這款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導通電阻和柵極電荷，并在超薄外形中具有出色的熱特性。低導通電阻、小尺寸和扁平外形使該器件成為電池供電空間受限應用的理想選擇。
*附件：CSD22206W –8V P 溝道 NexFET 功率 MOSFET 數據表.pdf

特性

• 超低電阻
• 小尺寸 1.5 mm × 1.5 mm
• 無鉛
• 柵極 ESD 保護
• 符合 RoHS 標準
• 無鹵素
• 柵極-源極電壓箝位

參數

方框圖

1. 產品特性

• ?超低電阻?：在V_GS = -4.5V時，導通電阻（R_DS(on)）僅為4.7 mΩ，適用于需要高效率的功率轉換應用。
• ?小尺寸?：采用1.5 mm × 1.5 mm的Wafer BGA封裝，占用空間小。
• ?無鉛與環保?：符合RoHS標準，且不含鹵素，環保友好。
• ?柵極保護?：內置柵極ESD保護和柵極-源極電壓鉗位功能，提高器件可靠性。
• ?優異熱特性?：具有良好的熱管理特性，適合高功率密度應用。

2. 應用領域

• ?負載開關?：適用于需要快速響應和低電阻路徑的負載控制應用。
• ?電池管理?：在電池供電系統中，用于電池的充放電控制和保護。
• ?電池保護?：防止電池過充、過放，延長電池使用壽命。

3. 產品描述

CSD22206W是一款-8V、4.7 mΩ、1.5 mm × 1.5 mm Wafer BGA封裝的NexFET?功率MOSFET。它專為提供超低導通電阻和柵極電荷而設計，同時保持小尺寸和低剖面，非常適合電池供電且空間受限的應用。

4. 電氣特性

• ?靜態特性?：包括漏源電壓（V_DS）、柵源閾值電壓（V_GS(th)）、漏源泄漏電流（I_DSS）等參數。
• ?動態特性?：涵蓋輸入電容（C_ISS）、輸出電容（C_OSS）、柵極電荷（Q_g）等，影響開關速度和效率。
• ?二極管特性?：包括二極管正向電壓（V_SD）和反向恢復電荷（Q_rr），對整流和續流應用至關重要。

5. 熱信息

• ?熱阻?：提供了結到環境的熱阻（R_θJA）信息，幫助設計有效的散熱系統。

6. 機械、包裝和訂購信息

• ?封裝尺寸?：詳細列出了CSD22206W的封裝尺寸和引腳配置。
• ?推薦焊盤布局?：提供了推薦的焊盤圖案，以確保良好的焊接連接。
• ?訂購選項?：包括可訂購的設備型號、封裝類型、每卷數量及環保合規性等信息。

7. 文檔和支持

• ?文檔更新通知?：用戶可通過TI官網注冊接收產品文檔的更新通知。
• ?社區資源?：提供了TI的E2E在線社區鏈接，方便用戶與其他工程師交流和學習。
• ?商標和靜電放電警告?：指出了NexFET?是TI的商標，并提醒用戶注意靜電放電保護。