首先舉一個例子：

早期的DDR（注：DDR2開始支持ODT功能），當向內存寫入數據時，如果只有一條內存，那么這條內存就自己進行信號的終結，終結電阻等效為150Ω。如果為兩條內存，那么他們會交錯的進行信號的 終結。第一個模組工作時，第二個模組進行終結操作，等第二個模組工作時，第一個模組進行終結操作，但等效電阻為75Ω。當有三條內存的時候，三條會交替進 行信號終結，但等效電阻為50Ω。對于省略終端電阻的DIMM（因為支持ODT，所以可以省略），也是同樣的道理。假設使用同步模式ODT，且終結電阻被設置為150Ω，當向內存寫入數據時，如果只有一個內存顆粒，那么這條內存就自己進行信號的終結，終結電阻等效為150Ω。

如果為兩個內存顆粒，那么他們會交錯的進行信號的 終結。第一個內存顆粒工作時，第二個內存顆粒進行終結操作，等第二個內存顆粒工作時，第一個內存顆粒進行終結操作，但等效電阻為75Ω。當有三個內存顆粒的時候，三個會交替進行信號終結，但等效電阻為50Ω。

這樣一來，信號完整性就會受到不同程度的影響，為了能夠保持等效電阻一致，我們希望ODT的RTT（終結電阻）是可以動態修改的，而不需要每次都要通過MRS Command進行修改。這就是接下來要介紹的動態ODT模式。

當MR2寄存器中的A9和A10位被置位為1，動態ODT模式將會被啟用。具體的功能描述如下：

? Two RTT values are available: RTT_Nom and RTT_WR.– The value for RTT_Nom is preselected via bits A[9,6,2] in MR1.– The value for RTT_WR is preselected via bits A[10,9] in MR2.? During operation without write commands, the termination is controlled as follows:– Nominal termination strength RTT_Nom is selected.– Termination on/off timing is controlled via ODT pin and latencies ODTLon and ODTLoff.? When a write command (WR, WRA, WRS4, WRS8, WRAS4, WRAS8) is registered, and if DynamicODT is enabled, the termination is controlled as follows:– A latency ODTLcnw after the write command, termination strength RTT_WR is selected.– A latency ODTLcwn8 (for BL8, fixed by MRS or selected OTF) or ODTLcwn4 (for BC4, fixed by MRS

or selected OTF) after the write command, termination strength RTT_Nom is selected.– Termination on/off timing is controlled via ODT pin and ODTLon, ODTLoff.

需要注意的是，動態ODT并不支持DLL-off模式，用戶必須通過設置MR2{A10, A9}={0,0}，來禁用動態ODT功能。

由于時序圖比較長，為了防止圖像壓縮后變得不清晰，所以改成了pdf文件的形式。

DynamicODT.pdf

異步ODT功能因為使用的頻率較低，此處不再詳細介紹。