埋嵌元件基板由于元器件的三維配置而使PCB或者模組小型化，縮短元件之間的連接路徑，降低傳輸損失，它是可以實現便攜式電子設備多功能化和高性能化的安裝技術。鑒于此，本文主要概述了埋嵌元件PCB的元件互聯技術，以及對埋嵌元件PCB的評價解析。

1 前言

埋嵌元件基板由于元器件的三維配置而使PCB或者模組小型化，縮短元件之間的連接路徑，降低傳輸損失，它是可以實現便攜式電子設備多功能化和高性能化的安裝技術。多層板中埋嵌LSI或者無源元件方式的埋嵌元件基板從2003年開始采用，從2006年開始正式用作高功能便攜電話或者用于表用的小型模組基板。這些基板分別采用了元件制造商和PCB制造商獨自開發的特征構造和工藝。本文就參考日本電子電路工業協會（JPCA）的規格中埋嵌方式的埋嵌元件基板技術的分類，采用的元件和安裝技術和評價解析等加以介紹。

2 埋嵌元件基板技術的分類

埋嵌元件基板大致分為埋嵌個別制造的元件的方式和在基板上形成直接元件的方式。本人只限于前者方式的技術。圖1表示了埋嵌型的埋嵌元件基板按照嵌入元件的安裝方式的分類。PCB上的元件安裝方式大致有焊盤連接方式和導通孔連接方式兩大類。

圖2表示了焊盤連接方式和導通孔連接方式的代表性制造工藝。

在焊盤連接方式中，首先在基板上形成的電極上安裝嵌入的元件并進行電氣連接。連接完成以后采用絕緣樹脂同時填充和埋沒元件和電極。連接時采用現有的表面安裝技術。連接材料采用焊料或者導電膠。嵌入元件的安裝：元件為裸芯片時選擇裸芯片粘結（Die Bonding）；元件為無源元件或者模塑封裝（Mould Package）或者WLP（Wafer LevelChip Scale Package）時安裝選擇（Mounting）：裸芯片的倒芯片連接（Flip Chip Bond）采用超聲波接合、C4（Controlled Collapse Chip Connection控制熔化高度芯片連接）、ESC（Epoxy Encapsulated SolderConnection環氧樹脂囊包焊接）、導電性樹脂和各向異性導電樹脂（ACF/ACP,Auisotropic ConducliveFilm /Anisoropic Conductive Paste）和非導電性樹脂（NCF/NCP,Non Conductive Film / Non CondctivePaste）等安裝技術。無源元件的連接采用焊料再流焊或者導電性樹脂。焊盤連接方式中由于元件連接采用傳統的表面安裝技術而具有有效利用現有制造設備的優點。另外，由于實施了元件安裝連接以后和埋嵌以前的檢查，所以可以對安裝過程中發生的不良品進行篩選或者修理和返工。

導通孔連接方式中，PCB和元件進行電氣連接以前采用絕緣樹脂埋嵌元件。元件埋置以后，覆蓋元件電極的樹脂上進行激光加工，形成導通孔以后采用鍍層填充導通孔，進行PCB與元件的電氣連接。導通孔連接方式的特征是元件的電極上接合直接鍍銅（Cu）層。由于沒有介入表面安裝中使用的焊料或者凸塊那樣的接合部，所以期待著與多層板的內部線路同等的低連接電阻和高連接可靠性，另外還可以采用全層IVH（Interstitial Via Hole）使用的導電膠進行導通孔連接，與多層板的層間連接同樣的導電膠用于與元件的連接，采用同時進行埋置和連接的匯總積層工藝可以簡化工程復雜的元件埋嵌基板的制造工藝。

上面介紹了按照埋嵌元件的安裝技術分類的埋嵌元件基板的種類和大致的制造工藝。下面參照迄今的開發事例介紹埋嵌元件基板的制造中采用的各種安裝技術。

3 焊盤連接方式的埋嵌元件基板

焊盤連接方式中在內層基板上安裝元件以后，采用絕緣樹脂埋置。嵌入的元件分為裸芯片（Bare Die）和其它元件，下面介紹連接用的表面安裝技術。

?3.1 裸芯片粘結方式

圖3表示了利用倒芯片安裝嵌入裸芯片的工藝。

圖3（a）表示在裸芯片的電極上形成金（Au）堆積凸塊。使用NCP與PCB的電極進行加熱加壓連接的方式。PCB的電極表面上沒有進行鍍金（Au）或者鍍錫（Sn）等，而是原本的銅（Cu）。銅（Cu）表面上施行粗化處理，旨在提高與樹脂的附著力。加熱加壓連接時，接合部必須維持壓縮應力，對于提高連接可靠性至關重要。圖3（a）中著眼于NCP的熱機械特性，選擇高彈性和高膨脹系數的樹脂可以獲得充分實用的連接可靠性。

另外還有使用ACP代替NCP的熱壓連接的安裝方法。在裸芯片的鋁（Al）電極上形成金（Au）球凸塊以后，涂布底膠ACP,實施加壓加熱，即可電氣連接。接合可靠性與NCP時同樣取決于底膠樹脂的物理性能。圖3（b）表示了使用銀（Ag）膠凸塊和ACP的連接方式。PCB的電極上印刷銀（Ag）膠形成銀（Ag）凸塊，涂布底膠ACP使用倒芯片粘結器熱壓接合。裸芯片的電極上沒有形成銅（Cu）或者金（Au）凸塊而是采用鋁（Al）進行熱壓連接。

圖3（b）的熱壓連接銀（Ag）膠凸塊的連接技術在積層板中已經量產化，它是應用了利用導電性凸塊的層間連接技術（B2it,Buried Bump InterconnectionTechnology）。

圖3（a）和（b）與多層板制造技術相組合的元件嵌入基板的實用化比例，利用NCP和ACP的元件連接技術，采用導電性凸塊進行層間連接。制造利用導電性樹脂凸塊連接的雙面板，在內層上安裝元件以后，與外層的基板組合在一起加熱加壓而埋入元件，同時采用凸塊使線路層間匯總連接。采用元件埋入以前進行線路形成的工藝有利于減少不良率和提高生產性。

?3.2 芯片安裝方式

圖4表示了印刷焊膏的內層的基板上采用芯片安裝器（Chip Mouuter）搭載元件并采用再流焊工藝熔融焊料的連接方式。采用使LSI WLP化的芯片安裝（Chip Mounting）和再流焊工藝同時的搭載和連接有源元件和無源元件。它是模型封裝的LSI或者模組等大多數通用元件可以采用的嵌入技術。采用焊接連接嵌入元件時，由于基板表面上安裝元件的模組基板第二次安裝到母板上，經過再度再流焊工藝時擔心焊料凸塊（焊料球）熔融而影響到導通和絕緣特性。因此采用樹脂覆蓋焊料的周圍，抑制再熔融產生的流動，從而可以避免上述問題。

4 導通孔連接方式的元件埋嵌基板

導通孔連接方式中，元件嵌入以后進行與基板的連接。有源元件和無源元件的全部元件的電極視為內層的線路圖形，利用積層技術在元件上部形成線路層。

?4.1 裸芯片粘結方式

嵌入的LSI WLP化，采用銅（Cu）線路引出WLP化的電極，擴大了電極間節距，實現了與現有PCB加工工藝親和性高的埋入工藝。另外由于WLP化而確保良好的裸芯片（KGD,Known GoodDie）。相對與連接以后元件難以修理的導通孔連接方式來說具有很大的優越性。

圖5表示了代表性的導通孔連接方式的有源元件嵌入技術的制造工藝。嵌入的LSI WLP化，形成銅（Cu）線路和銅（Cu）凸塊，施行樹脂涂復。薄片化的裸芯片背面粘貼裸芯片附著膜（DAF,DieAttachment Film）以后進行位置重合，在基板上面朝上粘結。半固化片和表層基板積層，加熱加壓以后使裸芯片嵌入。在嵌入的WLP的電極位置上從基板表面進行激光加工，形成導通孔以后采用鍍層填充導通孔，連接WLP的電極和基板的線路。由于裸芯片的表面由樹脂保護，所以在嵌入加工工程中可以減少損傷或者污染等方面的危險。

圖6是導通孔的材料使用導電膠的方式。使用多層板的層間連接所用的銅（Cu），銀（Ag）和燒結合金等材料，通過壓接或者金屬結合而連接元件。

圖6表示了在聚酰亞胺多層板上嵌入經過背面研磨而薄型化的WLP例。嵌入的LSI經過WLP加工使電極的節距擴大到與PCB的導通孔同樣的節距，厚度達到0.1 mm以下的薄型化。基板上形成的導通孔填充未固化的導電膠，基板/WLP和隔板（Spacer）/基板積層，一次加熱加壓。加熱過程中依次進行導通孔中填充的導電膠固化，粘結材的流動和固化，同時完成了PCB/WLP之間的電氣連接和嵌入粘結。利用導電膠導通孔的一次積層法中，由于在PCB的積層與元件的嵌入以前已經形成全層的線路，所以具有降低元件嵌入以后所發生的不良率的優越性。為了使該工藝適應將來的LSI的多針化，與裸芯片連接的導通孔節距的微細化是今后的課題。

?4.2 芯片安裝（Mounting）方式

圖7表示了使用激光導通孔加工和鍍層連接的元件嵌入工藝。把嵌入的元件置于基板的一部分上設置的空腔（Cavity）內，然后用樹脂填充而嵌入元件。使用厚銅（Cu）芯的基板，利用銅（Cu）的蝕刻形成空腔。芯板一面上貼附樹脂片，堵塞空腔的一側以后，在它的底面上固定元件。空腔的開口側積層樹脂片并進行加熱，空腔內壁與元件的間隙用樹脂填充使元件固定。嵌入元件的電極上的樹脂形成激光導通孔開口。采用半加成法形成基板表層線路的同時采用鍍銅（Cu）層填充導通孔。基板正反面的連接，空腔形成時預先在銅（Cu）芯的一部分開口，充填樹脂以后采用激光形成貫通孔。采用該技術的基板具有優良的導熱性，尤其是嵌入發熱量多的元件時具有高散熱性的特征。

圖8表示了利用一次積層法的元件嵌入工藝的概念圖，作為利用導電膠的一次積層法的無源元件埋入技術，Ag-Sn系合金材料用于導通孔，LCP用作絕緣材料。配置元件處形成空腔的單面板積層規定的枚數，與此同時元件插入空腔以后進行加熱加壓。導通孔內填充的由Ag和Sn構成的膠材料由于加熱而燒結，與此同時Sn擴散到線路板和元件的Cu電極上形成金屬結合。熱可塑性材料LCP（Liquid CrystalPolymer）由于加熱而軟化，使基板之間接合，與此同時流入到元件與空腔的間隙而嵌入元件。加熱加壓過程中由于樹脂的流動影響到導通孔形成，元件與小型基板的間隙附近存在導通孔時，樹脂流通的精確控制對于確保連接可靠性至關重要。