近日華燦光電在互動平臺上簡要談到其在mini LED芯片方面取得的一些進(jìn)展。

華燦光電表示，在mini RGB方面，華燦光電采用的是結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定的DBR+ITO結(jié)構(gòu)的倒裝芯片，并且在芯片臺階以及側(cè)壁做了絕緣層的優(yōu)化，進(jìn)一步的提高了芯片的可靠性。另外還特別針對mini紅光LED芯片的襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，提升整體良率的同時(shí)提升了可靠性。

華燦光電表示，mini RGB芯片目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并且已經(jīng)成為國內(nèi)外幾個(gè)主要下游玩家的供應(yīng)商。在mini BLU方面，為了實(shí)現(xiàn)超薄背光模組的均勻混光，華燦光電同國內(nèi)外下游以及終端廠家配合開發(fā)容易實(shí)現(xiàn)均勻混光的LED芯片。目前，華燦光電的mini BLU常規(guī)芯片可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并且已經(jīng)切入幾個(gè)重要下游客戶的供應(yīng)鏈。

華燦光電還就當(dāng)前幾種轉(zhuǎn)移技術(shù)的發(fā)展情況做了如下討論：

根據(jù)現(xiàn)在市場上比較常規(guī)的定義，mini LED是指用于顯示應(yīng)用的芯片尺寸在80-300um之間的基于倒裝結(jié)構(gòu)LED芯片。

Mini LED在顯示上主要有兩種應(yīng)用，一種是作為自發(fā)光LED顯示（下稱mini RGB），由于封裝形式上不需要打金線，相比于正裝小間距LED，即使在同樣的芯片尺寸上mini LED也可以做更小的顯示點(diǎn)間距。另外一種是在背光上的應(yīng)用（下稱mini BLU）。相比于傳統(tǒng)的背光LED模組，mini LED背光模組將采用更加密集的芯片排布來減少混光距離，做到超薄的光源模組。

Mini LED無論在哪種應(yīng)用中，都涉及到對大量LED芯片的轉(zhuǎn)移。目前針對micro LED開發(fā)的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，包括Luxvue 采用靜電力，ITRI采用的電磁力，Xceleprint 采用的范德華力，原則上都能用于mini LED芯片的轉(zhuǎn)移。但是目前這些轉(zhuǎn)移技術(shù)都需要對包括轉(zhuǎn)移頭，轉(zhuǎn)移設(shè)備做特殊的設(shè)計(jì)制作，技術(shù)上也并沒有完全成熟和公開，制作成本相對較高。

Mini LED相比于micro LED，首先有相對較大的芯片尺寸， 而且?guī)в懈佑操|(zhì)的襯底。因此mini LED的轉(zhuǎn)移有更高的精度容忍度，并且芯片由于帶有襯底對芯片的拾取操作上有更多的靈活性。基于mini LED的這些特點(diǎn)，各家也都有在開發(fā)mini LED相關(guān)的轉(zhuǎn)移技術(shù)。目前比較容易達(dá)成量產(chǎn)的幾個(gè)技術(shù)分別如圖。

第一個(gè)是從現(xiàn)有的pick and place設(shè)備上做改進(jìn)，設(shè)置多個(gè)的pick up heads來增加拾取和放置的效率。這種方案技術(shù)難度不是特別大，容易實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，但是產(chǎn)能上只能做到倍數(shù)上的成長，無法實(shí)現(xiàn)數(shù)量級上的增加。

第二種方案是把放置有芯片的臨時(shí)性基板和最終的背板相對放置，利用頂針直接把芯片頂出藍(lán)膜放置到最終基板上。相比于第一種的pick and place方案，這種方案減免了擺臂的來回運(yùn)行，提高了轉(zhuǎn)移效率。如果芯片在藍(lán)膜上放置位置同最終背板的控制電極位置一致，配合上多頂針的方式，能夠?qū)崿F(xiàn)巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，從數(shù)量級上提升轉(zhuǎn)移效率。

第三種方案同第二種方案類似，芯片放置于UV膜上并且芯片位置同背板的控制電極位置相對放置，然后通過UV光把LED芯片選擇性的或者整面的轉(zhuǎn)移到最終背板上面。這種方案基本上能實(shí)現(xiàn)真正的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，但是對芯片分選到UV膜上時(shí)的擺放精度有一定的需求。