中興事件的爆發(fā)就像一把利刃剜出中國芯片產(chǎn)業(yè)的短板，巨石砸向深潭激起的漣漪正一波一波地向外擴(kuò)散。芯片產(chǎn)業(yè)從來沒有像今天這樣，受到媒體、公眾甚至國家高層如此迫切的重視。

現(xiàn)實(shí)總是如此殘酷，在這一關(guān)系國家經(jīng)濟(jì)命脈的高科技產(chǎn)業(yè)，中國依舊沒有什么話語權(quán)。2017年，中國集成電路進(jìn)口額達(dá)到了2601.4億美元，同比增長(zhǎng)14.6%。有分析資料顯示，在存儲(chǔ)芯片、服務(wù)器、個(gè)人電腦、可編程邏輯設(shè)備等領(lǐng)域，中國芯片占有率竟然為0。

由于技術(shù)門檻高、投資規(guī)模巨大、高端人才稀缺，作為尖端產(chǎn)業(yè)，中國集成電路企業(yè)與世界巨頭相比還有相當(dāng)大的差距。

不過變化正在發(fā)生，中興事件的警鐘下，政策層面已經(jīng)開始落實(shí)，各地方政府及社會(huì)資本也在積極推進(jìn)，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來了爆發(fā)式發(fā)展的前夜。

一批優(yōu)秀的半導(dǎo)體企業(yè)脫穎而出，IC設(shè)計(jì)、晶圓代工、封裝測(cè)試、半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體專用設(shè)備等細(xì)分領(lǐng)域涌現(xiàn)出領(lǐng)頭企業(yè)，部分企業(yè)甚至成為細(xì)分領(lǐng)域的世界翹楚。這些企業(yè)代表了中國集成電路產(chǎn)業(yè)崛起的雄心。

與此同時(shí)，以大基金為代表的政府引導(dǎo)基金不斷涌現(xiàn)，社會(huì)資本不斷涌入，一些優(yōu)秀的投資人正通過資本力量為中國芯片產(chǎn)業(yè)注入一股新鮮血液。

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入巨頭壟斷，垂直整合不斷頻現(xiàn)的時(shí)期，中國半導(dǎo)體企業(yè)如何走出自己的道路？在各國政府對(duì)中資企業(yè)實(shí)施技術(shù)封鎖的時(shí)刻，中國企業(yè)如何自主創(chuàng)新？面對(duì)超高規(guī)模的資本投入，半導(dǎo)體企業(yè)如何有效結(jié)合資本手段，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展？

在中國半導(dǎo)體崛起的背景下，《英才》雜志重磅推出專題策劃，梳理中國IC設(shè)計(jì)、晶圓代工、封裝測(cè)試、半導(dǎo)體設(shè)備、材料產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)秀企業(yè)，把脈產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，挖掘其中的投資機(jī)遇。

存儲(chǔ)篇

存儲(chǔ)芯片 零的突破

在主流存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，中國仍然是一片空白，這一形容前面不用“基本”二字做掩飾。全球DRAM、NAND存儲(chǔ)芯片基本由美日韓企業(yè)壟斷，三星、SK海力士、美光、東芝等巨頭順勢(shì)賺得盆滿缽滿。

目前，在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，中國企業(yè)開始后起發(fā)力，形成三足鼎立的局面——投入NAND Flash市場(chǎng)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、專注于移動(dòng)存儲(chǔ)芯片DRAM的合肥長(zhǎng)鑫以及致力于普通存儲(chǔ)芯片的晉華。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)

從無到有，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是中國第一艘沖破國際巨頭壟斷的存儲(chǔ)基地，堪稱中國集成電路產(chǎn)業(yè)向空白地帶探索的一艘航空母艦。

2016年7月，由紫光集團(tuán)、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎(chǔ)上組建長(zhǎng)江存儲(chǔ)。其中紫光集團(tuán)出資197億元，占股51.04%，從而對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)形成控股。

“長(zhǎng)江存儲(chǔ)是中國科技領(lǐng)域的遼寧號(hào)航空母艦。”紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國曾向《英才》記者強(qiáng)調(diào)，“從其投資規(guī)模、技術(shù)水平、對(duì)國家產(chǎn)業(yè)安全和國家信息安全的意義看，這一比喻并不為過。通過長(zhǎng)江存儲(chǔ)這個(gè)項(xiàng)目，中國集成電路產(chǎn)業(yè)才真正在世界上有了一定的地位。”

據(jù)統(tǒng)計(jì)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)總投資將超過240億美元。這也是紫光集團(tuán)目前為止最大的投資項(xiàng)目之一。

“紫光未來十年在芯片制造產(chǎn)業(yè)上投資1000億美元是一個(gè)基本數(shù)字，相當(dāng)于平均每年投入100億美元。Intel、臺(tái)積電、三星每年在芯片制造上的資本開支都超過100億美元，達(dá)不到平均每年100億美元的投資規(guī)模，根本就進(jìn)入不了芯片制造的第一陣營(yíng)。”正如趙偉國所說，持續(xù)投入是繞不過的門檻。

2016年12月，以長(zhǎng)江存儲(chǔ)為主體的國家存儲(chǔ)器基地正式開工建設(shè)，其中包括3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，預(yù)計(jì)項(xiàng)目建成后總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，采取自主研發(fā)與國際合作雙輪驅(qū)動(dòng)的方式，已于2017年研制成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片，填補(bǔ)了國內(nèi)空白，并力爭(zhēng)成為世界一流的3D NAND閃存產(chǎn)品供應(yīng)商。未來這些產(chǎn)品將廣泛應(yīng)用在移動(dòng)通信，計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，DRAM和NAND是最為重要的兩種類型，均呈現(xiàn)寡頭壟斷的情況。DRAM市場(chǎng)93%以上份額由三星、SK海力士和美光科技三家占據(jù)；而NAND Flash市場(chǎng)幾乎全部被三星、SK海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾六家瓜分。

“在長(zhǎng)江存儲(chǔ)項(xiàng)目之前，對(duì)于中國企業(yè)來說，不是縮短差距的問題，因?yàn)樵瓉淼幕A(chǔ)是零，所以在長(zhǎng)江存儲(chǔ)之前和國際芯片制造巨頭的距離是無限遠(yuǎn)。”趙偉國曾對(duì)《英才》記者表示，到2019年，將把紫光與三星、SK海力士的技術(shù)差距縮短1-2年左右，利用十年時(shí)間拉平與三星的鴻溝。

目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科已經(jīng)打造成為集芯片設(shè)計(jì)、工藝研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測(cè)試、銷售服務(wù)于一體的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器企業(yè)。

全球來看，擁有芯片全產(chǎn)業(yè)鏈能力的企業(yè)屈指可數(shù)，僅有三星、英特爾、德州儀器等具備貫穿前段的設(shè)計(jì)，中段的制造和封測(cè)，再到后段的市場(chǎng)銷售。

相對(duì)于IC設(shè)計(jì)企業(yè)（Fabless）、代工企業(yè)（Foundry），創(chuàng)建這類IDM公司需要高額的資金成本，以及對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?chǎng)需求的準(zhǔn)確把握。從這一角度看，長(zhǎng)江存儲(chǔ)為我國芯片產(chǎn)業(yè)做出了表率，趟出了一條新的道路。

合肥長(zhǎng)鑫

在長(zhǎng)江存儲(chǔ)順利開始生產(chǎn)國內(nèi)首款32層3D NAND閃存芯片的同時(shí)，合肥長(zhǎng)鑫的存儲(chǔ)基地也在緊鑼密鼓的進(jìn)行中。

2018年4月16日，據(jù)媒體報(bào)道，合肥長(zhǎng)鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地所需的300臺(tái)研發(fā)設(shè)備已基本全部到位，待裝機(jī)完成之后，從2018下半年開始便全力投入試生產(chǎn)的環(huán)節(jié)。

相比于長(zhǎng)江存儲(chǔ)，合肥長(zhǎng)鑫的成立要低調(diào)得多，直到2017年5月25日，由合肥市政府支持的合肥長(zhǎng)鑫公司宣布，預(yù)計(jì)由合肥長(zhǎng)鑫投資72億美元，興建12吋晶圓廠以發(fā)展DRAM產(chǎn)品，未來完成后，預(yù)計(jì)最大月產(chǎn)將高達(dá)12.5萬片規(guī)模。

此后，在NOR Flash 市場(chǎng)位居世界第三的兆易創(chuàng)新(103.83 +3.83%,診股)公告與合肥產(chǎn)投簽署了合作協(xié)議，雙方合作開發(fā)19nm的12英寸晶圓存儲(chǔ)器（含DRAM等）研發(fā)。

在管理層和技術(shù)人員方面，合肥長(zhǎng)鑫也是強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，目前擔(dān)任公司董事長(zhǎng)的王寧國，此前任全球第一大半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備公司美國應(yīng)用材料公司全球執(zhí)行副總裁、華虹集團(tuán)CEO、中芯國際CEO；人才方面，公司大舉招聘海力士、爾必達(dá)、華亞科等的員工組成研發(fā)隊(duì)伍，華亞科前資深副總劉大維也成為了合肥長(zhǎng)鑫的員工。

除了以王寧國主導(dǎo)開展公司經(jīng)營(yíng)和發(fā)展以外，合肥政府聯(lián)合兆易創(chuàng)新作為合作伙伴，兆易創(chuàng)新在全球NOR Flash市場(chǎng)已占據(jù)一席之地，但囿于NOR Flash的市場(chǎng)規(guī)模有限，進(jìn)軍DRAM市場(chǎng)既能向外延伸自己技術(shù)能力，又能拓展新的業(yè)務(wù)范疇。

最新的消息顯示，王寧國在合肥集成電路重大項(xiàng)目發(fā)布會(huì)上表示，合肥長(zhǎng)鑫DRAM內(nèi)存芯片一期（一廠廠房）已于2018年1月完成建設(shè)，并開始安裝設(shè)備；2018年底就將開始生產(chǎn)8Gb DDR4存儲(chǔ)器的工程樣品；2019年底有望達(dá)到2萬片/月的產(chǎn)能；2020年再開始規(guī)劃二廠廠房的建設(shè)；2021年要完成對(duì)17nm工藝節(jié)點(diǎn)的技術(shù)研發(fā)。

長(zhǎng)鑫12吋存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目正加快建設(shè)，項(xiàng)目完全投產(chǎn)后預(yù)計(jì)將占據(jù)世界DRAM市場(chǎng)約8%的份額，填補(bǔ)國內(nèi)DRAM市場(chǎng)的空白。

將來，合肥長(zhǎng)鑫希望憑借自身的DRAM IDM平臺(tái)，來大力扶持處在行業(yè)上游的、國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備與材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)程。

福建晉華

另一大存儲(chǔ)器制造基地福建晉華在2017年11月即已完成了封頂，現(xiàn)今廠房外觀已接近完工。福建晉華力爭(zhēng)在2018年7月開始遷入機(jī)臺(tái)設(shè)備，并于2018年第三季度一期項(xiàng)目開始投入生產(chǎn)。

據(jù)悉，福建省晉華集成電路有限公司（簡(jiǎn)稱晉華集成電路，JHICC）是由福建省電子信息集團(tuán)、晉江能源投資集團(tuán)有限公司等共同出資設(shè)立的先進(jìn)集成電路生產(chǎn)企業(yè)。

技術(shù)來源上，公司與***聯(lián)華電子開展技術(shù)合作，投資56.5億美元，在福建省晉江市建設(shè)12吋內(nèi)存晶圓廠生產(chǎn)線，開發(fā)先進(jìn)存儲(chǔ)器技術(shù)和制程工藝，并開展相關(guān)產(chǎn)品的制造和銷售。

臺(tái)聯(lián)電與晉華曾簽署了技術(shù)合作協(xié)議，接受晉華委托并開發(fā)DRAM存儲(chǔ)器相關(guān)的制程技術(shù)，晉華則提供DRAM特用設(shè)備并依開發(fā)進(jìn)度支付技術(shù)報(bào)酬金作為開發(fā)費(fèi)用，開發(fā)成果由雙方共同擁有。

值得注意的是，晉華集成電路已納入“十三五”集成電路重大生產(chǎn)布局規(guī)劃，并獲得首筆30億元人民幣的國家專項(xiàng)建設(shè)基金支持。公司旨在成為具有先進(jìn)工藝與自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系的集成電路內(nèi)存（DRAM）制造企業(yè)。

原本預(yù)計(jì)2018年9月試產(chǎn)，并達(dá)到6萬片/月的產(chǎn)能規(guī)模，現(xiàn)今整個(gè)項(xiàng)目正在加速推進(jìn)中。