RAS:Row Address Strobe,行地址選通脈沖;
CAS:Column Address Strobe,列地址選通脈沖;
tRCD: RAS to CAS Delay,RAS至CAS延遲;
CL: CAS Latency,CAS潛伏期(又稱讀取潛伏期),從CAS與讀取命令發出到第一筆數據輸出的時間段;
RL:Read Latency,讀取潛伏期;
tAC: Access Time from CLK,時鐘觸發后的訪問時間,從數據I/O總線上有數據輸出之前的一個時鐘上升沿開始到數據傳到I/O總線上止的這段時間;
tWR: Write Recovery Time,寫回,保證數據的可靠寫入而留出足夠的寫入/校正時間,被用來表明對同一個bank的最后有效操作到預充電命令之間的時間量;
BL: Burst Lengths,突發長度,突發是指在同一行中相鄰的存儲單元連續進行數據傳輸的方式,連續傳輸所涉及到存儲單元(列)的數量就是突發長度(SDRAM),在DDR SDRAM中指連續傳輸的周期數;
Precharge:L-Bank關閉現有工作行,準備打開新行的操作;
tRP:Precharge command period,預充電有效周期,在發出預充電命令之后,要經過一段時間才能允許發送RAS行有效命令打開新的工作行;
AL:Additive Latency,附加潛伏期(DDR2);
WL:Write Latency,寫入命令發出到第一筆數據輸入的潛伏期;
tRAS: Active to Precharge Command,行有效至預充電命令間隔周期;
tDQSS: WRITE Command to the first corresponding rising edge of DQS,DQS相對于寫入命令的延遲時間;
邏輯Bank
SDRAM的內部是一個存儲陣列,要想準確地找到所需的存儲單元就先指定一個(row),再指定一個列(Column),這就是內存芯片尋址的基本原理。
芯片位寬
SDRAM內存芯片一次傳輸率的數據量就是芯片位寬,那么這個存儲單元的容量就是芯片的位寬(也是L-Bank的位寬);
存儲單元數量=行數*列數(得到一個L-Bank的存儲單元數量)*L-Bank的數量也可用M*W的方式表示芯片的容量,M是該芯片中存儲單元的總數,單位是兆(英文簡寫M,精確值是1048576),W代表每個存儲單元的容量,也就是SDRAM芯片的位寬,單位是bit;
DDR SDRAM內部存儲單元容量是芯片位寬(芯片I/O口位寬)的一倍;
DDR2 SDRAM內部存儲單元容量是芯片位寬的四倍;
DDR3 SDRAM內部存儲單元容量是芯片位寬的八倍;
DDR4 SDRAM內部存儲單元容量是芯片位寬的八倍。
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原文標題:【博文連載】DDR掃盲——DDR中的名詞解析
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