歐洲電源轉換和智能運動大會在2018年6月5日-7日舉辦,在第一天會議上,多個公司推出了氮化鎵功率產品。下文將闡述歐洲氮化鎵系統公司、Exagan公司和英飛凌公司等產品
氮化鎵系統公司推出100W和300W無線功率放大器
在昨日舉辦的歐洲電源轉換和智能運動(PCIM)大會上,歐洲氮化鎵系統公司推出兩款無線功率放大器,用于高功率消費、工業和運輸應用的無線充電市場。這些新解決方案包括功率范圍從70 W到100 W的100 W功率放大器和功率范圍從150 W到1 kW的300 W功率放大器。
100W功率放大器[GSWP100W-EVBPA]適用于筆記本電腦、娛樂級無人機、家用輔助機器人、電動工具和多款智能手機的快速充電等消費類市場。
300W功率放大器[GSWP300W-EVBPA]面向工業和運輸市場,適用于交付無人機、倉儲機器人、醫療設備、工廠自動化、電動自行車和滑板車等應用。
兩款功率放大器都具有一系列特性,包括電流或電壓控制、內置保護電路、EMI濾波和可配置輸出功率等。兩款放大器將氮化鎵系統公司等功率晶體管與pSemi公司的高頻GaN E-HEMT驅動器相結合。
氮化鎵系統公司戰略營銷副總裁Paul Wiener表示:“我們的氮化鎵解決方案為在諸如無線電力傳輸和充電等應用中開發高功率、高效率電源系統創造了機會。電源生態系統已經發生了變化。現在可提供高dv / dt電平移位器,快速響應IC感測和控制,低損耗高頻磁性元件以及高性能GaN晶體管和放大器功能,從而實現更小、更輕、更低成本和更高效的電源系統。”
Exagan公司推出新型智能氮化鎵功率芯片
歐洲Exagan公司展示了G-FET和G-DRIVE產品,以便于設計電氣轉換器和一個65瓦的USB PD 3.0充電器演示。
在本周舉行的紐倫堡PCIM歐洲會議上,Exagan推出了安全、功能強大的G-FET功率晶體管和G-DRIVE智能快速開關解決方案,在一個封裝中集成了驅動器和晶體管。
這些基于氮化鎵的器件易于設計成電子產品,為符合USB 3.0功率輸出(PD)3.0 C類標準的快速充電器鋪平了道路,同時提供出色的功率性能和集成度。
Exagan總裁兼首席執行官FrédéricDupont表示:“我們產品的市場潛力巨大,包括所有便攜式電子設備以及家庭、餐廳、酒店、機場、汽車等等。”在不久的將來,用戶將能夠只需將標準USB電纜插入小型通用移動充電器即可快速為智能手機,平板電腦,筆記本電腦和其他設備充電。”
USB C端口具有電力、數據和視頻同時傳輸的通用連接的能力,正在帶來巨大的增長。根據市場研究公司IHS Markit的數據,至少有一個USB C型端口的設備數量預計將從2016年的3億臺增加到2021年的近50億臺。
Exagan正在加速為充電器市場提供具有成本效益的GaN基解決方案。該公司在其制造工藝中使用200-mm硅基氮化鎵晶圓,實現了高成本效益的大批量生產。Exagan現在正在向關鍵客戶提供快速、節能的器件,同時加快生產,開始批量交貨G-FET和G-DRIVE產品。
Exagan于2014年在法國格勒諾布爾成立,得到了CEA-Leti和Soitec的支持,致力于加速電力電子行業從硅基技術向硅基氮化鎵技術的轉變,實現更小、更高效的電氣轉換器。
戰略合作伙伴包括X-FAB Silicon Foundries和面向200毫米GaN技術和制造的國際研究機構CEA-Leti,TüVNORD GROUP提供產品質量、測試和可靠性服務。
英飛凌開始批量生產CoolGaN
英飛凌歐洲PCIM期間宣布將于2018年底開始批量生產CoolGaN產品。市場上高可靠性GaN解決方案的工程樣品現已上市。
英飛凌的CoolGaN被認為是市場上最可靠和全球認可的氮化鎵解決方案之一。在質量管理過程中,不僅要對器件進行測試,還要評估其在應用程序中的行為。
在100ppm(百萬分之一)時,其預計壽命約為55年,超過預期壽命40年。CoolGaN能夠在給定的能量存儲插槽尺寸中實現雙倍的輸出功率,從而釋放空間并同時實現更高的效率。
CoolGaN 400 V和600 V電子模式HEMT的全面生產將于2018年年底開始實施。CoolGaN 400 V將采用70mΩ的SMD底部冷卻TO引線和頂部冷卻DSO-20-87封裝。CoolGaN 600 V采用頂部冷卻DSO-20-87封裝和底部冷卻DSO-20-85。采用底部冷卻TO-leadless和DFN 8x8封裝的70mΩ和190mΩ600V CoolGaN器件,將補充600V CoolGaN的產品組合。
-
芯片
+關注
關注
456文章
51140瀏覽量
426154 -
功率放大器
+關注
關注
102文章
3626瀏覽量
132166
原文標題:氮化鎵|歐洲電源轉換和智能運動大會上發布的多款氮化鎵功率產品
文章出處:【微信號:iawbs2016,微信公眾號:寬禁帶半導體技術創新聯盟】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
評論