DDR4內(nèi)存目前還是絕對主流,不斷被深入挖潛,頻率已經(jīng)突破5GHz,不過下一代DDR5也已經(jīng)蠢蠢欲動了。Cadence公司今天就宣布了DDR5的全新進(jìn)展,無論工藝還是頻率都相當(dāng)領(lǐng)先。
目前,JEDEC標(biāo)準(zhǔn)組織正在研究下一代DDR5內(nèi)存規(guī)范,已經(jīng)有了初步版本,Cadence此番拿出的就是面向新規(guī)范的第一個DDR5 IP物理層接口芯片。
該測試芯片采用臺積電7nm工藝制造,數(shù)據(jù)率可達(dá)4400MT/s,也就是頻率高達(dá)4400MHz,相比目前商用最快的DDR4-3200快了多達(dá)37.5%。
為了支持Cadence DDR5 PHY物理層的驗(yàn)證和協(xié)作,美光也向其提供了DDR5內(nèi)存初步版本的工程原型。
在此之前,Rambus也曾經(jīng)提到過7nm工藝下的DDR5 IP,并預(yù)計(jì)DDR5內(nèi)存要到2020年才會商用,首批自然還是服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心,消費(fèi)級就更靠后了。
值得一提的是,AMD曾保證說現(xiàn)在的AM4接口會一直支持到2020年,到時候極可能就會更換新接口,加入對DDR5的支持。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
原文標(biāo)題:飛一般的DDR5內(nèi)存來了!DDR4頓時泄氣
文章出處:【微信號:bandaotiguancha,微信公眾號:半導(dǎo)體觀察IC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
相關(guān)推薦
,DDR5內(nèi)存已成為市場主流,并逐步取代DDR4內(nèi)存。值得注意的是,消費(fèi)級平臺已不再支持DDR4,這使得DDR4內(nèi)存開始加速向DDR3目前所
發(fā)表于 02-19 11:11
?522次閱讀
DDR3、DDR4、DDR5是計(jì)算機(jī)內(nèi)存類型的不同階段,分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SDRAM)。以下是它們之間的性能對比: 一、速度與帶寬 DDR
發(fā)表于 11-29 15:08
?5614次閱讀
DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展,內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù),相較于DDR4內(nèi)存,在性能上有著顯著的提升。 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率
發(fā)表于 11-29 14:58
?1138次閱讀
DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡介 DDR5(Double Data Rate 5)是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SDRAM)。它是
發(fā)表于 11-22 15:38
?3074次閱讀
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR(Double Data Rate)內(nèi)存條作為計(jì)算機(jī)的重要組成部分,其性能直接影響到電腦的運(yùn)行速度和穩(wěn)定性。DDR3和DDR4是目前市場上最常
發(fā)表于 11-20 14:24
?3504次閱讀
DDR4(Double Data Rate 4)時序參數(shù)是描述DDR4內(nèi)存模塊在執(zhí)行讀寫操作時所需時間的一組關(guān)鍵參數(shù),它們直接影響到內(nèi)存的性能和穩(wěn)定性。以下是對DDR4時序參數(shù)的詳細(xì)解
發(fā)表于 09-04 14:18
?4374次閱讀
DDR4內(nèi)存的工作頻率是指DDR4內(nèi)存條在運(yùn)行時所能達(dá)到的速度,它是衡量DDR4內(nèi)存性能的一個重要指標(biāo)。DDR4內(nèi)存作為目前廣泛使用的內(nèi)存類型之一,其工作頻率經(jīng)歷了從最初的低頻率到當(dāng)前
發(fā)表于 09-04 12:45
?2205次閱讀
DDR4內(nèi)存頻率的最高值是一個隨著技術(shù)進(jìn)步而不斷演變的指標(biāo)。目前,DDR4內(nèi)存的頻率已經(jīng)取得了顯著的提升,但具體到最高頻率,則需要結(jié)合多個方面來討論。
發(fā)表于 09-04 12:37
?3937次閱讀
DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)的時鐘頻率和速率之間存在著緊密的關(guān)系,這種關(guān)系對于理解DDR4內(nèi)存的性能特性至關(guān)重要。以下將詳細(xì)探討DDR4時鐘頻率和速率之間的關(guān)系,包括它們?nèi)绾蜗嗷ビ绊憽⑷绾魏饬恳约霸趯?shí)際應(yīng)用
發(fā)表于 09-04 11:44
?4157次閱讀
DDR4,即第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory),是計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)的一個重要
發(fā)表于 09-04 11:43
?3735次閱讀
DDR5 RDIMM及支持下一代MR-DIMM單體測試驗(yàn)證系統(tǒng) (DDR5 MR-DIMM Module Test System), 支持的速率可高達(dá)17.4Gbps.
DDR5內(nèi)存測試系統(tǒng)
發(fā)表于 08-06 12:03
DDR5標(biāo)準(zhǔn)JESD79-5文件中沒有明確的控制阻抗建議,DDR4時代基本內(nèi)存條上時鐘阻抗還是跟著芯片、主板走的70-80歐姆。線寬相對而言比較細(xì)。不知道你開始使用DDR5沒有,你有關(guān)
發(fā)表于 07-16 17:47
?2531次閱讀
01活動主題DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號專題設(shè)計(jì)技術(shù)交流活動時間:2024年7月6日(本周六)10:00地點(diǎn):深圳市南山區(qū)科技南十二路曙光大廈1002(深圳地鐵1號線,高新園地鐵站D出口200
發(fā)表于 07-06 08:12
?466次閱讀
此文盡量排除高深莫測的DRAM相關(guān)技術(shù)名詞,讓各位迅速了解DDR5相對DDR4的優(yōu)勢與可能的影響,最后再同場加映英特爾Atomx6000系列引進(jìn)的「In-BandECC」技術(shù),讓大家瞧瞧英特爾如何在
發(fā)表于 05-09 08:27
?1291次閱讀
2021 年,JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn),標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules (DIMM) 的過渡。
發(fā)表于 03-17 09:50
?3422次閱讀
評論