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DRAM、FPGA、集成電路總體和光刻設(shè)備領(lǐng)域的專利態(tài)勢分析

電子工程師 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:工程師d ? 2018-05-16 01:24 ? 次閱讀

近日,中國集成電路知識產(chǎn)權(quán)聯(lián)盟秘書處綱正知識產(chǎn)權(quán)中心發(fā)布了《集成電路專利態(tài)勢報告(2018版)》。該報告分別從集成電路總體、DRAM 領(lǐng)域、FPGA 領(lǐng)域、光刻設(shè)備領(lǐng)域這四個方面,分析了各個領(lǐng)域的專利態(tài)勢。

集成電路總體專利態(tài)勢

首先來看集成電路總體的專利態(tài)勢,據(jù)報告顯示,集成電路領(lǐng)域?qū)@暾埩繎B(tài)勢逐年增長。2010年-2015年間年均增長率 5.89%,其中 2015 年增速最高,達(dá)到 9.28%。

截止到 2017 年 12 月 31 日,集成電路領(lǐng)域全球公開專利申請 209.7 萬件,授權(quán) 144.5 萬件。其中,中國大陸申請 46.4 萬件,授權(quán) 27.8 萬件,緊隨美國和日本之后,位列第三。

報告指出,《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》等全國及地方各層面戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)規(guī)劃的相繼出臺營造了良好發(fā)展環(huán)境,激發(fā)企業(yè)活力和創(chuàng)造力,帶動產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同可持續(xù)發(fā)展,推動中國集成電路領(lǐng)域跨越式發(fā)展。

截至目前,全球?qū)@暾埧偭康墓谲娛?a href="http://www.1cnz.cn/tags/三星/" target="_blank">三星,隨后分別是 NEC、高通、日立、富士通松下東芝、三菱化學(xué)、IBM 和索尼??梢钥吹?,在前十名中有一家韓國企業(yè)、兩家美國企業(yè)和七家日本企業(yè)。

而在中國大陸專利申請總量排名中,排在第一和第二位的分別是中興通訊和華為。隨后分別是三星、國家電網(wǎng)、高通、京東方、松下、OPPO、英特爾和臺積電。

從 2017 年新公開的全球?qū)@暾埩颗琶麃砜?,高通和三星仍占?jù)前兩位。值得一提的是,排名前十的企業(yè)中,有三家中國企業(yè)上榜,分別是華為、中興和京東方,可見中國企業(yè) 2017 年也在全球持續(xù)大量布局。

而在 2017 年新公開的中國大陸專利申請量排名中,申請量最大的為中興通訊,其后為國家電網(wǎng)、努比亞和華為,與中國大陸申請總量排名差異不大。值得一提的是,OPPO 和小米等中國廠商進(jìn)入前十,表明近年來在加強專利布局方面正在逐步追趕。

在集成電路行業(yè)專利技術(shù)領(lǐng)域排名(IPC 大組前十)中,申請量較大的領(lǐng)域集中于集成電路的制造、零器件、數(shù)據(jù)交換與傳輸、光刻設(shè)備以及存儲器。

在中國大陸內(nèi)地省市專利排名中,廣東省集成電路專利申請量達(dá) 90790 件,位居全國首位。北京、江蘇、上海和浙江緊隨其后,分別以52067件、35336件、31298件、24493件專利申請量位居第二、三、四、五位。

總體來看,全球集成電路行業(yè)專利態(tài)勢呈現(xiàn)五個特點:一是全球范圍內(nèi)集成電路行業(yè)的專利申請量現(xiàn)階段趨于穩(wěn)定;二是在申請人和申請地域兩個維度呈現(xiàn)聚集的特點;三是申請人以企業(yè)為主;四是 2017 年,集成電路領(lǐng)域?qū)@_量仍然較大;五是中國信息技術(shù)申請總量中占比較高的多為經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá)地區(qū)。

DRAM 領(lǐng)域?qū)@麘B(tài)勢

在 DRAM 領(lǐng)域,截止到 2017 年 12 月 31 日,全球公開專利申請 14 萬余件,全球申請總量排名日本最高,其后是美國和韓國。其中,中國大陸專利 6 千余件,位居第六位。

DRAM 行業(yè)專利申請高峰期在 1995 年到 2006 年。1995 年申請量開始新一輪激增,正是 DDR 技術(shù)開始發(fā)展的時期。巔峰時期可以達(dá)到年申請量 6000 多件,從 2007 年開始專利申請量逐年下降,近兩年維持在每年 2000 件左右。

在全球 DRAM 專利申請總量排名中,位居前列的主要申請人有:三星、海力士、美光和日立。值得注意的是,這與 DRAM 內(nèi)存市場占有率也相匹配。

而在中國大陸 DRAM 專利申請總量排名中,位居前列的企業(yè)主要有:海力士、三星、NEC 和IBM等。

總體來看,DRAM 領(lǐng)域?qū)@麘B(tài)勢呈現(xiàn)三個特點:一是 DRAM 領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展較為成熟,技術(shù)研發(fā)投入有所減少;二是 DRAM 研發(fā)重心在于 DRAM 操作和設(shè)計方面;三是 DRAM 領(lǐng)域知識產(chǎn)權(quán)作用巨大。

FPGA 領(lǐng)域?qū)@麘B(tài)勢

在 FPGA 領(lǐng)域,截止到 2017 年 12 月 31 日,全球公開專利申請 8 萬余件,全球申請總量排名中國大陸最高,總共申請專利 2 萬余件,其后是美國和日本。

FPGA 領(lǐng)域全球?qū)@暾埥?jīng)歷了三個階段,第一個階段是 1989 年到 2000 年,處于萌芽期,申請量較少,第二階段是 2001 年到 2012 年,是 FPGA 產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展期,年申請量直線上升,第三階段是 2013 年到 2017 年,上升趨勢趨于穩(wěn)定,年申請量小幅上升。

在全球 FPGA 專利申請總量排名中,位居前三的企業(yè)為 ALTERA賽靈思和 L attice。值得一提的是,在前十的排名中,有兩家中國企業(yè)也入圍了,分別是位居第四和第七的中國電網(wǎng)和中興。

而在中國大陸 FPGA 專利申請總量排名中,主要的申請人為國家電網(wǎng)、中興通訊和華為等企業(yè)及北京航空航天大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、浙江大學(xué)和電子科技大學(xué)等高校。

報告指出,F(xiàn)PGA 領(lǐng)域?qū)@饕性?H03K19/177和 H03K19/173矩陣式排列的邏輯電路,另外,由于 FPGA 中很多涉及硬件電路編程語言的,還有相當(dāng)一部分專利聚焦在計算機(jī)輔助設(shè)計、電路測試上。

總體來看,F(xiàn)PGA 領(lǐng)域?qū)@麘B(tài)勢呈現(xiàn)四個特點:一是FPGA領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展較為成熟,上升趨勢趨于穩(wěn)定;二是全球范圍內(nèi),中國、美國和日本申請量位于前列;三是 FPGA 領(lǐng)域?qū)@钟姓呦鄬Ρ容^集中;四是 FPGA 領(lǐng)域國內(nèi)主要研發(fā)主體還是高校。

光刻設(shè)備領(lǐng)域?qū)@麘B(tài)勢

在光刻設(shè)備領(lǐng)域,截止到 2017 年 12 月 31 日,全球公開專利申請 8.2 萬件,全球申請總量排名美國最高,其后是日本和韓國。其中,中國大陸專利 1 萬件,位居第四位。

在全球光刻設(shè)備專利申請總量排名中,ASML 位居榜首,緊隨其后的是卡爾蔡司、海力士和三星。

而在中國大陸光刻設(shè)備專利申請總量排名中,除 ASML 依然位居榜首外,其余位居前十的基本都是中國企業(yè),分別有中芯國際、上海微電子裝備有限公司、京東方、上海華虹宏力、上海華力微電子,還有中科院光電研究所和中科院微電子所兩家科研院所。

報告指出,光刻領(lǐng)域?qū)@琶^高的類別聚焦在 G03F7圖紋面、H01L21專門適用于制造和處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備上,申請量明顯高出其他分類。

總體來看,光刻設(shè)備領(lǐng)域?qū)@麘B(tài)勢呈現(xiàn)四個特點:一是光刻設(shè)備技術(shù)近幾年申請量相對穩(wěn)定;二是全球范圍內(nèi)日本和美國申請量位于全球前列,韓國第三;三是光刻設(shè)備領(lǐng)域中國主要的申請人中,主要為企業(yè);四是光刻設(shè)備主要技術(shù)集中在 G03F7、H01L21兩個 IPC 類別上,說明曝光材料及設(shè)備、半導(dǎo)體設(shè)備制造技術(shù)在光刻設(shè)備領(lǐng)域占比較高。

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