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美光表示:EUV光刻機在DRAM芯片制造上不是必須的,直到1α及1β工藝上都也不會用到它

半導體動態 ? 來源:網絡整理 ? 作者:工程師吳畏 ? 2018-06-07 14:49 ? 次閱讀
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今年臺積電、三星及Globalfoundries等公司都會量產7nm工藝,第一代7nm工藝將使用傳統的DUV光刻工藝,二代7nm才會上EUV光刻工藝,預計明年量產。那么存儲芯片行業何時會用上EUV工藝?在美光看來,EUV光刻工藝并不是DRAM芯片必須的,未來幾年內都用不上,在新一代工藝上他們正在交由客戶驗證1Y nm內存芯片,未來還有1Z、1α及1β工藝。

內存跟CPU等芯片雖然都是集成電路,生產制造過程有相似之處,不過工藝并不相同,CPU邏輯工藝今年進入到了7nm節點,但內存主流的還是20nm、18nm工藝,其中18nm就屬于1X nm節點(16-19nm之間),后面的1Y nm則是14-16nm之間,1Z大概是12到14nm。再之后,美光提出的是1α及1β工藝,具體對應xx nm就不明了。

三星是第一家量產18nm工藝,也就是第一個進入1X nm節點的,遙遙領先其他公司,美光現在也開始向1X nm工藝轉進,下一代的1Y nm工藝已經進入客戶驗證階段了,今年下半年問世,1Z nm工藝節點在處于工藝優化階段,1α及1β工藝則是在不同研發階段。

美光CEO Sanjay Mehrotra日前在參加伯恩斯坦年度戰略決策會上回答了有關的工藝問題,在EUV光刻工藝上,他認為EUV光刻機在DRAM芯片制造上不是必須的,直到1α及1β工藝上都也不會用到它。

在內存工藝上,美光認為1α及1β工藝上依然都不需要EUV光刻工藝,不過早前ASML兩年前提到過內存在進入1Y nm節點時就需要考慮EUV工藝了,實際上并沒有,包括三星在內的三大DRAM巨頭都沒有很快進入EUV節點的打算。

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