聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
閃存
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1794瀏覽量
114984 -
microchip
+關(guān)注
關(guān)注
52文章
1506瀏覽量
117622
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
ROM芯片如何寫入和擦除
PROM。紫外線照射是一種常見的方法,它通過改變PROM中的熔絲結(jié)構(gòu)來存儲數(shù)據(jù)。電子方式則是通過編程器發(fā)送特定的電壓和電流信號來改變PROM中的存儲單元狀態(tài)。 擦除過程 :PROM一旦編程,就無法擦除。如果需要更改數(shù)據(jù),必須更換一個新的PROM芯片。 2. EPROM(可
什么是閃存?它有哪些類型?
閃存(Flash Memory)是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式,它允許在操作中被多次擦除和寫入數(shù)據(jù)。這種技術(shù)主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲,以及在計算機與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù),如儲存卡與U盤
瀚海微SD NAND存儲功能描述(24)擦除超時計算
擦除單元速度類規(guī)范定義了一個新的管理單元AU(分配單元)。擦除超時計算被定義為AU的基礎(chǔ)。SD存儲卡支持塊擦除,但擦除塊需要更多的時間,這是AU(部分
stm32單片機燒錄程序會擦除原來的程序嗎
在STM32單片機燒錄程序的過程中, 通常情況下會擦除原來的程序 ,并將新程序?qū)懭雴纹瑱C的閃存(Flash)中。這一過程是通過燒錄工具(如ST-Link、J-Link等)實現(xiàn)的,它們負責將程序
GD32 MCU 入門教程】GD32 MCU 常見外設(shè)介紹(12)FMC 模塊介紹
閃存控制器(FMC),提供了片上閃存需要的所有功能。FMC 也提供了頁擦除,整片擦除,以及32 位整字或 16 位半字編程閃存等操作。 GD
使用Flash下載工具會擦除意外的附加扇區(qū)怎么處理?
esp_init_data_default.bin 到 0x0FF000 的地址,或在 2MB 的閃存上下載 0x1FF000,或在 4MB 的閃存上下載 0x3FF000)。下載成功后,發(fā)現(xiàn)地址為0的原始開機已被擦除,模塊無
發(fā)表于 07-11 06:27
HSM引導(dǎo)加載程序的HSM閃存寫入請求失敗是什么原因?qū)е碌模?/a>
我們有一個更新 HSM 的功能,更新 HSM 的請求從主機引導(dǎo)加載器轉(zhuǎn)到 HSM。 一旦收到請求,HSM 引導(dǎo)加載程序就會啟動閃存操作,只有在連接了 HSM 調(diào)試器工作區(qū)的情況下,任何閃存寫入或擦除操作才會起作用,如果只連接了主
發(fā)表于 07-05 06:28
TC275TP PFLASH中的一些地址在擦除后并不全是0x00,為什么?
你好,我正在測試閃存擦除。 在擦除和隨后的回讀過程中,我發(fā)現(xiàn) PFLASH 中的一些地址在擦除后并不全是 0x00,其中大部分都是 1 位非零值,但 DFlash 沒有這種問題。
發(fā)表于 07-05 06:17
請問如何分割PSoC4的閃存擦除和寫入活動?
/143185
無論如何,我想找到更多的信息,也許 FAE 沒有完全理解我的問題。
目前,我們使用 PSoC4 實現(xiàn)基于 LIN 的 FBL,需要先擦除整個 APP 存儲區(qū),然后在數(shù)據(jù)傳輸過程中寫入數(shù)據(jù)
發(fā)表于 07-03 06:59
AURIX? TC275處于比較模式的STM0在閃存擦除后停止觸發(fā)中斷怎么解決?
我將 STM0 設(shè)置為 TC275 比較模式,以運行一個簡單的操作系統(tǒng)。
在我的應(yīng)用程序中,代碼的運行符合預(yù)期。
現(xiàn)在,我開始在引導(dǎo)加載程序中使用相同的邏輯,但不幸的是,我發(fā)現(xiàn)在擦除/寫入閃存后
發(fā)表于 05-17 11:31
武漢新芯集成電路“存儲器及擦除技術(shù)”專利公開發(fā)布
該發(fā)明揭示了一種新的存儲器擦除技術(shù),其獨特之處在于首先接收到擦除指令,然后再評估擦除錯誤位置和地址是否滿足擦除要求。如果確認為條件符合則啟動擦除
在TLE9879上從代碼中擦除Code Flash Page時出現(xiàn)問題求解
我目前正在做一個涉及 TLE9879 MCU 的項目,我遇到了擦除代碼中一頁代碼閃存的問題。 奇怪的是,我能夠成功地對其進行編程,但在嘗試擦除時卻遇到了故障。
如果能就這種差異的潛在原因提出任何見解
發(fā)表于 01-30 07:24
扇區(qū)擦除后,許多PFLASH位不會被擦除是怎么回事?
一會兒還是在更高的溫度下翻轉(zhuǎn)。
用戶手冊中給出的信息相互矛盾:
aurixtc3xx_ts_part1_v2.5.1.pdf 第 349 頁,共 2155 頁
6.2.1 閃存操作條款擦除
發(fā)表于 01-30 06:51
使用miniprog4和Traveo ii和cypress autoflash實用程序,使用命令擦除閃存時報錯怎么解決?
我正在使用 miniprog4 和 Traveo ii 和 cypress autoflash 實用程序。 當我嘗試使用命令擦除閃存時,出現(xiàn)以下錯誤:
C
發(fā)表于 01-29 08:20
XMC4200的EEPROM仿真時,EEPROM數(shù)據(jù)都被擦除了的原因?
開始工作了。 所有讀/寫操作均正常運行。問題。--------------EEPROM是如何在微控制器 POWER_DRILL2GO 時被完全擦除的。為什么寫入操作受到限制。整個閃存擦除后,EEPROM 如何重新開始運行。如何解
發(fā)表于 01-18 09:25
評論