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IHS:中國MOCVD擴張繼續 2019年28%氮化鎵LED盈余

MWol_gh_030b761 ? 來源:未知 ? 2018-04-05 23:37 ? 次閱讀

市場研究機構IHS Markit最新報告針對LED行業提出了一些觀點:

◆在對供應商的采購計劃進行評估后,IHS Markit預測,2018年將新建330個金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)反應室,以生產基于氮化鎵(GaN)的LED。

◆新增的MOCVD反應室在2017年導致氮化鎵LED盈余7.4%,2018年將進一步增至15.8%,2019年將增至28.3%(2019年平均產能利用率為78%)。

◆聚燦光電(Focus Lighting)和深圳兆馳(Shenzhen MTC)已于近幾個月內宣布了MOCVD擴張計劃,而三安(Sanan)、歐司朗光電(Osram Opto)、華燦光電(HC Semitek)等也將在2018年進行擴張。

◆在MOCVD出貨高峰時期,2010年反應室出貨量達754個。不過,考慮到當今更加現代化的反應室所具有的更大產能,2018年晶元和芯片的實際面積產能將與峰值年相當。

在過去的兩年中,氮化鎵LED晶元和芯片盈余一直較小。產能利用率一直很高,但在需求不確定和價格下跌的環境下,供應商不愿再做進一步投資。

中國(大陸)企業再度利用補貼來應對不斷增長的需求。照明用中功率LED,汽車前大燈和標牌在2017年表現良好,并將在2018年繼續增長——甚至部分已公布的訂單可能被取消或推遲至下一年。預期產能過剩將對包括照明在內的一些市場產生較大影響,而在汽車及其他準入門檻較高的市場較少。

IHS Markit的預測考慮了可用氮化鎵LED供應——AMEC和Veeco可能將滿負荷工作,以滿足未來幾年預期的更高需求。2018年的出貨量甚至可能受現有供應量的限制,而非需求量。

中國(大陸)從其他國家和地區獲取市場份額

中國(大陸)2010至2018年間LED晶元和芯片的產能大幅增加。并已從LED市場的小玩家轉變為擁有最大產能的國家。事實上,中國(大陸)的產能比世界其他地區的總和還要大。

中國(大陸)企業這種有計劃的增長不僅是為了滿足需求。相反的,目標是增加市場份額。事實上,三安(大陸)目前的晶元和芯片產能已經領先于晶元光電(***?。?/p>

在亞洲用于普通照明的價格為0.01美元的2835中等功率LED世界中,來自其他國家和地區的LED供應商意識到其無法與中國(大陸)的補貼和低成本競爭。因此,中國(大陸)以外的供應商現在通常專注于其他LED類別的增長和盈利能力,包括高功率而非低功率,汽車而非照明,紫外線而非可見光,以及光學引擎而非封裝LED。

另一個動態是,近年來大多數非中國(大陸)企業的產能并未擴張。事實上,其中很多都沒有對MOCVD進行投資,這也就意味著,隨著時間的推移,產能將出現下降,因為舊機器會下線。這些公司反而從中國(大陸)購買芯片并將其作為封裝LED和光學引擎出售。在某些情況下,甚至將整個封裝LED的生產外包給中國(大陸)。目前產能擴張的趨勢以及在中國(大陸)的進一步擴張,可能意味著這種趨勢將持續下去。

LG Innotek的收入在2017年第四季度下降,公司宣布將重點關注高端產品和紫外線LED。這是對中國(大陸)產能擴張的直接反應。其他公司也采取了類似的策略,但除了照明以外,其通過更多地關注高端市場及汽車和標牌來避免收入下滑。

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原文標題:MOCVD反應室擴張將導致2019年28%氮化鎵LED盈余

文章出處:【微信號:gh_030b7610d46c,微信公眾號:GaN世界】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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