一般地，具有PNPN四層三結結構的器件是晶閘管。嚴格來說，根據國際電工委員會（IEC）的標準定義，具有3個或者3個以上PN結，其伏安特性至少在一個象限內具有導通和阻斷兩個穩定狀態，并可以在兩個狀態之間進行切換的電力半導體器件為晶閘管。晶閘管可以分為很多類型，比如內部存在反并聯二極管的逆導型晶閘管（RC-Thyristor），電流可雙向控制導通的雙向晶閘管（TRI-AC），門極關斷晶閘管（GTO）和門極換流晶閘管（GCT）等。在實際應用，一般將普通的具有雙向阻斷能力、只能控制正向導通的半控型晶閘管，直接稱為晶閘管，或者SCR（硅控整流器），而其他類型晶閘管根據它們的功能和特性命名。

晶閘管在通態時可以承受非常大的浪涌電流，而在阻態能承受非常高的電壓，這兩點的極限值在目前的所有器件中都是最高的，如果沒有無法自關斷這個嚴重的缺陷，那么晶閘管就是完美的電力半導體器件。這跟晶閘管的結構有密切關系。

晶閘管也是一個三端器件，按照現有的應用習慣，其三個端子定義為陽極（A，anode）、陰極（K，cathode）和門極（G，gate）。晶閘管的符號以及對應三個端子的定義如圖1所示。

實際上一個典型的晶閘管的結構如圖2所示，一般從陽極到陰極的雜質半導體的性質為PNPN，因此存在3個PN結，從陽極到陰極依次為J1、J2和J3。此時，這3個結不再像晶體管那樣有具體的名稱。這3個PN結可以通過合金—擴散法或全擴散法形成，陽極、陰極和門極電極分別通過金屬連接與對應的半導體層相連接。

為了分析方便，這里把如圖2所示的晶體管簡化成如圖3所示的簡化結構圖，并認為各雜質半導體的摻雜濃度是均勻的，按照晶閘管在實際電路中的使用情況，圖中還給出了用于晶閘管運行原理分析的外圍電路，則流入晶閘管陽極的電流為IA，流出晶閘管陰極的電流為IK，流入晶閘管門極的電流為IG，晶閘管陽極到陰極之間的電壓為UAK。

晶閘管各部分的摻雜濃度如圖4所示。其中與陽極和陰極相連的分別為重摻雜的P+和N+層，與門極相連的重摻雜P+層，此三層的厚度（在圖中體現為寬度）都較小，剩下的一層為相對輕摻雜的層N-層，其厚度較大，而厚度較大的輕摻雜對器件的耐壓和通態特性都有顯著的影響。