面對四月份美國對中興芯片禁運事件，我們體會到被別人拿住軟肋、受制于人的痛楚，而生產高性能芯片必須的關鍵設備就是光刻機，今天我們就來說一說光刻機的那些事兒。

光刻機（MaskAligner），又名掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等，其中掩模對準光刻法是比較常用的光刻機，本文搜集整理的資料和例證主要以掩模對準光刻機為主。

光刻機的分類

高端的投影式光刻機可分為步進投影和掃描投影光刻機兩種，分辨率通常在十幾納米至幾微米之間，高端光刻機號稱是世界上最精密的儀器，高端光刻機堪稱現代光學工業之花，其制造難度大，目前全球只有少數幾家公司能夠制造。

國外品牌的光刻機主要以荷蘭ASML（光刻機鏡頭來自德國）、日本Nikon和日本Canon三大品牌為主。國內的光刻機主要是上海微電子裝備股份有限公司SMEE研制的具有自主知識產權的投影式中端光刻機，目前該公司的光刻機已經初步形成產品系列，開始在海內外銷售。

生產和研發用的低端光刻機為接近、接觸式光刻機，分辨率通常在數微米以上，主要是德國、美國和中國的產品品牌。

光刻機性能指標

光刻機的主要性能指標是支持基片的尺寸范圍、分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等“硬性”指標。

1）分辨率是指光刻加工工藝可以達到的最細線條精度。光刻的分辨率主要受到光源衍射極限的限制，也就是說受我們所說的阿貝極限（光學顯微鏡的分辨率極限約是可見光波長的一半）的限制。推而廣之，光刻機的分辨率也就受到光刻光學系統、光刻膠和光刻工藝等方面的限制。

2）對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。

掩膜對準光刻機光刻流程

一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗、烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。最初的工序是用光來制作一個掩模版，然后在硅片表面均勻涂抹光刻膠，將掩模版上的圖形或者電路結構轉移復制到硅片上，然后通過光學刻蝕的方法在硅片上刻蝕出已經“復制”到硅片上的內容。

曝光系統

曝光系統是光刻機的核心部件之一，為了盡量減小衍射極限的限制，曝光系統大量采用紫外、深紫外和極紫外光做光源，比如汞燈、準分子激光器。曝光系統主要實現平滑衍射效應、實現均勻照明、濾光和冷光處理、實現強光照明和光強調節等功能。曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。但總體來說，曝光系統所采用的光源必須滿足如下的要求：

1）適當的波長

波長越短，光刻的刀鋒越鋒利，可以用于刻蝕的特征尺寸就越小，刻蝕過程對精度的控制更好。

2）有足夠的能量

能量越大，每一次刻蝕中所花費的曝光時間就越短。

3）能量必須均勻地分布在曝光區

曝光區域的光的均勻度或者平行度越高，硅片上的刻蝕痕跡的深度和寬度更加趨于一致，刻蝕精度更高、更易于控制。

對準系統

對準系統是光刻機另一個核心的部件，制造高精度的對準系統需要具有近乎完美的精密機械工藝，這也是全球的光刻機技術難點，許多美國品牌和德國品牌的光刻機具有特殊專利的機械工藝設計，比如可以有效避免軸承機械摩擦誤差的全氣動軸承設計專利技術。

當然，顯微光學系統和CCD探測器是光刻機對準系統的另一個難題。根據操作的簡便性和精度的高低，光刻機的對準方式可以分為手動、半自動、全自動三種。

篳路藍縷以啟山林

“一萬年太久，只爭朝夕”，為了縮短我國與國際先進光刻技術的差距，打破國際高端光刻機市場的壟斷和限制，我國的 “02專項”（《極大規模集成電路制造技術及成套工藝》項目）的規劃中就已經確定了研制高端光刻機的戰略目標，將極紫外光刻關鍵技術列入“32-22nm裝備技術前瞻性研究”的重要攻關任務，長春光機所、成都光電所、上海光機所、微電子所、北京理工大學、哈爾濱工業大學、華中科技大學等研究單位一起進行攻關。