有關絕對最大額定值,根據與FET同樣的理由,應選擇相對于使用條件的1.5倍~2倍左右的產品。SBD的損失為正向熱損失VF×IF和反向漏電流IR引起的熱損失的合計值。因此,選擇VF、IR都小的產品比較理想。但是,VF與IR成反比關系,一般要視負載電流而選用。VF在重負載時大,考慮到IR與負載無關為一定的值,所以輕負載時選擇IR小的產品對提高效率的效果較好,重負載時選擇VF小的產品效果較好。將上面的內容歸納于下面的表6中。
圖表6 選擇SBD的要點
圖17所示是圖18所示的XC9220A093電路中只用表7所示的SBD變更時的效率變化。可看到與XBS203V17相比, XBS204S7的IR小,所以輕負載時的效率高,而因VF較大,所以重負載時效率低。
圖
圖17. XC9220A093SBD的選擇與效率的不同
圖18. 圖17的測試電路
XC9220A093(降壓時)
表7 測試了圖17的SBD的各種特性
CL的選擇
CL越大則紋波越小,但過分大的話,電容器的形狀也大,成本提高。CL由所需的紋波大小而定。首先,大致以10mV~40mV的紋波大小為目標,升壓時從表8的電容值開始,降壓時從表9的電容值開始。但是,不支持低ESR電容器的DC/DC有異常振蕩的危險,以連續模式使用時要想采用低ESR電容器的話,應預先檢查負載瞬態響應,確認輸出電壓能否及時穩定(振蕩大致在2次以內即收斂)。
圖19是圖20所示的XC9104D093中只更換了CL后測試的輸出紋波變化。紋波與ESR成正比,與電容值成反比地增大。鋁電解電容時,沒有并聯的陶瓷電容的話,ESR過大難以獲得輸出電流。
圖表8 升壓時CL的標準
表9 降壓時CL的標準
圖19.隨CL值變化的輸出側紋波例(XC9104D093)
圖20. XC9104D093 圖19的測試電路
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原文標題:【應用指南--設計秘笈5】考慮熱損失后選擇合適的SBD和選擇抑制紋波的CL
文章出處:【微信號:gh_454737165c13,微信公眾號:Torex產品資訊】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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