全球第二大晶圓代工廠格芯(GF)決定無限期擱置7納米投資計劃后,7納米及更先進制程晶圓代工市場將呈現臺積電及三星雙雄競逐局面。臺積電結合旗下創意分進合擊,三星則與智原擴大合作,明年可望在7納米及8納米市場搶下多款ASIC訂單。
臺積電及三星在ASIC市場布局
■ 想對抗臺積電、創意聯軍
三星集團去年將晶圓代工事業切割為獨立晶圓代工廠Samsung Foundry后,同步建立了先進制程整合服務的(Samsung Advanced Foundry Ecosystem,SAFE)完整生態系統,并尋求合適的特殊應用IC(ASIC)合作伙伴。智原今年1月加入三星SAFE體系,不到半年時間就完成了數顆10納米區塊鏈ASIC設計定案,三星因此決定與智原在ASIC市場擴大合作。
三星除了在未來幾年在先進邏輯制程上予以智原完整支援,也提供在存儲器及先進2.5D/3D封裝技術的奧援。三星攜手智原,就是要在ASIC市場對抗臺積電及創意聯軍,并進一步爭取包括蘋果、亞馬遜、Google、思科等系統廠或網絡廠ASIC訂單。
事實上,三星近期更新了晶圓代工先進制程技術藍圖,今年推出支援極紫外光(EUV)微影技術的7納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程,也將新增采用浸潤式微影技術的8納米8LPU制程。同時,明年還會推出支援EUV技術的5納米及4納米FinFET制程,以及可支援嵌入式射頻(+RF)與嵌入式磁阻式隨機存取存儲器(eMRAM)的18納米全空乏絕緣層上覆硅(FD-SOI)的18FDS制程。
至于被視為可以取得FinFET電晶體架構的全環繞電晶體(Gate-All-Around,GAA)架構,三星預估會在2020年推出采用GAA架構并支援EUV技術的3納米制程。面對臺積電在先進封裝技術上的積極卡位,三星推出可與臺積電整扇出型晶圓級封裝(InFO)抗衡的FOPLP-PoP封裝制程,以及與臺積電CoWoS封裝制程相抗衡的I-Cube封裝制程。
再者,三星集團本身擁有龐大的DRAM及NAND Flash產能,明年將推出異質晶圓同尺寸完整堆疊的3D SiP封裝。
■ 智原的ASIC設計能力助威
智原表示,今年1月加入三星SAFE生態系統,搭配完整驗證的知識產權(IP)解決方案,使客戶的ASIC在三星FinFET制程技術中得以快速實現。三星晶圓代工和智原ASIC設計服務的結合,將加速客戶在創新應用擴展,并提升芯片效能以及市場競爭力。
-
asic
+關注
關注
34文章
1199瀏覽量
120439 -
三星電子
+關注
關注
34文章
15860瀏覽量
180987 -
臺積電
+關注
關注
44文章
5632瀏覽量
166415 -
智原
+關注
關注
0文章
8瀏覽量
7916
發布評論請先 登錄
相關推薦
評論