirion（盛思銳）壓力傳感器部門的收購后，開辟了一個全新的細分市場領域。2017年末，InvenSense宣布全球首款、同時也是唯一一款7軸運動傳感器——ICM-20789實現規模量產。這款7軸運動傳感器將InvenSense領先的6軸（3軸加速度計+3軸陀螺儀）MEMS運動傳感器和世界級氣壓傳感器（高度計）集成在一起，提供了與當今最先進的分立傳感器性能相當的解決方案。

InvenSense新推出的7軸運動組合傳感器ICM-20789的逆向分析然而，傳統的復合傳感器芯片結構多以單層或多層鍵合結構為主，通常采用雙面微機械制作工藝、鍵合工藝、Cavity-SOI工藝、表面微機械制作工藝以及CMOS-MEMS技術等加工制造。例如，傳統的加速度和壓力復合傳感器采用硅-玻璃結構方式，通過硅片背面兩步各向異性濕法刻蝕方法分別形成壓力薄膜和質量塊，然后利用硅-硅鍵合或硅-玻璃鍵合來密封壓力傳感器的壓力參考腔體，形成加速度傳感器質量塊的運動間隙以及形成傳感器芯片基座，最后再利用硅片正面干法刻蝕釋放加速度傳感器可動結構。
這種雙面體硅工藝和鍵合技術制作的復合傳感器結構尺寸很大，工藝很復雜，制作成本很高。此外，不同鍵合材料之間的熱膨脹系數不同以及鍵合過程中所引入的殘余應力都會惡化傳感器的輸出穩定性，尤其在溫度環境比較惡劣的條件下。此外，表面微機械制作的復合傳感器還可能發生臺階覆蓋失效（Step-coverage）和腐蝕犧牲層過程中產生的薄膜粘附失效，這些不確定因素都大大提高了工藝的復雜程度，降低了成品率。到目前為止，傳統的加速度和壓力復合傳感器芯片尺寸雖然已經從尺寸很大的多片鍵合結構發展到了芯片尺寸較小的單硅片單面復合傳感器結構，但是這些復合傳感器中各個檢測單元均采用Side-by-Side的集成方式，這種集成方式會占用大量的芯片空間，限制了復合傳感器芯片尺寸的進一步減小，進一步降低成本。實現了單片復合傳感器的小型化、低成本、高性能與大批量生產，可廣泛應用于航空航天、汽車電子、消費類電子等領域。本發明的加速度和壓力復合傳感器僅是通過在一塊普通的單晶硅基片的同一面進行體硅微機械工藝制作而成，避免了傳統雙面對準/曝光和鍵合工藝，大大降低了芯片尺寸，減少了制作成本，且與IC工藝兼容可實現大批量制作。

加速度計內嵌壓力傳感器的單硅片復合傳感器結構的三維結構示意圖其中，將壓力傳感器直接嵌入在加速度傳感器的質量塊的中心位置，并將壓力傳感器四周挖空，使得壓力傳感器懸浮在質量塊的中心位置，即最大程度地縮小了芯片尺寸，又有效地消除了加速度傳感器與壓力傳感器之間檢測信號的相互串擾，大大提高了復合傳感器的檢測精度，最大程度縮小了芯片尺寸。