中芯國際、華力微、長江存儲今年將紛紛啟動進(jìn)入1X奈米以下工藝技術(shù)的“深水區(qū)”,中芯國際明年上半年14納米FinFET將風(fēng)險試產(chǎn),并推進(jìn)7 納米研發(fā)進(jìn)程;上海華力Fab6未來也將成為14納米量產(chǎn)重要基地;長江存儲今年首顆國內(nèi)自主研發(fā)閃存芯片也將邁入量產(chǎn),未來數(shù)月將進(jìn)入密集裝機(jī)期。
據(jù)外媒報導(dǎo),中芯國際已經(jīng)訂購了一臺EUV設(shè)備,首臺EUV設(shè)備購自ASML,價值近1.2億美元。EUV是當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最先進(jìn)也最昂貴的芯片制造設(shè)備,全球僅一家荷蘭設(shè)備商ASML供應(yīng)。
EUV是未來1X納米繼續(xù)走向1X納米以下的關(guān)鍵光刻機(jī),前包括英特爾、三星、臺積電等巨頭都在爭搶購買該設(shè)備。設(shè)備供應(yīng)商ASML曾表示,一臺EUV從下單到正式交貨約長達(dá)22個月,若以中芯目前訂購來看,按正常交期也要2020年年初左右才能到貨。
中芯7納米面臨較長更新?lián)Q代周期
按照中芯國際的技術(shù)藍(lán)圖規(guī)劃,2019年上半年肩負(fù)14納米FinFET將風(fēng)險試產(chǎn)任務(wù),若2020年順利取得EUV,將可進(jìn)一步向前推進(jìn)至7納米。而目前研發(fā)團(tuán)隊最高負(fù)責(zé)人、中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松則扮演先進(jìn)技術(shù)藍(lán)圖規(guī)劃的推手。
盡管中芯目前在制造工藝上仍落后于臺積電等市場領(lǐng)導(dǎo)者兩到三代,但此舉已經(jīng)突顯了中芯在研發(fā)團(tuán)隊重整旗鼓之后的雄心,此時下單EUV也屬正當(dāng)其時。
不過下單歸下單,未來技術(shù)挑戰(zhàn)仍擁有幾大內(nèi)外變數(shù)考驗,一是先進(jìn)高端設(shè)備的進(jìn)口能否順利進(jìn)入中國;二是設(shè)備啟動的上海能否給予充足的電力供給;三是順利裝機(jī)之后設(shè)備的調(diào)試與良率,畢竟從浸潤式光刻機(jī),改成EUV系統(tǒng),不是一個世代的跨越這么簡單,而對中芯國際研發(fā)先期量產(chǎn)團(tuán)隊來說全然陌生,涉及到光刻膠、掩膜、pellicle、檢測等全環(huán)節(jié)的良率提升,相對來說,更新?lián)Q代的學(xué)習(xí)周期會較長。
半導(dǎo)體行業(yè)專家莫大康則分析認(rèn)為,中芯有錢提前布局7nm是件好事,對于中芯來說,要從人員培訓(xùn)開始,未來要待中芯能做7nm可能至少還需5年以上時間,仍有很多挑戰(zhàn)需要克服。
日前,中芯國際財報顯示,今年將全年資本支出從19億美元上調(diào)至23億美元,用于先進(jìn)制程的研發(fā)、設(shè)備開支以及擴(kuò)充產(chǎn)能。顯示未來將加強(qiáng)先進(jìn)工藝技術(shù)的布局。
上海華力Fab6進(jìn)入密集裝機(jī)期
值得注意的是,同樣也在緊追1X奈米工藝技術(shù)的華力上海Fab6也正式搬入的首臺ASML NXT 1980Di光刻機(jī)。這臺光刻機(jī)是目前中國集成電路生產(chǎn)線上最先進(jìn)的浸沒式光刻機(jī)。
華力表示,F(xiàn)ab6主廠房完成凈化裝修,相關(guān)配套機(jī)電設(shè)備準(zhǔn)備就緒,具備了工藝設(shè)備搬入條件,較原計劃進(jìn)度提前1個半月,僅約16個半月。
根據(jù)華虹集團(tuán)的規(guī)劃,F(xiàn)ab6總投資387億元人民幣,建成后月產(chǎn)能將達(dá)4萬片12吋晶圓,工藝覆蓋28-14納米技術(shù)節(jié)點。項目計劃于2022年底建成達(dá)產(chǎn),主要投入邏輯芯片量產(chǎn)。
在接下來的五個月內(nèi),華虹Fab6工藝設(shè)備將集中搬入,并完成安裝調(diào)試,年底前完成生產(chǎn)線串線并實現(xiàn)試流片。
長江存儲自主閃存芯片進(jìn)入量產(chǎn)考驗
無獨有偶,長江存儲的首臺光刻機(jī)也已運抵武漢天河機(jī)場,這臺光刻機(jī)為ASML的193nm浸潤式光刻機(jī),售價7200萬美元用于14nm~20nm工藝,陸續(xù)還會有多臺運抵。
長江存儲主要攻關(guān)3D NAND閃存芯片工藝量產(chǎn),計劃共建三座3D-NAND Flash廠房。總投資240億美元,其中,第一階段的廠房已去年9月完成建設(shè),計劃2018年投產(chǎn),2020年形成月產(chǎn)能30萬片的規(guī)模。
回顧長江存儲發(fā)展3D NAND閃存的歷程:2014年與中科院微電子所啟動雙方3D NAND合作項目;2015年,完成了9層結(jié)構(gòu)的3D NAND測試芯片,實現(xiàn)了電學(xué)性能驗證;2016年,實現(xiàn)了32層測試芯片研發(fā)及驗證,注資240億美元建設(shè)國家存儲器基地;2017年,測試芯片良率大幅提升,并實現(xiàn)了首款芯片的流片;2018年,即將開始了3D NAND存儲芯片生產(chǎn)線試產(chǎn)。
日前紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁暨長江存儲執(zhí)行董事長高啟全更是透露,長江存儲的3D NAND Flash已經(jīng)獲得第一筆訂單。明年,長江存儲力爭64層堆疊3D閃存實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn),單顆容量128Gb(16GB),與世界領(lǐng)先水平差距縮短到2年之內(nèi)。
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原文標(biāo)題:中芯、華力、長江存儲紛紛駛?cè)爰夹g(shù)“深水區(qū)”
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