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三星進軍5nm、4nm、3nm工藝_首次應用EUV極紫外光刻技術(shù)

小劉 ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 2018-06-08 07:12 ? 次閱讀

這兩年,三星電子、臺積電在半導體工藝上一路狂奔,雖然有技術(shù)之爭但把曾經(jīng)的領導者Intel遠遠甩在身后已經(jīng)是不爭的事實。

在美國舉行的三星工藝論壇SFF 2018 USA之上,三星更是宣布將連續(xù)進軍5nm、4nm、3nm工藝,直逼物理極限。

7LPP (7nm Low Power Plus)

三星將在7LPP工藝上首次應用EUV極紫外光刻技術(shù),預計今年下半年投產(chǎn)。關鍵IP正在研發(fā)中,明年上半年完成。

5LPE (5nm Low Power Early)

在7LPP工藝的基礎上繼續(xù)創(chuàng)新改進,可進一步縮小芯片核心面積,帶來超低功耗。

4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus)

最后一次應用高度成熟和行業(yè)驗證的FinFET立體晶體管技術(shù),結(jié)合此前5LPE工藝的成熟技術(shù),芯片面積更小,性能更高,可以快速達到高良率量產(chǎn),也方便客戶升級。

3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus)

Gate-All-Around就是環(huán)繞柵極,相比于現(xiàn)在的FinFET Tri-Gate三柵極設計,將重新設計晶體管底層結(jié)構(gòu),克服當前技術(shù)的物理、性能極限,增強柵極控制,性能大大提升。

三星的GAA技術(shù)叫做MBCFET(多橋通道場效應管),正在使用納米層設備開發(fā)之中。

大家可能以為三星的工藝主要用來生產(chǎn)移動處理器等低功耗設備,但其實在高性能領域,三星也準備了殺手锏,大規(guī)模數(shù)據(jù)中心AI人工智能、ML機器學習,7LPP和后續(xù)工藝都能提供服務,并有一整套平臺解決方案。

比如高速的100Gbps+ SerDes(串行轉(zhuǎn)換解串器),三星就設計了2.5D/3D異構(gòu)封裝技術(shù)。

而針對5G、車聯(lián)網(wǎng)領域的低功耗微控制器(MCU)、下代聯(lián)網(wǎng)設備,三星也將提供全套完整的交鑰匙平臺方案,從28/18nm eMRA/RF到10/8nm FinFET任選擇。

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