該器件是集成 FET 的同步降壓穩壓器，主要設計 用于 DDR 終止。它可以提供 1/2 V 的穩壓輸出DDQ具有 Sink 和 Source 功能。該設備采用 D-CAP+ 模式作 提供易用性、低外部元件數量和快速瞬態 響應。該器件還可用于其他負載點 （POL） 調節 需要高達 6A 電流的應用。此外，該器件還支持全電流、6A 電流、 具有嚴格電壓調節的輸出灌電流能力。
*附件：tps53317a.pdf

該器件具有兩種開關頻率設置（600 kHz 和 1 MHz）， 集成 Droop 支持、外部跟蹤功能、預偏置啟動、 輸出軟放電、集成自舉開關、電源良好功能、V5IN 引腳 UVLO 保護，并支持陶瓷和 SP/POSCAP 電容器。它 支持高達 6.0 V 的輸入電壓，輸出電壓可在 至 2.0 伏

該器件采用 3.5 mm × 4 mm、20 引腳 VQFN 封裝（綠色 符合 RoHs 標準且無鉛），采用 TI 專有的集成 MOSFET 和封裝 技術，額定溫度范圍為 –40°C 至 85°C。

特性

• TI 專有的集成 MOSFET 和封裝技術
• 支持具有高達 6A 連續輸出拉電流或灌電流的 DDR 存儲器終端
• 外部跟蹤
• 最少的外部元件數量
• 至 6V 轉換電壓
• D-CAP+ 模式架構
• 支持所有 MLCC 輸出電容器和 SP/POSCAP
• 可選 SKIP 模式或強制 CCM
• 優化輕負載和重負載下的效率
• 可選 600kHz 或 1MHz 開關頻率
• 可選過流限制 （OCL）
• 過壓、過熱和打嗝欠壓保護
• 可調輸出電壓：低至 2 V
• 3.5 mm × 4 mm、20 引腳、VQFN 封裝

參數

1. 產品概述

• ?類型?：6A輸出，D-CAP+模式，同步降壓轉換器
• ?特點?：
  • 集成FET
  • 支持DDR內存終止
  • 可選600kHz或1MHz開關頻率
  • 集成droop支持
  • 外部跟蹤能力
  • 預偏置啟動
  • 輸出軟放電
  • 集成bootstrap開關
  • 電源良好功能
  • V5IN引腳UVLO保護

2. 主要特性

• ?輸入電壓范圍?：0.9V至6V
• ?輸出電壓范圍?：0.45V至2V
• ?最大輸出電流?：6A
• ?開關頻率?：600kHz或1MHz
• ?效率優化?：輕載和重載時均優化效率
• ?保護功能?：過流限制、過壓保護、欠壓保護、過熱保護
• ?封裝?：3.5mm x 4mm，20引腳VQFN封裝

3. 應用領域

• 主要用于DDR、DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4內存終止
• 低電壓應用，輸入電壓范圍0.9V至6V

4. 功能框圖

• 包含PWM控制器、柵極驅動器、電流感測放大器、過流保護、軟啟動、電源良好信號等模塊。

5. 電氣特性

• ?工作溫度范圍?：-40°C至85°C
• ?5V電源UVLO閾值?：4.20V至4.50V
• ?VREF電壓?：2.00V ±1%
• ?輸出電壓精度?：±1%
• ?過流限制?：正限流7.6A，負限流-9.3A
• ?熱關斷閾值?：約145°C

6. 保護功能

• ? 過壓保護（OVP） ?：輸出電壓超過120% VREF時觸發
• ? 欠壓保護（UVP） ?：輸出電壓低于68% VREF時觸發
• ?過流保護?：提供正限流和負限流保護
• ?熱保護?：結溫超過約145°C時關斷

7. 通信接口與控制

• ? 使能引腳（EN） ?：3.3V邏輯兼容
• ? 模式引腳（MODE） ?：允許選擇不同的操作模式（如PWM、SKIP等）
• ? 電源良好引腳（PGOOD） ?：開漏輸出，指示輸出電壓是否在目標范圍內

8. 典型應用

• ?DDR4 SDRAM應用?：需要緊密的負載容差、快速瞬態響應和沉電流能力
• ?DDR3 SDRAM應用?：提供穩定的電壓輸出和高效的電源管理
• ?非跟蹤點負載（POL）應用?：用于需要靈活輸出電壓設置的場景

9. 布局與熱管理

• ?布局指南?：提供關于如何優化PCB布局的詳細建議，以確保穩定的電源供應操作。
• ?熱管理?：推薦的熱回流焊接曲線，以確保設備在制造過程中的可靠性。

TPS53317A是一款高性能的同步降壓轉換器，專為DDR內存終止設計，具有高效率、緊湊的封裝和豐富的保護功能。其靈活的開關頻率選擇和可編程的輸出電壓范圍使其適用于多種應用場景。