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全新光電引進(jìn)LayTec的原位測量產(chǎn)品 VCSEL制造在升級

MEMS ? 作者:工程師3 ? 2018-05-28 11:49 ? 次閱讀

據(jù)麥姆斯咨詢報道,中國***純代工廠Visual Photonics Epitaxy Co Ltd(VPEC,全新光電)近日宣布為其VCSEL(垂直腔面發(fā)射激光器)生產(chǎn)引進(jìn)了德國柏林廠商LayTec的原位測量產(chǎn)品

LayTec的EpiTT/VCSEL包括兩個光纖測量頭:一個用于標(biāo)準(zhǔn)EpiTT,另一個用于光譜反射率傳感(R-VCSEL)。兩個光纖測量頭均可通過EpiCurve?測量頭上的轉(zhuǎn)接法蘭進(jìn)行連接EpiCurve?/VCSEL系統(tǒng),該項設(shè)置可同時集成完整的EpiCurve?TT性能和DBR(分布式布拉格反射鏡)阻帶和腔傾角位置的頻譜監(jiān)測功能。這款四合一計量工具安裝于Aixtron?G3行星式反應(yīng)器頂部。EpiTT/VCSEL和EpiCurve?TT/VCSEL由新型軟件模塊供電,可實現(xiàn)單阱和多阱運行。

為了支持全球3D傳感和其它快速增長的應(yīng)用對VCSEL芯片的需求,LayTec將VCSEL Add-On用于其EpiTT和EpiCurve TT系統(tǒng),提供了額外的原位光譜反射率傳感,并可在GaAs基和InP基近紅外/紅外(NIR/IR)VCSEL工藝波長范圍內(nèi)進(jìn)行定制,實現(xiàn)這類高度復(fù)雜的多層結(jié)構(gòu)器件的高良率制造。VCSEL Add-On也可作為現(xiàn)有EpiTT或EpiCurve TT系統(tǒng)的升級版本。憑借配備先進(jìn)的實時分析算法,除了EpiTT的晶圓溫度和生長速率監(jiān)測,以及EpiCurve TT的晶圓彎曲測量外,它還能夠在VCSEL外延過程中監(jiān)測DBR(分布式布拉格反射鏡)阻帶和腔傾角位置。

蘋果iPhone X紅外點陣投影器中的VCSEL芯片來源:《蘋果iPhone X紅外點陣投影器》“VPEC為VCSEL晶圓制造選擇了LayTec市場領(lǐng)先的原位測量技術(shù),作為實現(xiàn)我們高標(biāo)準(zhǔn)的品質(zhì)和良率的基本要素,” VPEC高級副總裁Neil Chen評價說,“將現(xiàn)有的晶圓溫度、晶圓彎曲和生長速率控制,結(jié)合新的頻譜監(jiān)測性能,是VCSEL代工廠工藝轉(zhuǎn)移、快速調(diào)整配方和擴大規(guī)模的關(guān)鍵。”

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:全新光電選擇LayTec原位測量技術(shù),加強VCSEL制造

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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