5月21日上午，在上海浦東新區康橋工業園南區，由華虹集團旗下上海華力集成電路制造有限公司建設和營運的12英寸先進生產線建設項目（以下簡稱“華虹六廠”）實現首臺工藝設備——光刻機搬入。

據悉，此次搬入的首臺工藝設備為荷蘭阿斯麥公司的NXT 1980Di光刻機，是目前中國大陸集成電路生產線上最先進的浸沒式光刻機。

華力12英寸先進生產線建設項目是上海市最大的集成電路產業投資項目，總投資387億元人民幣，將建成月產能4萬片的12英寸集成電路芯片生產線，工藝覆蓋28-14納米技術節點。項目計劃于2022年底建成達產，主要從事邏輯芯片生產，重點服務國內設計企業先進芯片的制造，并滿足部分事關國家信息安全的重點芯片制造需求。

據了解，近日陸續有多臺ASML 的設備運入中國大陸晶圓制造廠。其中，中芯國際的已經購入首臺價值1.2億美元的ASML EUV設備；長江存儲的首臺光刻機也已運抵武漢天河機場，這臺光刻機為ASML的193nm浸潤式光刻機，售價7200萬美元用于14nm~20nm工藝。

ASML的光刻機安全降落武漢天河機場，正在卸貨中。

5月19日消息，當天中午，長江存儲購買自荷蘭ASML的光刻機運抵武漢天河機場。這是長江存儲的首臺光刻機，陸續還會有多臺運抵。

報道稱，該設備在相關的海關、商檢及邊防口岸的相關手續辦理完成后，即可運至長江存儲的工廠。據介紹，這臺光刻機為ASML的193nm浸潤式光刻機，售價7200萬美元（約合人民幣4.6億元），可用于14-20nm工藝。這也從側面透露了長江存儲3D NAND閃存芯片的工藝制程。

值得注意的是，這是一周以來，中國企業第二起突破芯片技術封鎖的事件。

此前，根據日媒消息報道，中芯國際耗資1.2億美元從荷蘭ASML購得世界上最先進的EUV（極紫外線）光刻機，未來可用于生產7nm工藝芯片。

2016年3月，長江存儲啟動了位于武漢的國家存儲器基地的建設，總投資240億美元，計劃2018年投產，2020年形成月產能30萬片的規模。

是年12月，國家存儲器基地正式動工，計劃分三個階段，共建三座3D-NAND Flash廠房。

其中，第一階段的廠房已去年9月完成建設。

2018年4月11日，芯片生產機臺正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段。

紫光集團全球執行副總裁暨長江存儲執行董事長高啟全更是披露：長江存儲的3D NAND Flash已經獲得第一筆訂單，總計10776顆芯片，將用于8GB USD存儲卡產品。

他在接受采訪時強調：“這僅是剛剛開始”。

今年底，基地就將進行試產，初期投片量不超過1萬片，用于生產32層3D-NAND Flash產品，不少產業鏈企業都拿到了樣片測試。

明年，長江存儲力爭64層堆疊3D閃存實現規模量產，單顆容量128Gb(16GB)，與世界領先水平差距縮短到2年之內。

另外，紫光集團在武漢、南京、成都三地都有300mm閃存晶圓廠，這次率先啟動的是武漢工廠，同時募集的800億元資金也已經全部到位。

用不了多久，用戶就能看到基于國產閃存的智能手機、SSD固態硬盤等產品。