CINNO外媒資訊，由于具有很大的載流子遷移率和飽和速度，石墨烯一直是增強高頻微電子器件性能方面非常有吸引力的材料。實驗表明，石墨烯的電子遷移率非常高，先前報道的結果高于15,000 cm2·V-1·s-1。石墨烯是一種零重疊型半金屬（Zero-overlapSemimetal），同時具有電子和空穴電荷載體，并且在適當摻雜后具有高電導率。然而遺憾的是，非常高的金屬-石墨烯接觸電阻（Rc?500W-mm）會降低前面所提的石墨烯場效應管的電子遷移率，這會限制高頻石墨烯場效應管的性能。這個領域內，一個長期的研究目標是實現低于50W-mm的金屬-石墨烯接觸電阻，以實現高頻晶體管。

金屬-石墨烯接觸點的孔設計降低了接觸電阻，從而使高頻GFET成為可能

米蘭理工大學（意大利），GrapheneaSA（西班牙），伊利諾伊大學（美國）和斯坦福大學（美國）的研究人員設計出一種低接觸電阻的金屬-石墨烯接觸點，這一直是阻礙實現高性能石墨烯場效應晶體管（GFET）的關鍵。研究人員在不同金屬基板上使用化學氣相沉積（CVD）法沉積石墨烯。他們發現，當它們在接觸點下方的石墨烯中蝕刻出空穴時，金屬-石墨烯接觸電阻一直很低。即使在具有較低載流子密度的狄拉克點（電荷中性），金（Au）接觸也可實現低至23Ω-μm的接觸電阻，而在之前的研究中，200Ω-μm是石墨烯中載流子密度最高時獲得的最低接觸電阻。上述研究中，研究人員使用傳輸線測量（Transmission Line Measurement，TLM）方法確定的接觸電阻。

降低GFET中接觸電阻的常用方法是設計接觸點幾何形狀，以最大程度提高通過石墨烯邊緣的電荷注入，同時也最大程度地降低表面的電荷注入。石墨烯邊緣具有高密度的狀態，允許電荷從金屬觸點到GFET的有效注入。該“多孔”金屬-石墨烯接觸中，載流子主要通過這些“多孔”觸點中的孔的邊緣注入。在固定的孔間距（600nm）前提下，研究人員通過改變孔徑（550 nm和470 nm）研究了上述特定孔邊緣的長度是如何影響接觸電阻的。研究人員觀察到，狄拉克點處的最小接觸電阻發生在邊緣長度與表面積之比最大時。

硅/二氧化硅（Si/ SiO2）襯底上的單層石墨烯，來源：Graphenea

大多數以前的研究人員都是嘗試通過提高載流子密度來獲得低接觸電阻的。在狄拉克點具有低接觸電阻的GFET有許多優點。某些物理現象在狄拉克點附近有效，這使得輸入/輸出信號匹配成為可能，進而實現多級電路中不同晶體管級的級聯。例如，研究表明在石墨烯的狄拉克點，電子和空穴的有效質量為零。由于有效質量為零，石墨烯電子的行為非常類似于光子。盡管石墨烯本質上在狄拉克點附近具有低電導率，但在室溫下，可以通過摻雜獲得超過銅的電導率。

具有“多孔”金-石墨烯接觸點的GFET在漏極偏壓僅為0.8V、柵極長度為500nm的情況下，具有940S / m的平均跨導，這與具有傳統金-石墨烯接觸點的GFET相比，具有更好的性能。除了金以外，研究還使用了其他常見接觸材料如鈀/鎳（Pd / Au），鎳/金（Ni /Au）、銀（Ag）、金/鋁（Au） / Al）和鎳/鋁（Ni /Al）。低電阻金屬-石墨烯接觸點技術與Graphenea等供應商提供的高質量晶圓級石墨烯相結合，會極大促進GFET在高頻電子產品中的開發和應用。