盡管極紫外光(EUV)步進(jìn)機(jī)的大量生產(chǎn)面臨復(fù)雜的問(wèn)題以及緊迫的時(shí)間,專家們?nèi)匀槐С謽?lè)觀態(tài)度...
隨著工程師們競(jìng)相解決錯(cuò)綜復(fù)雜的相關(guān)問(wèn)題,醞釀了20年的新世代微影工具終于來(lái)到大量問(wèn)世前的最后一個(gè)階段──盡管極紫外光(EUV)步進(jìn)機(jī)的大量生產(chǎn)面臨復(fù)雜的問(wèn)題以及緊迫的時(shí)間,專家們?nèi)匀槐С謽?lè)觀態(tài)度。
好消息是,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界正眾志成城、積極推動(dòng)技術(shù)進(jìn)展;如比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)Imec的技術(shù)與系統(tǒng)執(zhí)行副總裁An Steegen所言:「在過(guò)去,可能會(huì)有一家公司率先采用最新的半導(dǎo)體技術(shù),但現(xiàn)在幾乎所有的邏輯制程技術(shù)供應(yīng)商都跳進(jìn)來(lái)、咬緊牙關(guān)努力并勇于承擔(dān)風(fēng)險(xiǎn)。」
Imec是荷蘭EUV微影設(shè)備大廠ASML的長(zhǎng)期合作伙伴,他們與晶圓代工廠、半導(dǎo)體供應(yīng)商攜手,現(xiàn)在的目標(biāo)是解決該種有尺寸有一個(gè)房間大小、將用以制造新一代芯片的設(shè)備剩下的最后幾個(gè)主要問(wèn)題;Steegen在Imec年度技術(shù)論壇接受EE Times采訪時(shí)指出,這很像是在2008年問(wèn)世的FinFET電晶體,是很重大但充滿挑戰(zhàn)的半導(dǎo)體性能提升關(guān)鍵。
她表示:「人們比較過(guò)下世代節(jié)點(diǎn)的最糟情況以及舊節(jié)點(diǎn)的最佳情況,現(xiàn)在各方都同意FinFET是具備超高性能的元件;我學(xué)到的教訓(xùn)是要對(duì)所有事情抱持懷疑態(tài)度…未來(lái)的半導(dǎo)體制程技術(shù)還有足夠進(jìn)步空間,讓SoC設(shè)計(jì)工程師能得到他們想要的。」
而在筆者于Imec總部排隊(duì)等著喝咖啡時(shí)與一位有32年工作資歷的EUV開發(fā)老將閑聊時(shí),他簡(jiǎn)單表示:「現(xiàn)在有很多壓力…但我們正在取得進(jìn)展。」
確實(shí),三星(Samsung)的晶圓代工部門趕著在今年底于7nm制程導(dǎo)入EUV,該公司的目標(biāo)是超越最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電(TSMC),后者正利用現(xiàn)有的浸潤(rùn)式微影設(shè)備進(jìn)行7nm設(shè)計(jì)案的投片;臺(tái)積電與另一家晶圓代工大廠GlobalFoundries也不落人后,他們打算在明年以EUV量產(chǎn)強(qiáng)化版的7nm制程。
Imec預(yù)期,DRAM制造商會(huì)在D14+節(jié)點(diǎn)采用EUV技術(shù)──應(yīng)該會(huì)在2021年記憶體半間距(half pitches)來(lái)到20nm以下時(shí)。
目前Imec有兩個(gè)技術(shù)開發(fā)重點(diǎn),有助于舒緩邊緣粗糙度(line-edge roughness)的問(wèn)題,并消除所謂的隨機(jī)效應(yīng)(stochastics)、隨機(jī)誤差(random errors)等造成觸點(diǎn)漏失(create missing) 、觸點(diǎn)斷續(xù)(kissing contacts)的缺陷。那些誤差在今年稍早于對(duì)下一代5nm節(jié)點(diǎn)十分關(guān)鍵的15nm臨界尺寸首度被發(fā)現(xiàn),但研究人員表示他們也在7nm看到一樣的問(wèn)題。
Steegen預(yù)期將會(huì)有混合式解決方案出現(xiàn),這種方案會(huì)采用掃描機(jī)設(shè)定、光阻劑材料以及后期處理等方法的結(jié)合,以接續(xù)斷裂的線路、將粗糙部分抹平或是填補(bǔ)漏失的觸點(diǎn)。
晶圓代工業(yè)者可以提供更高劑量的EUV光源──例如80 millijoules/cm2──以擴(kuò)大制程容許范圍(process window),但這會(huì)讓生產(chǎn)速度減慢;Steegen表示:「第一次實(shí)作時(shí)的最高劑量決定權(quán)在于各家晶圓代工廠。」
工程師正在利用一系列的光罩調(diào)整、步進(jìn)機(jī)設(shè)定、光阻劑選擇以及后期處理方法,來(lái)解決EUV的隨機(jī)誤差問(wèn)題
混合式解決方案以及放寬的設(shè)計(jì)規(guī)則
Imec正在開發(fā)能預(yù)測(cè)并定位隨機(jī)誤差可能在設(shè)計(jì)中出現(xiàn)的地方,以提供制程容許范圍的視野;但尋找缺陷往往非常仰賴快速的電子束檢測(cè)系統(tǒng)(e-beam inspection systems)。
隨著制程節(jié)點(diǎn)來(lái)到單納米尺寸,研究人員開始將缺陷歸因于為小細(xì)節(jié);舉例來(lái)說(shuō),一次EUV曝光中的光子數(shù)量,會(huì)影響化學(xué)放大光阻劑(chemically amplified resists),而其他種類的光阻劑性能也會(huì)因?yàn)樗度氲慕饘俜肿佣ㄏ?orientation)而有所變化。
對(duì)此Steegen表示:「并非所有的光阻劑作用都一樣,它們因?yàn)椴煌鶎佣憩F(xiàn)出的作用也會(huì)很獨(dú)特…我們?nèi)栽诮?jīng)歷一些基礎(chǔ)性的學(xué)習(xí)。」
為了簡(jiǎn)化制程世代轉(zhuǎn)移,GlobalFoundries采取分階段EUV策略,在相對(duì)較寬松的7nm節(jié)點(diǎn)只采用5層金屬;該公司技術(shù)長(zhǎng)Gary Patton在Imec技術(shù)論壇上接受采訪時(shí)表示:「我們能夠以較低劑量運(yùn)作并達(dá)到良好的生產(chǎn)量。」
Patton透露,GlobalFoundries將于今年稍晚采用浸潤(rùn)式微影進(jìn)行首次7nm設(shè)計(jì)投片,是一款AMD處理器;接著是一款I(lǐng)BM處理器,然后有數(shù)款ASIC。
GlobalFoundries將7nm節(jié)點(diǎn)的間距與SRAM單元制作得跟臺(tái)積電的很類似,讓芯片設(shè)計(jì)業(yè)者如AMD能夠同時(shí)利用兩家晶圓代工廠;他表示,AMD「的需求會(huì)高于我們擁有的產(chǎn)能,所以我們對(duì)(AMD也委托臺(tái)積電生產(chǎn))這件事沒(méi)有意見。」
不過(guò),GlobalFoundries在開發(fā)10nm節(jié)點(diǎn)的同時(shí)會(huì)跳過(guò)5nm節(jié)點(diǎn),該公司認(rèn)為前者會(huì)有適度的遞增收益;而該公司正在為下一代制程尋求財(cái)務(wù)與技術(shù)上的伙伴,有可能會(huì)朝3nm節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)。
微影技術(shù)人員現(xiàn)在將良率問(wèn)題視為EUV需要考量的首要議題
在面對(duì)眾多挑戰(zhàn)的同時(shí)保持樂(lè)觀
盡管有重重挑戰(zhàn),Patton仍保持樂(lè)觀;他認(rèn)為,盡管智慧型手機(jī)市場(chǎng)成長(zhǎng)趨緩,產(chǎn)業(yè)界已經(jīng)演變至進(jìn)入AI時(shí)代,「新的無(wú)晶圓廠IC公司暴增」。在此同時(shí),GlobalFoundries的FD-SOI制程將至今年底將擁有75家設(shè)計(jì)伙伴,目前已經(jīng)取得36件設(shè)計(jì)案。
「很多人去年都在場(chǎng)邊觀望FD-SOI是否做得成,而現(xiàn)在結(jié)果已經(jīng)很清楚;」Patton指出,該制程技術(shù)能支援低至0.4V的設(shè)計(jì),并在今年秋天量產(chǎn)Grade 2車規(guī)版本。
GlobalFoundries與Imec的高層對(duì)于整體半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖的進(jìn)展仍保持樂(lè)觀,不過(guò)有一些工程師開始在公開談?wù)摚娋w速度的提升一般來(lái)說(shuō)已經(jīng)終結(jié),電晶體密度與性能的進(jìn)展則是一個(gè)節(jié)點(diǎn)比一個(gè)節(jié)點(diǎn)減少。
對(duì)此Imec正在協(xié)助晶圓代工業(yè)者開發(fā)一系列性能提升技術(shù)來(lái)補(bǔ)強(qiáng),包括簡(jiǎn)化的單元軌(cell tracks)、埋入式電源軌(buried power rails),以及芯片上電路堆疊(on-die circuit stacks)。
「一般來(lái)說(shuō)我并沒(méi)有看到報(bào)酬遞減,」Steegen表示:「我對(duì)于3nm與2nm邏輯制程節(jié)點(diǎn)與記憶體技術(shù)藍(lán)圖發(fā)展感到樂(lè)觀,我們有足夠的資源…因此設(shè)計(jì)工程師會(huì)看到芯片面積的微縮,但他們可能需要在設(shè)計(jì)上做一些改變。」
因此Imec的芯片微縮核心專案,繼續(xù)每年以每年5~10%的速率成長(zhǎng);Imec執(zhí)行長(zhǎng)Luc Van den Hove執(zhí)行長(zhǎng)表示:「十年前,我們預(yù)期我們?cè)谙冗M(jìn)CMOS制程技術(shù)方面的工作會(huì)持平發(fā)展,因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)整并的緣故,但情況恰恰相反。」他指出,Imec的相關(guān)專案因?yàn)锳I加速器芯片以及DNA儲(chǔ)存等新題材而增加。
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原文標(biāo)題:EUV微影技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)最后沖刺階段
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