國際格局初定，市場廣闊可期

產業格局基本形成

電力電子領域

第三代半導體電力電子器件已初步具備產業化應用條件。目前全球有超過30家公司在電力電子領域擁有對SiC、GaN相關產品的生產、設計、制造與銷售能力，但市場上能夠批量穩定提供SiC、GaN產品的不超過1/3。

目前，全球第三代半導體電力電子產業格局呈現美國、歐洲、日本三足鼎立態勢。

美國在SiC領域全球獨大，擁有Cree、II--VI、道康寧等具有很強競爭力的企業，并且占有全球SiC 70-80%的產量。

歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件、應用產業鏈，擁有英飛凌、意法半導體、Sicrystal、Ascatronl、IBS、ABB等優秀半導體制造商，在全球電力電子市場擁有強大話語權。

日本是設備和模塊開發方面的絕對領先者，主要產商有羅姆、三菱電機、富士電機、松下、東芝、日立等。

GaN電力電子方面：

美國擁有較為完整產業鏈，在外延、器件及應用環節有Transform、EPC、GaN system、Powerex等企業。

歐盟在該領域的2家企業Azzurro、EpiGaN主要集中在外延環節。亞洲企業在材料環節占優。

日本信越、富士電機和***漢磊等在襯底和外延表現突出。

微波射頻領域

在射頻微波領域，目前全球約有超過30家企業已經從事GaN的研發生產，其中10家左右已經實現了GaN的量產化和商業化。

2016年，有5家企業進入該領域，且基本為中國企業，有2家退出，主要是Cree和NXP因出售相關業務退出了。

美國、歐洲、日本等在軍事雷達和無線基站通信方面走在世界前列。

美國在GaN射頻領域擁有Macom、Qorvo、Raytheon、Microsemi、Anadigics等全球領先企業。

歐洲擁有IQE、Ampleon、UMS、NXP等知名企業，在GaN應用于5G通信方面的研發成果較多，技術創新能力強。

日本在GaN射頻領域的研發和應用，多數以民用通信為主，軍事通信探測為輔。

光電領域

在半導體照明領域，全球LED知名企業包括美國Cree、荷蘭Philip、德國Osram、日本Nichia、韓國三星、中國***地區晶元光電、中國三安光電、木林森等著名企業。

截至目前日亞化學在LED芯片方面的銷售仍穩居全球第一，德國Osram、Philip Lumileds、韓國三星等在封裝方面領先全球，中國大陸木林森也在2014-2015 年全球LED封裝營收排名中進入前十。

在激光器方面，Nichia、Osram走在了國際前列。日本的住友電工、日立電纜等企業在襯底材料方面具有較深的技術儲備；而美國的Kyma公司、法國的Lumilog公司也相續實現了2英寸GaN襯底的研發和產業化開發。

在探測器方面，美國通用電氣（GE）公司于2008年已經發布了具有日盲特性，單光子探測效率可達到9.4%，而暗計數僅為2.5kHz的SAM結構4H-SiC APD。

國際上還有韓國的Genicom公司和日本的Kyosemi公司可以批量供應GaN紫外探測器，其中Genicom公司已經推出了多款GaN紫外探測器的模塊化應用產品。

市場前景廣闊可期

電力電力領域

SiC、GaN的電力電子器件市場在2016年正式形成。初步估計，2016年SiC電力電子市場規模在2.1億-2.4億美元之間，而GaN電力電子市場規模約在2000萬-3000萬美元之間，兩者合計達2.3億-2.7億美元。而據IC insights數據，2016年全球功率半導體銷售金額約124億美元，意味著第三代半導體功率器件2016年的市場占有率已經達到2 %左右。

SiC、GaN在功率電子市場的前景看好。據Yole最新報告數據顯示，2021年全球SiC市場規模將上漲到5.5億美元，2016-2021年的復合年增長率（CAGR）將達到19%。

而Yole同時預測，GaN功率器件在未來五年（2016-2021年）復合年增率將達到86%，市場將在2021年達到3億美元。

當然，SiC、GaN替代Si產品仍然為時甚早。據Lux研究公司數據，預計至2024年，第三代半導體功率電子的滲透率將達到13%，而Si產品仍將占據剩下的87%的市場份額。

微波射頻領域

據Yole預測，2016-2020年GaN射頻器件市場將擴大至目前的2倍，市場復合年增長率（CAGR）將達到4%；2020年末，市場規模將擴大至目前的2.5倍。

2015年，受益于中國LTE（4G）網絡的大規模應用，帶來無線基礎設施市場的大幅增長，有力地刺激了GaN微波射頻產業。2015年末，整個GaN射頻市場規模接近3億美元。

2017-2018年，在無線基礎設施及國防應用市場需求增長的推動下，GaN市場會進一步放大，但增速會較2015年有所放緩。

2019-2020年，5G網絡的實施將接棒推動GaN市場增長。未來10年，GaN市場將有望超過30億美元。

光電領域

隨著技術進步，半導體照明的應用領域不斷拓寬，市場規模不斷增長。據美國產業研究機構Strategies Unlimited 2016年發布的報告顯示，2015年，LED器件營收約147億美元，預計2016年約152億美元；2020年超過180億美元。LED器件照明應用仍是主流應用，約占30%以上，并穩步增長；LED在汽車以及農業等應用逐年擴大。

近年來，LED照明產品的市場滲透率快速增長，特別是在新增銷售量的滲透率有較快增長，但在已安裝市場上，由于基數龐大，LED目前的（在用量）市場滲透率仍不高。

IHS數據顯示，2015年全球LED燈安裝數量在整體照明產品在用量中的滲透率僅為6%，預計2022年將接近40%，LED全球照明市場仍具較大增長潛力。

我國鏈條基本形成，產業初步啟動

2016年，我國半導體照明產業整體產值達到5216億元，較2015年同比增長22.8%；電力電子和微波射頻產業處于起步階段。

與國際領先水平相比，我國在第三代半導體襯底、外延材料、器件的整體技術水平落后3年左右；在第三代半導體光電子領域，LED技術水平已接近國際先進水平；在第三代半導體微電子應用方面，日、美、歐在地鐵機車、新能源汽車、白色家電、光伏逆變器、雷達等領域開展了規模應用，而我國只在光伏逆變器、PFC電源、UPS、軍用雷達等領域有小規模應用。

產業鏈條初具雛形

初步形成較完整創新研發和產業化體系。我國開展第三代半導體材料相關研究的國家重點實驗室、國家工程中心、國家工程實驗室20余家，各類國家級產業化基地、試點城市超過50家。上、中、下游及設計、配套等各環節均開始出現一些優秀廠商，初步形成了較為完整的產業鏈。

SiC材料體系方面，襯底環節有天科合達、河北同光、山東天岳等已經實現量產，外延環節有東莞天域、瀚天天成、正在投資進入，器件環節有泰科天潤等。同時，揚州揚杰電子、世紀金光、中電55所、13所、國家電網、株洲南車等均在SiC電力電子全產業鏈體系進行了布局。

GaN材料體系方面，外延環節主要有蘇州晶湛、江西晶能、東莞中鎵等。GaN電力電子器件方面，蘇州能訊、江蘇能華、杭州士蘭微、江蘇華功半導體均已進入布局。GaN射頻電子方面，***臺積電和穩懋是目前國內企業代工的主要平臺，三安光電、蘇州能訊已經布局，而中電13所、55所、29所（海特高新）已經在軍用領域占據優勢。

GaN光電子方面，國內半導體照明相關企業超過30000家，其中上游三安光電、華燦光電、德豪潤達規模均超過10億，中游木林森、國星光電、瑞豐光電、鴻利智匯等在照明之外積極布局紅外、紫外、車用等細分領域，下游照明領域，飛樂、雷士、歐普、陽光等照明企業完成LED轉型，成為行業龍頭。

市場先于產業開啟

2016年是我國第三代半導體產業發展“元年”。據初步統計，2016年我國第三代半導體產業的整體規模約為5228億元，其中電力電子產值規模7200萬元，微波射頻產值規模10.9億元，光電（主要為半導體照明）產業規模超過5200億元。

電力電子市場規模超過1億元

2016年，第三代半導體器件在消費類電子、工業電機、太陽能光伏、風力發電、新能源汽車、大數據中心等應用領域開始滲透。2016年，我國第三代半導體電力電子器件的市場規模約為1.6億元，目前市場90%為進口產品所占有。

據國家統計局數據，2015年我國半導體分立器件規模以上企業的銷售額超過900億元/年，國內第三代半導體電力電子的滲透率不到0.5%。國內目前最大的應用領域在開關電源和不間斷電源，而滲透最快的是光伏應用領域。

微波射頻市場空間廣闊

我國GaN器件在微波射頻領域的應用正在快速成熟，特別是民用市場即將起量。全球移動通信基站射頻功率器件的市場規模約10億美元，我國僅中興、華為、大唐等企業的總需求就在3億-4億美元。2016年，我國第三代半導體微波射頻電子市場規模約為9.43億元，其中國防軍事和航天應用是主要應用領域。而民用領域，華為、中興等通信設備商均早已開始針對GaN在無線通訊設備中應用進行布局，但目前國內市場上GaN射頻功率器件產品基本為歐、美、日大廠所出，國內研究雖已展開，但目前尚無成熟產品應用，我國自產的具有良好性能和穩定量產供貨能力的GaN產品迫在眉睫。

半導體照明突破5000億

我國第三代半導體材料成功產業化的第一個突破口是光電子領域的半導體照明產業。目前，我國已成為全球最大的半導體照明產品生產和出口地。2016年，我國半導體照明產業整體產值首次突破5000億元，達到5216億元，其中上游外延芯片規模約182億元，中游封裝規模達到748億元，下游應用規模4286億元。以LED為主營業務上市公司增長到28家，營收持續增長。國內企業頻繁參與國際整合并購案，國際競爭力進一步提升。

基地建設開始啟動

2016年，以“北京第三代半導體材料及應用聯合創新基地”（以下簡稱“北京基地）正式動工和第三代半導體南方基地落戶廣東事件為標志，我國第三代半導體的地方基地布局在各級政府推動下正在逐步展開。

北京第三代半導體材料及應用聯合創新基地

北京市擁有全國第三代半導體領域一半以上的科技資源、主要應用領域企業總部，以及專業的產業服務機構和首都創新大聯盟等眾多的產業技術創新聯盟，具有發展第三代半導體產業最豐富的資源優勢。

自2012年起，北京市科委就已開始第三代半導體材料及應用的研發布局，并于2015年聯合順義區政府及國家半導體照明工程研發及產業聯盟共同簽署了《北京第三代半導體材料及應用聯合創新基地建設戰略合作協議》，探索了由社會資本與政府共同參與的高科技產業基地建設模式，旨在全球范圍內整合資源，形成第三代半導體重大關鍵技術的供給源頭，區域產業集聚發展的創新高地，成果轉化與創新創業的眾創平臺，面向全球開放協同的創新網絡。

基地一期占地47畝，并于2016年7月開工，預計2017年項目竣工，并吸引企業入駐，重點打造集研發中試平臺、產業服務平臺、產業基金和園區建設四位一體的產業創新生態系統。

廣東第三代半導體南方基地

第三代半導體南方基地由廣東省科技廳、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、東莞市政府及相關企業共同建設。

以“平臺公司+研究院+產業園區+產業基金”四位一體模式建設構成的全產業鏈生態創新體。南方基地建設可以極大地發揮產業優勢，以應用為牽引，促進創新和應用的同步快速發展。

除北京、廣東基地以外，江蘇、浙江、廈門、江西等地在政府多年持續推動下，繼續保持先發優勢，逐步開始成為國內具有較為完整產業鏈的第三代半導體產業特色集聚區。