LP2996-N 和 LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 終止規(guī)范。該器件還支持 DDR2,而 LP2996A 支持 DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接,帶 VDDQ最小 1.35 V。設(shè)備 包含一個高速運(yùn)算放大器,可對負(fù)載瞬變提供出色的響應(yīng)。這 輸出級可防止擊穿,同時提供 1.5A 連續(xù)電流和瞬態(tài)峰值 根據(jù) DDR-SDRAM 端接的要求,應(yīng)用中高達(dá) 3 A。LP2996-N 和 LP2996A 集成一個 VSENSE 引腳,以提供出色的負(fù)載調(diào)節(jié)和 VREF 輸出作為參考 芯片組和 DIMM。
LP2996-N 和 LP2996A 的另一項(xiàng)功能是/有效關(guān)斷 (SD) 引腳,提供 Suspend To RAM (STR) 功能。當(dāng) SD 被拉低時,VTT 輸出將處于三態(tài),從而提供高阻抗 output,但 VREF 保持活動狀態(tài)。在此模式下,可以通過以下方式獲得節(jié)能優(yōu)勢 較低的靜態(tài)電流。
*附件:lp2996-n.pdf
TI 推薦將 LP2998 和 LP2998-Q1 器件用于汽車應(yīng)用和 DDR 需要在零度以下的溫度下運(yùn)行的應(yīng)用。
WEBENCH 公司^?^應(yīng)用程序設(shè)計(jì)人員可以使用設(shè)計(jì)工具來 使用 LP2998 和 LP2998-Q1 生成、優(yōu)化和模擬應(yīng)用程序。
特性
- 最小 V
DDQ:- 1.8 伏 (LP2996-N)
- 1.35 伏(LP2996A)
- 拉電流和吸收電流
- 低輸出電壓偏移
- 無需外部電阻器即可設(shè)置輸出電壓
- 線性拓?fù)?/li>
- 掛起到 RAM (STR) 功能
- 使用具有適當(dāng) ESR 的陶瓷電容器時保持穩(wěn)定
- 外部元件數(shù)量少
- 熱關(guān)斷
參數(shù)
方框圖
一、概述
LP2996-N是一款線性調(diào)節(jié)器,專為DDR(雙倍數(shù)據(jù)速率)SDRAM終止電壓設(shè)計(jì)。它支持DDR1和DDR2,并具有低外部元件數(shù)量、低輸出電壓偏移、無需外部電阻設(shè)置輸出電壓等特點(diǎn)。
二、主要特性
- ?最低VDDQ?:1.8V
- ?源和沉電流能力?:提供1.5A連續(xù)電流,瞬態(tài)峰值可達(dá)3A
- ?低輸出電壓偏移?:在負(fù)載電流變化時,輸出電壓偏移保持在±30mV以內(nèi)
- ?無需外部電阻?:即可設(shè)置輸出電壓
- ?線性拓?fù)?/strong>?:具有快速響應(yīng)負(fù)載瞬態(tài)的能力
- ?Suspend to RAM(STR)功能?:通過SD引腳實(shí)現(xiàn),降低靜態(tài)電流以節(jié)省電源
- ?熱關(guān)機(jī)保護(hù)?:防止器件過熱損壞
三、應(yīng)用
- ?DDR1和DDR2終止電壓?
- ?FPGA?
- ?工業(yè)和醫(yī)療PC?
- ?SSTL-2和SSTL-3終止?
- ?HSTL終止?
四、引腳功能
- ?AVIN?:模擬輸入引腳,為內(nèi)部控制電路供電
- ?GND?:地
- ?PVIN?:電源輸入引腳,為輸出級供電
- ?SD?:關(guān)斷引腳,低電平有效
- ?VDDQ?:內(nèi)部參考電壓輸入,等于VDDQ/2
- ?VREF?:緩沖內(nèi)部參考電壓輸出
- ?VSENSE?:反饋引腳,用于調(diào)節(jié)VTT輸出
- ?VTT?:調(diào)節(jié)輸出,連接至終止電阻
五、電氣特性
- ?參考電壓?:VREF = VDDQ/2,具有低輸出阻抗
- ?VTT輸出電壓?:根據(jù)DDR類型,在0A至±1.5A負(fù)載電流范圍內(nèi),輸出電壓保持在VDDQ/2的±30mV以內(nèi)
- ?靜態(tài)電流?:在正常工作模式下,靜態(tài)電流為320μA至500μA(取決于AVIN電壓)
- ?關(guān)斷時靜態(tài)電流?:SD引腳拉低時,靜態(tài)電流降至115μA至150μA
六、功能描述
- ?啟動過程?:啟動時,如果VDDQ的上升沿過快,可能導(dǎo)致大電流涌入,引起器件重啟。建議通過限制VDDQ的上升斜率或使用RC濾波器來避免這種情況。
- ?正常工作模式?:包含高速運(yùn)算放大器,提供優(yōu)異的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng),并能夠防止穿通。
- ?關(guān)斷模式?:SD引腳拉低時,VTT輸出變?yōu)楦咦杩梗玍REF保持活躍,以降低靜態(tài)電流。
七、布局考慮
- ?輸入電容?:推薦在PVIN引腳附近放置輸入電容,以改善大負(fù)載瞬態(tài)性能。
- ?VSENSE引腳?:應(yīng)連接至VTT終止總線的中間位置,以改善負(fù)載調(diào)節(jié)。如果VSENSE引腳跡線較長,建議在其附近放置一個小陶瓷電容以濾除高頻噪聲。
- ?熱管理?:使用裸露的熱焊盤和多個過孔來改善熱性能。
八、封裝與尺寸
提供SOIC(8引腳)、WSON(8引腳)和WQFN(16引腳)封裝選項(xiàng),具體尺寸和封裝細(xì)節(jié)請參考數(shù)據(jù)手冊。
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