擴展了氮化鎵(GaN)和LDMOS技術產品組合,全面提供各種高功率產品。
美國費城(IMS 2018) – 2018年6月12日 – 恩智浦半導體(納斯達克代碼:NXPI)擴展其豐富的GaN和硅橫向擴散金屬氧化物半導體(Si-LDMOS)蜂窩基礎設施產品組合,推動創新,以緊湊的封裝提供行業領先的性能,助力下一代5G蜂窩網絡發展。
5G連接涉及頻譜擴展、更高階位調制、載波聚合、全維波束賦形等關鍵技術,因此需要擴大技術基礎才能支持增強移動寬帶連接。根據頻譜使用情況和網絡占位空間,實施“多輸入多輸出”(MIMO)技術需采用四根(4TX)發射天線到64根甚至更多天線。5G網絡的未來將取決于GaN和Si-LDMOS技術,而恩智浦一直身處射頻功率放大器開發的前沿。
“恩智浦于1992年推出全球首款LDMOS產品,此后25年一直處于領導地位。現在,恩智浦依托成功的歷史經驗,以行業領先的GaN技術鞏固了自己的射頻領導地位,為蜂窩移動應用提供出色的線性效率,”恩智浦資深副總裁兼射頻功率事業部總經理Paul Hart表示,“憑借出色的供應鏈、全球應用支持和行業內出色的設計專業知識,恩智浦已成為5G解決方案領先的射頻合作伙伴。”
在IMS 2018展會上,恩智浦推出全新射頻GaN寬帶功率晶體管,擴展其適用于宏蜂窩和戶外小型基站解決方案的Airfast第三代Si-LDMOS產品組合。新產品包括:
1. A3G22H400-04S: 這款GaN產品非常適合40 W基站,效率高達56.5%,增益為15.4 dB覆蓋從1800 MHz 到2200 Mhz的蜂窩頻段。
2. A3G35H100-04S:這款GaN產品提供43.8%的效率和14 dB的增益,可在3.5 GHz下實現16 TX MIMO解決方案。
3. A3T18H400W23S:這款Si-LDMOS產品以1.8 GHz的頻率領跑5G時代,Doherty效率高達53.4%,增益為17.1 dB。
4. A3T21H456W23S:這款解決方案覆蓋從2.11 GHz到2.2 GHz的全部90 MHz頻帶,體現了恩智浦Si-LDMOS產品出色的效率、射頻功率和信號帶寬性能。
5. A3I20D040WN:在恩智浦集成式超寬帶LDMOS產品系列中,這款解決方案提供46.5 dBm的峰值功率、365 MHz的帶寬以及32 dB的AB級性能增益,在10 dB OBO時的效率達18%。
6. A2I09VD030N:這款產品具有46 dBm的峰值功率,AB級性能增益為34.5 dB,在10 dB OBO時的效率為20%。這款產品的射頻帶寬為575 MHz至960 MHz。
恩智浦提供豐富多樣的射頻功率技術產品,涵蓋GaN、硅-LDMOS、SiGe和GaAs,支持覆蓋頻率和功率頻譜和多種集成度的5G產品。恩智浦不僅提供廣泛的選擇、構建數字計算產品,還支持基帶處理應用,是端到端5G解決方案獨特的供應商。
關于恩智浦半導體
恩智浦半導體(納斯達克代碼:NXPI)致力于通過先進的安全連結及基礎設施解決方案為人們更智慧安全、輕松便捷的生活保駕護航。作為全球領先的嵌入式應用安全連接解決方案領導者,恩智浦不斷推動著安全互聯汽車、端對端安全及隱私、智能互聯解決方案市場的創新。恩智浦擁有超過60年的專業技術及經驗,在全球逾30個國家設有業務機構,員工達30,000人,2017年全年營業收入92.6億美元。更多信息請登錄www.nxp.com。
恩智浦和恩智浦標志是NXP B.V.的商標。所有其他產品或服務名稱均為其各自所有者的財產。保留所有權利。? 2018 NXP B.V.
-
射頻
+關注
關注
104文章
5594瀏覽量
167928 -
恩智浦
+關注
關注
14文章
5869瀏覽量
107744 -
氮化鎵
+關注
關注
59文章
1640瀏覽量
116439 -
5G
+關注
關注
1355文章
48479瀏覽量
564823
發布評論請先 登錄
相關推薦
評論